对比文件名称：2007-06-14_JP2007149612A_发明专利_JP2007149612A Anode and battery
目标专利名称：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **A：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料（直接公开）** | 对比文件第[2]段记载：“負極集電体に、構成元素としてケイ素を含む負極活物質層が設けられたもの”（译文：在负极集电体上设有包含硅作为构成元素的负极活物质层）。实施例1-1具体在铜箔上通过蒸镀形成硅活物质层。 | 对比文件明确公开了负极集电体（集电器）上设有负极活物质层（电极活性材料），即活性材料涂布在集电器上，本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征，故直接公开。 |
| **B：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态（直接公开）** | 对比文件第[2]段记载：“負極集電体の表面には、少なくとも負極活物質層が設けられている領域に、第１の凹凸構造と、第１の凹凸構造よりも微細な第２の凹凸構造とが形成されている”（译文：在负极集电体的表面，至少在设有负极活物质层的区域，形成有第一凹凸结构和比第一凹凸结构更微细的第二凹凸结构）。实施例中通过蚀刻和压印对铜箔整体进行处理。 | 对比文件公开了对集电器进行表面处理（形成第一、第二凹凸结构），且处理区域至少覆盖活性材料设置区域，通常为整个箔面，使集电器表面具有凹凸形态，本领域技术人员可以确定该处理是针对整个表面，故直接公开。 |
| **C：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力（直接公开）** | 对比文件第[2]段记载：“第２の凹凸構造により負極集電体と負極活物質層との密着性を向上させることができる”（译文：通过第二凹凸结构，可以提高负极集电体与负极活物质层之间的密着性）。同段落还提到防止活物质层脱落。 | 对比文件明确指出了第二凹凸结构提高了密着性（即粘附力），与目标专利增强粘附力的作用相同，故直接公开。 |
| **D：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理（直接公开）** | 对比文件实施例1-1记载：“レーザーにより転写ロールの表面に凹凸構造を形成し、この転写ロールを用いて銅箔をプレスすることにより、銅箔に第１の凹凸構造を転写した”（译文：通过激光在转印辊的表面形成凹凸结构，使用该转印辊对铜箔进行压制，从而将第一凹凸结构转印到铜箔上）。 | 对比文件公开了使用表面具有凹凸图案的转印辊（相当于浮雕图案的辊）对铜箔进行压制（辊压），形成第一凹凸结构，即采用了相同的表面处理方式，故直接公开。 |
| **E：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且中形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm（未公开）** | 对比文件第[2]段记载：“第１の凹凸構造...凹凸構造は、円形、多角形、流線形あるいは格子状などどのような形状でもよい”（译文：第一凹凸结构...凹凸结构可以是圆形、多边形、流线形或格子状等任何形状）。同时记载第1凹凸结构的周期T（间隔）为10μm～100μm（例如实施例1-1中T=50μm）。 | 对比文件公开了形状（多边形、圆形等），但要求的不规则间隔为0.001～10μm，而对比文件第一凹凸结构周期为10～100μm（远大于上限），且未公开第二凹凸结构的具体间隔；本领域技术人员不能从对比文件得出间隔为0.001～10μm的技术方案，故特征E整体未公开。 |
| **F：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm（直接公开）** | 对比文件实施例4-1记载：“第１の凹凸構造の最大粗さ高さｈを５μｍ”（译文：第一凹凸结构的最大粗度高度h为5μm）；实施例4-5中h=10μm。此外，第2凹凸结构的表面粗糙度Rz JIS为1.0～5.0μm（对应谷深度）。 | 第一凹凸结构的最大粗度高度h可视为谷深度，实施例明确给出了h=5μm、10μm等，均在0.001～10μm范围内（含边界）；第二凹凸结构的Rz值也对应类似深度。因此对比文件直接公开了该特征的具体实例，故直接公开。 |
| **G：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm（未公开）** | 对比文件仅记载第2凹凸结构的表面粗糙度Rz JIS为1.0～5.0μm，未提及Ra参数。 | 对比文件使用Rz参数，未公开Ra。Ra与Rz定义不同，无法直接换算，本领域技术人员不能从Rz合理推断出Ra的具体范围，故该特征未被公开。 |
| **H：其中所述电极为正极和负极中的至少一种（直接公开）** | 对比文件标题为“Anode and battery”，全文主要涉及负极（负极）的制造，实施例均为负极。 | 对比文件公开的电极是负极，属于正极和负极中的至少一种（负极），故直接公开。 |
| **I：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4)（未公开）** | 对比文件全文公开的负极活性材料为硅(Si)及其化合物，未提及锂钛氧化物。 | 对比文件未公开任何关于LiaTibO4型负极活性材料的内容，故未公开。 |
| **J：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5（未公开）** | 同上。 | 由于特征I未公开，本特征亦未被公开。 |
| **K：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm。（直接公开）** | 对比文件实施例1-1记载：“厚み２０μｍの圧延銅箔を用意”（译文：准备厚度20μm的轧制铜箔）。 | 对比文件公开了集电器（铜箔）厚度为20μm，落在3μm～500μm范围内，故直接公开。 |
| **L：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1)（未公开）** | 对比文件第[2]段记载正极可使用LiCoO2或LiNiO2等，未公开如式1的尖晶石型锰基氧化物。 | 对比文件公开的正极材料是LiCoO2/LiNiO2等层状化合物，并非式1所限定的含Mn尖晶石结构，故未公开。 |
| **M：其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，且z满足0≤z<0.2，M为选自如下元素中的至少一种：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi（未公开）** | 无相关公开内容。 | 特征L未公开，本特征亦未公开。 |
| **N：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子。（未公开）** | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| **O：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2)（未公开）** | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| **P：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5。（未公开）** | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| **Q：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4。（未公开）** | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
| **R：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4。（未公开）** | 无相关公开内容。 | 未公开。 |
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