### 对比文件名称
2015-12-24_JP2015233140A_发明专利_JP2015233140A 太陽電池の製造方法
### 目标专利名称
1655太阳能电池CN107845689B
### 本次调用的模型名称
未指定
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》** | [0015] “半導体基板110” （半导体基板110） | 对比文件明确记载了太阳能电池包括半导体基板110，该特征与目标专利的半导体基板完全相同，属于直接公开。 |
| **技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《直接公开》** | [0149] “半導体基板110の前面上に第1トンネル層52が形成され” （在半导体基板110的前表面上形成第一隧道层52）<br>[0150] “第1トンネル層52は、キャリアをトンネリングすることができる様々な物質を含むことができ、一例として、窒化物、半導体、伝導性高分子などを含むことができる。例えば、第1トンネル層52は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、真性非晶質半導体...” （第一隧道层52可以包括各种能够隧穿载流子的材料，例如氮化物、半导体、导电聚合物等。例如，第一隧道层52可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、本征非晶半导体...） | 对比文件公开了在半导体基板的一个表面（前面）上形成第一隧道层52，该隧道层由介电材料（如硅氧化物、硅氮化物等）形成。该隧道层在结构中起到控制载流子隧穿和钝化的作用，与目标专利中控制钝化膜的功能（控制掺杂剂扩散和载流子传送）实质相同，因此技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《直接公开》** | [0149] “第1トンネル層52上に第1導電型領域20が位置” （在第一隧道层52上定位有第一导电类型区域20）<br>[0155] “半導体基板110の後面上に第2トンネル層54が形成され、第2トンネル層54上に第2導電型領域30が位置” （在半导体基板110的后表面上形成第二隧道层54，在第二隧道层54上定位有第二导电类型区域30）<br>[0154] “第1導電型領域20は、第1トンネル層52上で半導体基板110と別個に形成される” （第一导电类型区域20与半导体基板110分离地形成在第一隧道层52上） | 对比文件明确公开了在隧道层（相当于控制钝化膜）上形成有半导体层，该半导体层包括第一导电类型区域20和第二导电类型区域30，两者具有相反的导电类型。该半导体层与基板分离，与目标专利中半导体层包括第一导电区域和第二导电区域的设置完全一致，属于直接公开。 |
| **技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《未公开》** | 对比文件全文未公开半导体基板内具有与控制钝化膜相邻的扩散区域。对比文件图9所示的结构中，基板110仅包含基极区域10，没有额外的扩散区域；图1所示的结构中，导电区域直接形成在基板内，但不存在分离的控制钝化膜，且其掺杂浓度较高，不同于目标专利中的低浓度扩散区域。 | 目标专利中的扩散区域是位于半导体基板内、与控制钝化膜相邻且掺杂浓度低于导电区域的区域。对比文件的所有实施方式均未描述或暗示这种结构。本领域技术人员无法从对比文件直接且毫无疑义地得出该技术特征，因此技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》** | 基于技术特征D未公开，且对比文件无相关记载。 | 由于扩散区域本身未被公开，其与导电区域的对应关系及掺杂浓度关系自然也不存在，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》** | 基于技术特征D未公开，且对比文件无相关记载。 | 同技术特征E，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》** | [0018] “ベース領域10は、第2導電型ドーパントを相対的に低いドーピング濃度で含んで第2導電型を有する” （基极区域10以相对低的掺杂浓度包含第二导电类型掺杂剂，并具有第二导电类型） | 对比文件直接公开了半导体基板包括具有第二导电类型的基极区域10，与目标专利的技术特征G完全相同，属于直接公开。 |
| **技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》** | 对比文件未公开扩散区域，也未公开控制钝化膜内具有局部掺杂部分。对比文件中的隧道层（控制钝化膜）未描述其包含掺杂部分。 | 该技术特征包含两个部分，均未被对比文件公开。由于扩散区域不存在，有关扩散区域厚度的比较以及控制钝化膜内掺杂部分的设置均未记载，因此技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《隐含公开》** | [0150] 提及隧道层可以是“真性非晶質半導体”，但主要用于半导体材料。对于介电隧道层，通常通过热氧化或沉积形成，如硅氧化物膜，其本质为非晶结构。对比文件未明确说明其结晶状态，但本领域公知，用于钝化或隧穿的薄介电膜（如SiO₂）在常规工艺下为非晶结构。 | 虽然对比文件未明示控制钝化膜（隧道层）的结晶结构，但本领域技术人员根据公知常识可以合理推断，通过热氧化或低温沉积形成的薄介电膜（如硅氧化物、硅氮化物）通常具有非晶结构。目标专利明确指出控制钝化膜可由非晶结构组成，对比文件隐含了该特征，因此技术特征I被隐含公开。 |
| **技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》** | [0035] “第1パッシベーション膜22及び反射防止膜24が順次形成” （第一钝化膜22和抗反射膜24依次形成）<br>[0131] “第2パッシベーション膜32” （第二钝化膜32） | 对比文件公开了在半导体基板的前表面（半导体层上）形成第一钝化膜22和抗反射膜24，在半导体基板的后表面（半导体层上）形成第二钝化膜32，这些均为绝缘膜，与目标专利的绝缘膜对应，属于直接公开。 |
| **技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《未公开》** | 对比文件[0152]公开隧道层厚度“5nm以下”，[0041]公开第一钝化膜厚度“50nm〜200nm”，隐含隧道层更薄。但对比文件未公开隧道层（控制钝化膜）包含掺杂浓度高于绝缘膜的部分。 | 该技术特征包含两个部分。第一部分（控制钝化膜比绝缘膜薄）可被隐含公开（基于厚度数值对比）。第二部分（控制钝化膜包括掺杂浓度高于绝缘膜的部分）在对比文件中完全没有记载。由于两部分必须同时满足，整体技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》** | 对比文件未公开控制钝化膜内具有掺杂部分，更未公开掺杂部分内具有高低掺杂浓度区域。 | 目标专利中的掺杂部分位于控制钝化膜内，且具有浓度梯度。对比文件中的隧道层未提及任何掺杂，因此技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》** | 对比文件未公开扩散区域，也未公开沿厚度方向的掺杂浓度分布特征。 | 由于扩散区域不存在，且对比文件未描述导电区域、控制钝化膜和基板之间的掺杂浓度变化关系，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》** | 对比文件未公开扩散区域，因此无法比较厚度。 | 技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《未公开》** | 对比文件未公开扩散区域，因此无间隔设置。 | 技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《未公开》** | 对比文件未公开势垒区域。图9中第一导电区域20和第二导电区域30分别位于基板的前后表面，之间不存在势垒区域。控制钝化膜（隧道层）也未描述未掺杂部分。 | 技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》** | 对比文件未公开扩散区域，因此无浓度梯度比较。 | 技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《隐含公开》** | [0154] “第1導電型領域20は、非晶質半導体、微細結晶半導体、または多結晶半導体” （第一导电类型区域20可以由非晶半导体、微晶半导体或多晶半导体形成） | 对比文件公开了导电区域（半导体层）可由微晶半导体（微細結晶半導体）形成。本领域公知，微晶半导体通常具有纳米尺寸的晶粒（如1nm至数百nm）。目标专利要求纳米尺寸晶粒（1nm至小于1μm），微晶半导体落入该范围。因此，虽然对比文件未明确标注“纳米”，但本领域技术人员可以合理推断微晶半导体具有纳米晶粒，技术特征R被隐含公开。 |
| **技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》** | 对比文件未公开扩散区域，也未公开沿该路径的掺杂分布。 | 技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》** | 对比文件未公开扩散区域，也未公开两种不同的掺杂分布及其浓度梯度关系。 | 技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《未公开》** | 对比文件未公开扩散区域，因此无厚度数值或比较。 | 技术特征U未被公开。 |
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### 公开性代码
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、G、J，隐含公开了技术特征I、R。其他技术特征未被公开。
因此，在回答结尾插入以下代码：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<G>>><<<J>>>
<<<i>>><<<r>>>