对比文件名称：2009-08-12_CN101507022A_发明公开_CN101507022A 电池、电极以及它们所使用的集电体
目标专利名称：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
本次调用的模型名称：无（未指定）
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料《直接公开》 | “本发明涉及具有上述的电极用集电体和担载于该集电体上的活性物质的电极。”（发明内容部分，参见“本发明涉及具有上述的电极用集电体、和担载于该集电体上的活性物质层的电极。”） | 对比文件明确公开了电极由集电体和担载于其上的活性物质构成，即集电器上涂布（担载）有电极活性材料。该结构与目标专利的特征A完全相同，因此直接公开。 |
| B：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态《直接公开》 | “使片状的材料在分别以规则的图案配置有凹部的一对辊之间通过。”（实施方式1，第1突起的形成）；“辊压法，是通过采用在表面形成有凹部（或沟）的辊，对片状的材料进行机械加工、使其塑性变形，而形成第1突起。”（实施方式1） | 对比文件公开了通过辊压法对片状材料（即集电器）进行表面处理，辊压过程覆盖整个片材，因此在集电器的整个表面上形成了由第1突起和平坦面组成的特定形态（凹凸图案）。该处理使得集电器整个表面均具有经加工后的物理形态，与目标专利中“整个表面上的形态”对应。因此直接公开。 |
| C：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力《直接公开》 | “通过使用本发明的集电体，活性物质与集电体的接合面积增大。因此，活性物质与集电体的接合变得牢固，在吸藏Li时，可抑制由活性物质的膨胀应力所导致的活性物质从集电体的剥离。”（发明效果部分） | 对比文件明确阐述其集电体结构能增大接合面积、使接合牢固，从而抑制活性物质剥离，这实质上就是增强粘附力。该效果与目标专利的特征C完全一致，因此直接公开。 |
| D：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理《直接公开》 | “使片状的材料在分别以规则的图案配置有凹部的一对辊之间通过。”（实施方式1）；“通过采用在表面具有以规则的图案排列的凹部的辊辊压金属片。”（实施方式1） | 对比文件公开了使用表面具有规则凹部图案的辊进行辊压，凹部图案对应于浮雕图案中的凹雕形式。此工艺与目标专利特征D使用具有浮雕图案的辊辊压完全相同，因此直接公开。 |
| E：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm《直接公开》 | 形状：“第1突起的形状没有特别的限定，例如为柱状（圆柱状、棱柱状）。另外，第1突起的横截面的形状没有特别的限定，可以为矩形、多角形、圆形、椭圆形等。”（实施方式1）间隔：“第2突起的平均突起间隔s优选为0.5～6μm。”（实施方式1，第2突起的描述）；实施例1-2中s=0.85μm。 | 对比文件直接公开了第1突起的横截面形状可为多边形（矩形、多角形）、圆形或椭圆形，这些形状由辊上图案决定。同时，第2突起的平均间隔s优选0.5～6μm（如0.85μm），完全落入0.001μm～10μm范围，这些小突起即为表面不规则处之间的间隔。因此该特征被直接公开。 |
| F：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm《直接公开》 | “第2突起的平均高度h：1.1μm”（实施例1-2）；“第2突起的平均高度h为0.5～6μm”（优选范围） | 对比文件公开的第2突起高度h（如1.1μm）实质对应第2突起之间的谷的深度（凸起顶部与相邻谷底的高度差）。该深度值位于0.001μm～10μm内，因此直接公开。 |
| G：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm《直接公开》 | “含有第2突起的第1突起的顶部的表面粗糙度Ra优选为0.3～5μm。”（实施方式1）；实施例1-1中Ra=1.7μm。 | 对比文件明确给出了Ra的优选范围0.3～5μm，且实施例给出了具体Ra=1.7μm，该值大于1μm且不超过10μm。因此，特征G所限定的数值范围（1<Ra≤10）已被对比文件公开的具体点（1.7μm）及其优选范围所覆盖，故直接公开。 |
| H：其中所述电极为正极和负极中的至少一种《直接公开》 | “本发明还涉及包含上述的电极、其对电极和电解质的电池。”（发明内容）；“本发明的电极很适合作为锂二次电池的负极。”（实施方式1末尾） | 对比文件明确指出其电极可作为负极，且电池中包含对电极（即正极）。因此，其电极可以是负极也可以是正极，满足“正极和负极中的至少一种”，直接公开。 |
| I：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4)《未公开》 | 对比文件列举的负极活性材料包括“碳如硬碳和石墨类碳；金属复合氧化物如LixFe2O3...；锂金属氧化物如Li4Ti5O12”等（背景技术及实施方式1，活性物质部分），但未记载通式LiaTibO4。 | 对比文件中虽然提到了锂金属氧化物，但未公开式4中LiaTibO4的具体形式（如Li4Ti5O12虽含Ti但不符合通式的化学计量），也没有给出该通式定义。因此本领域技术人员不能从对比文件中得到该特征。 |
| J：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5《未公开》 | 对比文件未记载式4及其a、b取值范围。 | 由于对比文件未公开式4的通式，其具体取值范围自然未被公开。 |
| K：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm《直接公开》 | “集电体的厚度没有特别的限定，例如一般为1～50μm。”（实施方式1）；实施例中使用18μm、20μm等厚度。 | 对比文件公开了集电体的厚度范围为1～50μm，该范围整体落入目标专利的3μm～500μm内，且实施例中的具体厚度（如18μm）也在其中。因此直接公开。 |
| L：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1)《未公开》 | 对比文件公开的正极活性物质包括“钴酸锂(LiCoO2)、镍酸锂(LiNiO2)、锰酸锂(LiMn2O4)等”（实施方式1，正极活性物质），未提及式1的尖晶石型锂锰复合氧化物。 | 对比文件没有公开式1所定义的含有Mn的尖晶石结构锂金属氧化物（如LiNi0.5Mn1.5O4），也未给出通式LixMyMn2-yO4-zAz。因此未公开。 |
| M：其中0.9≤x≤1.2，0（根据说明书应理解为<y<2,0≤z<0.2，M为Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi中的至少一种）《未公开》 | 对比文件未公开式1及其参数。 | 同L，对比文件未公开式1，故其各项参数（包括x、y、z范围和M元素选择）自然未被公开。 |
| N：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子《未公开》 | 对比文件未公开A的概念。 | 对比文件没有涉及A的定义或阴离子取代，因此未公开。 |
| O：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2)《未公开》 | 对比文件未公开式2。 | 对比文件未公开通式LixNiyMn2-yO4，因此未公开。 |
| P：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5《未公开》 | 对比文件未公开式2及其参数。 | 未公开。 |
| Q：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4《未公开》 | 对比文件未公开尖晶石型镍锰酸锂。 | 对比文件未公开这些具体化合物。 |
| R：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4《未公开》 | 对比文件未公开Li4Ti5O12以外的含钛锂氧化物，且未公开Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4。 | 对比文件未公开该两种具体化合物。 |
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