对比文件名称：WO2008078755A1_Description_20260621_2220，目标专利名称：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B，模型名称：DeepSeek
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料。**《直接公开》** | “本发明涉及一种电极，具有上述电极用集电器和集电器上承载的活性物质层。”（来源：说明书“本発明は、上記の電極用集電体と、その集電体に担持された活物質と、を有する電極にも関する。”） | 对比文件明确公开了电极由集电器和其上承载的活性材料层构成，与技术特征A的含义和构成完全相同。本领域技术人员可直接毫无疑义地确认。 |
| 技术特征B：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态。**《直接公开》** | “基材部和第一突起可以通过将一张金属片变形同时形成，例如，可以使用表面具有规则排列凹部的辊压金属片来获得第一突起。”（来源：说明书“基材部と第１突起とを、一枚の金属シートを変形させて同時に形成する場合、第１突起は、例えば、規則的なパターンで配列された凹部を表面に有するローラで、金属シートをプレスすることにより得ることができる。”）以及第二突起形成工序的描述。 | 对比文件公开了对集电器进行辊压、镀覆、喷砂等表面处理，从而在集电器整个表面形成包括第一突起和第二突起的凹凸形态，该处理的目的和效果与目标专利一致，即赋予集电器表面特定形态。因此直接公开。 |
| 技术特征C：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力。**《直接公开》** | “第二突起具有提高第一突起与活性物质之间密着性的作用，因此可以抑制活性物质因反复膨胀和收缩而从集电器上剥离。”（来源：说明书“第１突起よりも高さと径の小さな第２突起は、第１突起と活物質との密着性を向上させる働きを有する。よって、活物質が膨張と収縮とを繰り返す際に、集電体からの活物質の剥離が抑制される。”） | 对比文件明确说明其表面处理形成的突起结构（尤其是第二突起）能够改善活性材料与集电器之间的密着性（即粘附力），并抑制剥离。号与技术特征C所达到的效果相同，故直接公开。 |
| 技术特征D：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理。**《直接公开》** | “第一突起可以通过使用表面具有规则排列凹部的辊压金属片来获得。”（来源：说明书“規則的なパターンで配列された凹部を表面に有するローラで、金属シートをプレスすることにより得ることができる。”） | 对比文件直接描述了使用表面具有凹部（凹部相当于浮雕图案的一种形式，对应目标专利中辊上的浮雕形状）的辊对金属片（即集电器）进行加压，从而形成表面形态。该工艺与技术特征D的辊压方式以及“浮雕图案”的实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且中形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm。**《直接公开》** | 形状：第一突起的横截面形状可以是矩形、多角形、圆形、椭圆形等。（“第１突起の横断面の形状は、特に限定されないが、矩形、多角形、円形、楕円形などであってもよい。”）间隔：第二突起的平均突起间隔为0.5～6μm。（“第２突起の平均突起間隔ｓは、０．５～６μｍであることが好適である。”） | 对比文件明确教导了所形成突起（即不规则处）的截面形状包括多边形、圆形、椭圆形，与目标专利中图案截面形状一致。同时，第二突起之间的平均间隔0.5~6μm落入0.001~10μm的范围内，因此不规则处间隔的数值也被公开。故直接公开。 |
| 技术特征F：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm。**《直接公开》** | 第二突起的平均高度为0.5~6.4μm（实施例），十点平均粗糙度Rz2优选0.9~9μm。（“第２突起の平均高さｈ：１．１μｍ”等；“第２突起を含む第１突起の頂部の表面粗さ（十点平均高さ）Ｒｚ２は、０．９～９μｍが好ましい。”） | 对比文件第二突起的高度以及表面粗糙度数值均在0.001~10μm范围内；这些参数直接反映不规则处的谷（凹陷）的深度。因此谷的深度范围被直接公开。 |
| 技术特征G：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm。**《直接公开》** | 实施例中算数平均粗糙度Ra为1.7μm、1.8μm、2.2μm等（如实施例1-1：Ra=1.7μm；实施例1-6：Ra=1.8μm；实施例1-8：Ra=2.2μm），优选范围0.3~5μm。（来源：实施例及“第２突起を含む第１突起の頂部の表面粗さＲａは、０．３～５μｍが好適である。”） | 对比文件通过实施例明确公开了大于1μm且不大于10μm的Ra具体值（1.7μm、1.8μm等），且其优选范围上限为5μm，符合Ra大于1μm且不大于10μm的条件。因此直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述电极为正极和负极中的至少一种。**《直接公开》** | “正极可以包括正极集电器和其上承载的正极活性材料层。同样，负极可以包括负极集电器和其上承载的负极活性材料层。”（来源：说明书“正極は、正極集電体と、その上に担持された正極活物質層を含むことができる。同様に、負極は、負極集電体と、その上に担持された負極活物質層を含むことができる。”） | 对比文件指出其电极可以用于正极或负极，即电极为正极和/或负极，与技术特征H完全一致。故直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4)。**（未公开）** | 对比文件全文未出现锂钛氧化物的记载，负极活性材料均为Si、Sn及其氧化物/氮化物等。（来源：对比文件关于负极活性材料的描述全为Si/Sn系材料。） | 对比文件未公开以LiaTibO4为代表的负极活性材料，尽管其公开了多种负极活性物质，但完全不涉及该特定组成或通式。因此未直接也未隐含公开。 |
| 技术特征J：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5。**（未公开）** | （同上，无相关引用） | 由于特征I未公开，其子特征J自然未公开。 |
| 技术特征K：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm。**《直接公开》** | “集电器的厚度没有特别限制，但通常为1~50μm。从电极强度及体积能量密度看，厚度优选10~50μm，特别优选15~40μm。”（来源：说明书“集電体の厚みは、特に限定されないが、例えば、１～５０μｍが一般的である。…集電体の厚さは１０～５０μｍが好ましく、１５～４０μｍが特に好ましい。”） | 对比文件公开的集电器厚度范围（1~50μm，优选10~50μm）完全落入目标专利的3~500μm范围内。因此直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1)。**（未公开）** | 对比文件列举的正极活性材料为LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4等，未提到通式1所示的M取代尖晶石结构及其具体元素组成。（来源：说明书“正極活物質には、コバルト酸リチウム（ＬｉＣｏＯ２）、ニッケル酸リチウム（ＬｉＮｉＯ２）、マンガン酸リチウム（ＬｉＭｎ２Ｏ４）などのリチウム含有遷移金属酸化物を用いることができる。”） | 对比文件虽然公开了LiMn2O4，但未涉及M取代的尖晶石通式；且未给出任何关于式1的提示。因此未公开。 |
| 技术特征M：其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi。**（未公开）** | （无相关引用） | 特征M为特征L的具体参数限定，由于特征L未公开，该参数也未公开。 |
| 技术特征N：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子。**（未公开）** | （无相关引用） | 对比文件未提及式1中阴离子取代A，故未公开。 |
| 技术特征O：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2)。**（未公开）** | （无相关引用） | 对比文件未公开该具体通式。 |
| 技术特征P：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5。**（未公开）** | （无相关引用） | 由于特征O未公开，其子特征P也未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4。**（未公开）** | （无相关引用） | 对比文件没有任何提及这两种具体化合物。 |
| 技术特征R：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4。**（未公开）** | （无相关引用） | 特征R涉及负极活性材料的具体化合物，对比文件未提及锂钛氧化物，故未公开。 |
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