对比文件名称：2006-10-18_CN1280930C_发明授权_CN1280930C 再充电式锂电池的负电极及其制造方法
目标专利名称：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
本次调用的模型名称：专利创造性评估分析模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料 | 《发明内容》部分记载：“将负电极混合浆料涂布在表面粗糙度Ra为0.5微米的作为集电器的电解铜箔表面上”；《具体实施方式》实施例1中同样记载浆料涂布在电解铜箔表面形成电极。 | 对比文件明确公开了电极活性材料（硅粉等）涂布在集电器（电解铜箔）上形成负电极，该技术特征与目标专利的电极结构相同，且作用一致（形成电极组件）。因此本领域技术人员可直接、毫无疑义地确定。故《直接公开》。 |
| 技术特征B：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态 | 《发明内容》记载：“提供表面粗糙度Ra在0.2微米以上的导电金属箔作为集电器”；《具体实施方式》实施例1中使用表面粗糙度Ra为0.5微米的电解铜箔。 | 对比文件虽未明确写出“表面处理”步骤，但其直接使用了已具有特定粗糙度形态的集电器，该粗糙度由电解或涂覆工艺形成，本质上是对集电器进行了表面处理。本领域技术人员能够合理推断出要获得该形态必须经过表面处理步骤，因此该技术特征被对比文件隐含公开。故《隐含公开》。 |
| 技术特征C：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力 | 《发明内容》和背景技术中明确记载：“使用这种具有特定表面粗糙度Ra的导电金属箔，增加了活性材料颗粒和导电金属粉末的混合物与金属箔表面之间的接触面积，因此能在非氧化气氛或还原性气氛中进行更有效的烧结，从而增强活性材料颗粒和导电金属粉末对集电器的粘附性”。 | 对比文件清楚阐明了使用粗糙集电器提高粘附力的因果关系，与目标专利的目的和效果完全一致。该技术特征被直接公开。故《直接公开》。 |
| 技术特征D：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理 | 对比文件全文未提及通过具有浮雕图案的辊对集电器进行辊压的表面处理方法。仅《具体实施方式》实施例1提及在涂布浆料后对电极进行滚压（辊压），但该滚压并非对集电器表面进行处理形成浮雕图案，而是为了增加填充密度。 | 对比文件既未公开浮雕图案的辊，也未公开通过辊压形成集电器表面不规则形态的技术手段，本领域技术人员无法从对比文件得出或合理推断该特征。故《未公开》。 |
| 技术特征E：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm | 对比文件未提及图案的垂直横截面形状。在《发明内容》中提及“表面粗糙度Ra和相邻局部凸峰之间的平均距离S优选满足关系式100Ra≥S”，但未公开S的具体数值范围，也未公开“间隔”为0.001μm～10μm。 | 对比文件描述的参数与目标专利的“不规则处之间间隔”无关，且未给定量化范围，图案形状完全未涉及。因此该技术特征未被公开。故《未公开》。 |
| 技术特征F：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm | 对比文件仅提及表面粗糙度Ra（轮廓算术平均偏差），未涉及谷深度的概念，更未给出0.001μm～10μm的数值范围。 | 谷深度属于不同于Ra的形貌参数，对比文件未公开该参数及其范围，本领域技术人员无法从中获得该技术特征。故《未公开》。 |
| 技术特征G：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm | 《发明内容》记载：“表面粗糙度Ra在0.2微米以上…表面粗糙度Ra的上限没有特别的限制，但如下所述优选在10～100微米的范围内。因此，表面粗糙度Ra的实际上限可以在10微米以下。”；实施例中使用0.5μm和0.2μm。 | 对比文件公开了Ra≥0.2μm且上限可在10微米以下，即覆盖了0.2～10微米的范围，该范围自然包括大于1μm至10μm的区间。虽然未单独强调大于1μm，但本领域技术人员可合理推断该数值区间包含在内，故该技术特征被隐含公开。故《隐含公开》。 |
| 技术特征H：其中所述电极为正极和负极中的至少一种 | 《发明内容》及实施例均涉及负电极的制造；同时在《具体实施方式》的电池制造部分公开了正电极（使用LiCoO2等）的制造，以及电池中包含正极、负极。 | 对比文件明确制造了负电极，并且电池实施例中使用了正极和负极，两者均被公开。因此“电极为正极和负极中的至少一种”被直接公开。故《直接公开》。 |
| 技术特征I：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4) | 对比文件全文未涉及锂钛氧化物（LTO）作为负极活性材料，其负极活性材料为硅和/或硅合金、锗、锡等能与锂形成合金的材料。 | 对比文件未公开任何锂钛氧化物，更未公开式4的具体化合物。该技术特征完全未公开。故《未公开》。 |
| 技术特征J：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5 | 基于特征I未公开，对比文件中无相关记载。 | 无公开基础。故《未公开》。 |
| 技术特征K：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm | 《发明内容》记载：“导电金属箔的厚度没有特别的限制，但以10微米～100微米的范围为宜。”；实施例中使用15微米厚的电解铜箔。 | 对比文件公开的优选范围10～100μm以及实例15μm均落入3～500μm之内，但未公开3～500μm的整体边界（如小于10μm或大于100μm的值）。本领域技术人员不能直接或隐含推导出3μm和500μm的端点值，且无教导暗示可广泛选择。故该较宽的范围未被公开。故《未公开》。 |
| 技术特征L：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1) | 《具体实施方式》中正极活性材料列举了“LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiMnO2、LiCo0.5Ni0.5O2和LiNi0.7Co0.2Mn0.1O2”。 | 对比文件虽公开了LiMn2O4（尖晶石锰酸锂），但式1要求M为至少一种元素且y>0（0<y<2），而LiMn2O4可视为y=0特例，且无M置换；此外式1还包含阴离子A，对比文件未提及。因此该技术特征未被公开。故《未公开》。 |
| 技术特征M：其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，0≤z<0.2；M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi | 对比文件中无对应数值范围和M选择。 | 未公开。故《未公开》。 |
| 技术特征N：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子 | 对比文件未涉及阴离子取代。 | 未公开。故《未公开》。 |
| 技术特征O：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2) | 对比文件未公开此式。 | 未公开。故《未公开》。 |
| 技术特征P：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5 | 对比文件无此范围。 | 未公开。故《未公开》。 |
| 技术特征Q：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4 | 对比文件未公开前述两种具体化合物。 | 未公开。故《未公开》。 |
| 技术特征R：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4 | 对比文件未公开任何锂钛氧化物。 | 未公开。故《未公开》。 |
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