对比文件名称：2010-05-12_CN101705477A_发明公开_CN101705477A 一种在线检测与在线修补薄膜产品晶化率的系统及方法
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：专利创造性评估经验丰富的资深专利代理师分析模型
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《隐含公开》 | [0046]“例如多晶硅片的修补等” | 对比文件虽未整体描述太阳能电池，但明确提及多晶硅片。多晶硅片是太阳能电池中普遍采用的半导体基板，本领域技术人员可以合理推断该多晶硅片即为半导体基板且用于太阳能电池，因此隐含公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成（未公开） | [0002]“在使用PECVD沉积大面积非晶硅/微晶硅薄膜时” | 对比文件涉及薄膜沉积，但未公开任何控制钝化膜的结构、材料或功能，所述薄膜并非控制钝化膜，故未公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域（未公开） | [0001]“涉及一种用于在线检测非晶硅或微晶硅薄膜的晶化率” | 对比文件的微晶硅薄膜未设置在控制钝化膜上，且未公开掺杂形成相反导电类型的导电区域，故未公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未涉及半导体基板中的扩散区域，更未提及与控制钝化膜相邻的扩散区域，故未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第一扩散区域及其与第一导电区域的对应关系和掺杂浓度比较，故未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第二扩散区域及其对应关系和掺杂浓度，故未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未提及半导体基板中的导电类型或基极区域，故未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开扩散区域厚度比较，也未公开控制钝化膜中的掺杂部分，故未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开控制钝化膜的结构，故未公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何位于基板或半导体层上的绝缘膜结构，故未公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开控制钝化膜与绝缘膜的厚度比较及掺杂浓度比较，故未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开掺杂部分中的低掺杂与高掺杂部分，故未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未涉及厚度方向上的掺杂浓度分布及梯度比较，故未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开扩散区域与导电区域的厚度关系，故未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第一、第二扩散区域的间隔设置及基极区域的位置，故未公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开势垒区域和控制钝化膜的未掺杂部分，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开厚度方向掺杂浓度梯度的比较，故未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《隐含公开》 | [0001]“涉及一种用于在线检测非晶硅或微晶硅薄膜的晶化率”；[0043]“中心在520cm⁻¹附近的拉曼峰是晶体硅的特征峰” | 对比文件涉及微晶硅薄膜，微晶硅包含多晶相，且本领域公知其晶粒尺寸通常处于纳米量级（如数纳米至数百纳米）。本领域技术人员可合理推断该微晶硅薄膜具有纳米尺寸晶粒的多晶结构，故隐含公开了该半导体层的晶体特性。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开导电区域、控制钝化膜、扩散区域之间的掺杂浓度变化，故未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开掺杂分布的分段和梯度绝对值比较，故未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开扩散区域的厚度范围或与导电区域厚度的关系，故未公开。 |
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