**对比文件名称**：2011-07-06_KR1020110077001A_发明公开_KR1020110077001A 전지, 전극 및 이들에 이용하는 집전체
**目标专利名称**：1652制造二次电池用电极的方法 CN107425178B
**模型名称**：GPT-4
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料<br>《直接公开》 | 段落[0032]：“本发明涉及一种电极用集电器和具有担载在该集电器上的活性物质层的电极。”此外，实施例均采用在集电器上形成硅氧化物等活性材料层。 | 对比文件明确公开了电极包括集电器和担载于其上的活性物质层（电极活性材料），活性材料涂布或沉积在集电器上。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态<br>《直接公开》 | 段落[0093]-[0097]：描述通过辊压法或电镀法在集电器整个表面形成第一突起；段落[0101]-[0135]：描述通过电镀、喷砂、蚀刻等方法在基材表面形成第二突起，这些处理覆盖整个基材表面。段落[0077]提及表面粗糙度Ra等形态参数。 | 对比文件公开了通过辊压、电镀、喷砂、蚀刻等方式对集电器进行表面处理，在基材整个表面形成具有突起和粗糙的形态。本领域技术人员可毫无疑问地确定该处理使集电器整个表面具有特定形态。技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力<br>《直接公开》 | 段落[0066]：“比第一突起的高度和直径小的第二突起具有提高第一突起与活性物质之间的密着性的功能。”段落[0054]：“活性物质与集电体的接合变得牢固，在Li吸藏时，抑制因活性物质膨胀应力导致的活性物质从集电体剥离。” | 对比文件多处明确说明表面处理（特别是第二突起）提高活性物质与集电体的密着性，增强粘附力。技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D**：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理<br>《未公开》 | 段落[0062]：“第一突起可以通过使用表面具有规则排列凹部的辊来压制金属片而得到。”段落[0096]：“在辊压法中，使用表面形成有凹部（或者沟槽）的辊，将片状材料机械加工，使其塑性变形，从而形成第一突起。” | 对比文件明确公开使用表面具有**凹部**（凹雕图案）的辊进行辊压以形成第一突起，而未公开使用表面具有**浮雕图案**（凸起图案）的辊。目标专利特征D限定使用浮雕图案的辊，与对比文件的凹雕辊在结构上不同，本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出使用浮雕图案辊的技术方案。因此，技术特征D未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征E**：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm<br>《隐含公开》 | 形状：段落[0064]：“第一突起的横截面形状没有特别限制，但可以是四边形、多边形、圆形、椭圆形等。”<br>间隔：段落[0079]：“第二突起的平均突起间隔s优选为0.5~6μm。”段落[0073]第一突起的间距为3~100μm。 | 对比文件直接公开了图案的横截面形状（多边形、圆形、椭圆形）。对于不规则处间隔，虽未明确给出0.001~10μm，但公开了第二突起的平均间隔0.5~6μm（落入该范围），且本领域技术人员可通过工艺调整获得该全范围。因此，技术特征E被隐含公开。 |
| **技术特征F**：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm<br>《隐含公开》 | 段落[0078]：“第二突起的直径d优选0.3~10μm。”实施例1-1中第二突起平均高度h=4.4μm；实施例1-2中h=1.1μm；实施例1-6中h=2.7μm等。 | 对比文件公开了第二突起的深度（高度）具体数值并给出了直径范围，这些实际深度值均落入0.001~10μm范围内。本领域技术人员可合理推断通过调节工艺可获得该深度范围。因此，技术特征F被隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm<br>《未公开》 | 段落[0077]：“包含第2突起的第1突起顶部的表面粗糙度Ra优选为0.3~5μm。” | 对比文件仅公开了**突起顶部**的Ra为0.3~5μm，未覆盖整个集电器表面，且上限为5μm小于10μm，下限0.3μm未大于1μm。目标专利特征G要求整个表面Ra＞1且≤10，对比文件未给出该范围。故技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其中所述电极为正极和负极中的至少一种<br>《直接公开》 | 段落[0032]公开电极；段落[0232]：“本发明的电极适合作为锂二次电池的负极。”段落[0233]公开正极活性材料及正极结构。 | 对比文件明确提及电极可以是负极（主要实施例）和正极（需构造），包含正极和负极中的至少一种。技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4<br>《未公开》 | 全文未发现关于钛酸锂（LiaTibO4）的任何记载，活性材料均为Si、Sn系材料。 | 对比文件没有公开或暗示含钛酸锂的负极活性材料。技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5<br>《未公开》 | 无相关记载。 | 由于对比文件未公开式4化合物，故也未公开其元素比例范围。技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm<br>《隐含公开》 | 段落[0089]：“集电体的厚度没有特别限制，例如1~50μm是一般的。”实施例使用18μm、20μm、26μm、35μm等。 | 对比文件公开了集电体厚度的一般范围1~50μm，该范围中的3~50μm部分完全落入3~500μm；实施例常用厚度也在该区间内。本领域技术人员根据电池设计可以合理选择至500μm。因此，技术特征K被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz<br>《未公开》 | 段落[0233]公开正极活性材料可使用LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4等，但未提及式1的掺杂尖晶石结构。 | 对比文件公开的正极活性材料为一般性含锂氧化物，不包括式1所定义的特定掺杂尖晶石（M为特定元素，A为阴离子）。技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其中0.9≤x≤1.2，0 M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi<br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及式1化合物的具体参数及M的选择。技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子<br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及式1中阴离子A的限定。技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4<br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开LiNiMn尖晶石活性材料。技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5<br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开相应镍锰尖晶石的组成比例。技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4<br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开这些具体化合物。技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4<br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开钛酸锂的具体化学式。技术特征R未被公开。 |
根据上述比对，对比文件直接或隐含公开了以下技术特征：
- 直接公开：A、B、C、H
- 隐含公开：E、F、K
其他技术特征（D、G、I、J、L、M、N、O、P、Q、R）未被对比文件公开。
输出代码：<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<H>>><<<e>>><<<f>>><<<k>>>