对比文件名称：2010-11-18_JP2010262843A_发明专利_JP2010262843A Negative electrode for lithium ion secondary battery, lithium ion secondary battery using the same, collector of negative electrode for lithium ion secondar
目标专利名称：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料 **（直接公开）** | 对比文件第[2]段（关于负极结构）记载：“金属箔3の上に突起5を有し、金属箔3と突起5との上を負極活物質7の薄膜を有する。”翻译：“具有在金属箔3上的突起5，以及在金属箔3和突起5上的负极活物质7的薄膜。” | 对比文件明确公开了集电器（金属箔及突起）上涂布有电极活性材料（负极活物质薄膜），因此本特征被直接公开。 |
| 技术特征B：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态 **（直接公开）** | 对比文件第[2]段（关于粗面化处理）记载：“粗面化処理とは、サブミクロンから数ミクロン程度の凹凸を設け、表面を粗くすることで、… 粗面化処理後の表面は、表面粗さＲａが0.01〜8μｍ程度であることが好ましい。”翻译：“粗面化处理是通过设置亚微米到数微米的凹凸来使表面粗糙… 粗面化处理后的表面，优选表面粗糙度Ra为0.01～8μm左右。” | 对比文件公开了在集电器整个表面进行粗面化处理以形成凹凸形态，与本特征“对集电器进行表面处理以具有整个表面上的形态”一致，故直接公开。 |
| 技术特征C：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力 **（直接公开）** | 对比文件第[2]段（关于粗面化处理）记载：“粗面化処理とは、…負極活物質と集電体との間の密着力を高める処理である。”翻译：“粗面化处理是…提高负极活物质与集电体之间附着力的处理。” | 对比文件明确该表面处理的目的在于提高粘附力，与本特征作用完全相同，直接公开。 |
| 技术特征D：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理 **（隐含公开）** | 对比文件第[2]段（第3实施形态）记载：“金属箔3を金型41によりプレス加工する工程”（使用模具41对金属箔3进行压印的工序）。以及“金型41は、金属箔のプレス加工に用いられる一般的な金型であり、型抜けしやすいような断面台形状の突起29を成型可能である。”翻译：“模具41是用于金属箔压印的一般模具，能够成型容易脱模的截面梯形突起29。” | 对比文件公开了使用具有凸凹图案的模具对集电体进行压印（模具的图案属于浮雕图案）。本领域技术人员可以合理推断出，使用具有浮雕图案的辊进行连续辊压同样能够实现形成表面凹凸形态的目的，且辊压是压印的常见形式。因此对比文件隐含公开了该技术特征。 |
| 技术特征E：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm **（未公开）** | 形状：对比文件第[2]段（关于突起形状）记载：“突起5は底面が正方形の正四角柱形状であるが、底面が長方形の四角形形状でもよい。また、三角柱形状や、六角柱形状などの多角柱形状、円柱形状、楕円柱形状などでもよい。…” 间隔：对比文件第[2]段（关于突起尺寸）记载：“突起5の間隔が10μm〜100μmであることが好ましい。”翻译：形状：“突起5是底面为正方形的正四棱柱形状，但底面为长方形的四棱柱形状也可以。此外，也可以是三棱柱、六棱柱等多棱柱形状、圆柱形状、椭圆柱形状等。”间隔：“突起5的间隔优选为10μm～100μm。” | 对比文件公开了突起的垂直横截面形状包括多边形、圆形、椭圆形，与本特征的形状要求一致。但关于间隔，对比文件公开的是10‑100μm，而本特征要求0.001‑10μm，两者范围完全不同，且对比文件未给出任何0.001‑10μm间隔的教导或暗示。因此整体技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm **（未公开）** | 对比文件第[2]段（关于突起尺寸）记载：“突起5の高さは10μm〜100μmであることが好ましい。”翻译：“突起5的高度优选为10μm～100μm。” | 对比文件公开的突起高度为10‑100μm，而本特征要求谷深度0.001‑10μm，两者数量级不同，未公开。 |
| 技术特征G：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm **（直接公开）** | 对比文件第[2]段（关于粗面化处理）记载：“粗面化処理後の表面は、表面粗さＲａが0.01〜8μｍ程度であることが好ましい。”翻译：“粗面化处理后的表面，优选表面粗糙度Ra为0.01～8μm左右。” | 对比文件公开的Ra范围为0.01～8μm，该范围包含了大于1μm且不大于10μm的子区间（即1～8μm），本领域技术人员可直接确定Ra可取值在该子区间内。故直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述电极为正极和负极中的至少一种 **（直接公开）** | 对比文件主要涉及负极，同时在正极制备部分（第[2]段）记载：“正極活物質、導電助剤、結着剤、増粘剤及び溶媒を混合して正極活物質の組成物を準備する。前記正極活物質の組成物をアルミ箔などの金属集電体上に直接塗布・乾燥して、正極を準備する。”翻译：“将正极活性物质、导电助剂、粘合剂、增稠剂和溶剂混合，准备正极活性物质的组合物。将该组合物直接涂布在铝箔等金属集电体上并干燥，准备正极。” | 对比文件既公开了负极的制造，也公开了正极的制造方法，因此电极为正极和负极中的至少一种被直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4) **（未公开）** | 对比文件第[2]段（关于负极活性材料）记载：“負極活物質7として、シリコン、スズ、アンチモン、アルミニウム、鉛、ヒ素からなる群より選ばれた少なくとも１種の物質を用いることができる。”翻译：“作为负极活物质7，可以使用选自硅、锡、锑、铝、铅、砷中的至少一种物质。” | 对比文件仅公开硅、锡等负极活性材料，完全没有公开或暗示锂钛氧化物（如Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4），因此本特征未公开。 |
| 技术特征J：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5 **（未公开）** | 无相关记载。 | 由于式4未被对比文件公开，其参数范围也未公开。 |
| 技术特征K：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm **（直接公开）** | 对比文件第[2]段（关于金属箔厚度）记载：“金属箔3そのものの厚さは4μm〜100μmが好ましく、特に8μm〜50μmがより好ましい。”翻译：“金属箔3本身的厚度优选为4μm～100μm，特别优选为8μm～50μm。” | 对比文件公开的集电体厚度范围4‑100μm完全落入本特征要求的3‑500μm范围内，故直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1) **（未公开）** | 对比文件第[2]段（关于正极活性物质）记载：“正極活物質としては、リチウム含有の金属酸化物であって、一般的に使われるものであればいずれも使用可能であり、例えばLiCoO2，LiMn2O4，LiMnO2，LiNiO2，LiFeO2，LiFePO4，Li2FePO4F，V2O5，TiS及びMoS2などリチウムの酸化還元が可能な化合物である。”翻译：“作为正极活性物质，可以使用锂金属氧化物，只要是通常使用的即可，例如LiCoO2，LiMn2O4，LiMnO2，LiNiO2，LiFeO2，LiFePO4，Li2FePO4F，V2O5，TiS及MoS2等能够进行锂的氧化还原的化合物。” | 对比文件列举的正极材料中不包括式1定义的尖晶石结构锂金属氧化物（式中M为特定取代元素且0<y<2）。LiMn2O4虽为尖晶石但y=0，不符合式1要求。因此本特征未公开。 |
| 技术特征M：其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，0≤z<0.2；M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi **（未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件未公开该组成限定。 |
| 技术特征N：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子 **（未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征O：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2) **（未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件未公开该特定组成。 |
| 技术特征P：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5 **（未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4 **（未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件未公开这些具体化合物。 |
| 技术特征R：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4 **（未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<d>>><<<G>>><<<H>>><<<K>>>