**对比文件的名称**：2008-09-04_JP2008204637A_发明专利_JP2008204637A Manufacturing method of electrode for lithium-ion secondary battery
**目标专利的名称**：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
**本次调用的模型名称**：deepseek-chat（或其他实际模型名称，这里未指定则按提示填写）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料<br>《直接公开》 | 对比文件记载：「集电体上に活物質層を有するリチウムイオン二次電池用電極の製造方法」（一种在集电体上具有活性物质层的锂离子二次电池用电极的制造方法）；以及「活物質を含むペーストを金属集電体上に塗布して活物質層を形成する塗工法」（将含有活性物质的糊料涂布在金属集电体上形成活性物质层的涂布法）。 | 对比文件明确公开了电极在集电体上具有活性物质层，且活性物质是通过涂布法形成的，因此技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态<br>《直接公开》 | 对比文件记载：「まず図1（ａ）のように、上部が概平坦な凸部１１を表面に有する集電体１０を用意する。」（首先，如图1(a)所示，准备表面具有上部大致平坦的凸部11的集电体10。）；以及实施例中在铜箔整个表面形成点图案凸部的描述。 | 对比文件公开了在集电体表面形成凸部（凹凸），从描述和附图可知，该凸部形成于集电体的整个表面（未限定区域），因此集电器整个表面具有凹凸形态，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力<br>《未公开》 | 对比文件未记载该功能或效果。 | 对比文件的目的是增强集电器与金属引线之间的接合强度，并未涉及增强电极活性材料与集电器之间的粘附力，也没有任何暗示该效果，因此技术特征C未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理<br>《直接公开》 | 对比文件记载：「また、凹凸形状を有するローラーなどにより金属箔を機械的に圧縮してローラーの凹凸形状を集電体上に転写する方法などでも形成できる。」（此外，也可以通过使用具有凹凸形状的辊子等对金属箔进行机械压缩，将辊子的凹凸形状转印到集电体上等方法形成。） | 对比文件直接公开了使用具有凹凸形状（即浮雕图案）的辊子对金属箔进行辊压以转印凹凸形状的方法，该方法与目标专利的特征D完全对应，因此直接公开。 |
| **技术特征E**：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm<br>《直接公开》 | 对比文件记载：「凸部の断面形状が半円形あるいは楕円形であり」（凸部的断面形状为半圆形或椭圆形）；实施例记载：「突起間隔が１０μｍ」（凸起间隔为10μm）。 | 对比文件公开了凸部的断面形状（即垂直横截面）为半圆形或椭圆形，等同于目标专利中的圆形或椭圆形形状；同时实施例公开了凸起间隔（即不规则处之间的间隔）为10μm，落入0.001μm～10μm范围。因此技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F**：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm<br>《直接公开》 | 对比文件实施例记载：「凸部高さが６μｍ」（凸部高度为6μm）。 | 对比文件实施例中凸部高度6μm，对应于不规则处之间的谷的深度（凸部顶部到底部的高度），该深度落入0.001μm～10μm范围。因此技术特征F被直接公开。 |
| **技术特征G**：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm<br>《直接公开》 | 对比文件实施例记载：「表面粗さＲａは３．１μｍ」（表面粗糙度Ra为3.1μm）；说明书记载：「算術平均粗さＲａが２μｍ以上であることが好ましい」（算术平均粗糙度Ra优选为2μm以上）。 | 对比文件实施例中Ra=3.1μm，必然满足大于1μm且不大于10μm的条件，且说明书教导Ra优选2μm以上，进一步确认Ra在该范围内。因此技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中所述电极为正极和负极中的至少一种<br>《直接公开》 | 对比文件记载：「負極用集電体、負極金属リードに関しては銅、ニッケルなどの金属材料が好適に用いられる。 また、正極集電体、正極金属リードに関してはアルミニウムが好適に用いられる。」（对于负极用集电体、负极金属引线，优选使用铜、镍等金属材料。对于正极集电体、正极金属引线，优选使用铝。） | 对比文件明确涉及正极和负极的制造，因此电极可以为正极或负极，技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4)<br>《未公开》 | 对比文件未提及锂钛氧化物。 | 对比文件提及的负极活性材料主要为硅(Si)等，未公开任何锂金属氧化物特别是Li_a Ti_b O_4类型的负极活性材料，因此技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5<br>《未公开》 | 对比文件未公开相关数值范围。 | 同特征I，对比文件未涉及式4的化合物，更未公开其化学计量范围，因此技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm。<br>《直接公开》 | 对比文件实施例记载：「厚み１４μｍの圧延銅箔」（厚度14μm的压延铜箔）。 | 对比文件公开了集电器厚度为14μm，该数值落在3μm～500μm范围内，因此本领域技术人员可以直接确定对比文件的技术方案中集电器厚度满足该条件，技术特征K被直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1)<br>《未公开》 | 对比文件未提及正极活性材料的具体组成。 | 对比文件未公开任何关于尖晶石锂金属氧化物的内容，也未涉及式1的化合物，因此技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，0≤z<1，且M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi<br>《未公开》 | 对比文件未公开相关元素及其范围。 | 同特征L，对比文件未涉及正极活性材料的元素组成，因此技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子。<br>《未公开》 | 对比文件未公开。 | 特征M的进一步限定，同样未被公开。 |
| **技术特征O**：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2)<br>《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| **技术特征P**：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5。<br>《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4。<br>《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| **技术特征R**：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4。<br>《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
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