对比文件名称：2014-12-11_US2014360570A_发明申请_US20140360570A1 SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：AI-Agent（基于公开信息分析）
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | 段落[0019]：“a solar cell 100 includes a semiconductor substrate 10”。翻译：太阳能电池100包括半导体基板10。 | 对比文件明确公开了太阳能电池包括半导体基板，与目标专利的技术特征A完全相同，因此直接公开。 |
| 特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《未公开》 | 对比文件公开了钝化膜32（段落[0031]），但其形成在导电区域上，是覆盖第一和第二导电区域的绝缘膜，并非位于半导体基板和导电区域之间的控制钝化膜。 | 目标专利的控制钝化膜位于半导体基板与半导体层之间，用于控制掺杂剂扩散和载流子传送，由介电材料形成。对比文件的钝化膜仅用于钝化和绝缘，位置和功能均不同，未公开该特征。 |
| 特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《未公开》 | 对比文件的第一和第二导电区域22、24通过离子注入直接形成在半导体基板中（段落[0027]），或者可形成非晶硅层（段落[0029]），但非晶硅层直接形成在基板后表面，没有控制钝化膜。 | 目标专利的半导体层形成在控制钝化膜上，导电区域位于该半导体层中。对比文件未公开在控制钝化膜上设置半导体层，其导电区域由基板掺杂形成或直接形成在基板上，缺少控制钝化膜，因此未公开。 |
| 特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《未公开》 | 对比文件未公开任何与导电区域对应的扩散区域。 | 目标专利的扩散区域是半导体基板中与控制钝化膜相邻的低浓度掺杂区，与导电区域对应。对比文件没有此类扩散区域，其导电区域本身就是掺杂区，未公开。 |
| 特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域，也未公开扩散区域与导电区域的对应关系及掺杂浓度比较。 | 该特征依赖于扩散区域的存在，对比文件未公开扩散区域，故未公开。 |
| 特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域，也未公开扩散区域与导电区域的对应关系及掺杂浓度比较。 | 同特征E，未公开。 |
| 特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | 段落[0020]：“the base region 110 may include silicon containing a second conductive dopant” and “the base region 110 may be of an n-type”。翻译：基极区域110可包含第二导电掺杂剂，并且可为n型。 | 对比文件明确公开了半导体基板包括具有第二导电类型的基极区域，与目标专利特征G一致，直接公开。 |
| 特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域厚度比较，也未公开控制钝化膜中的掺杂部分。 | 该特征同时要求扩散区域厚度关系和控制钝化膜掺杂部分，对比文件均未公开，故未公开。 |
| 特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《未公开》 | 对比文件未公开控制钝化膜的结构。 | 对比文件未公开控制钝化膜，更未涉及其非晶结构，故未公开。 |
| 特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | 段落[0024]公开了抗反射膜60，段落[0031]公开了钝化膜32。翻译：抗反射膜60形成在半导体基板前表面，钝化膜32形成在半导体基板后表面。 | 对比文件明确公开了在半导体基板上设置绝缘膜（抗反射膜和钝化膜），与目标专利特征J相符，直接公开。 |
| 特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《未公开》 | 对比文件未公开控制钝化膜及其厚度和掺杂浓度关系。 | 该特征依赖于控制钝化膜的存在及与绝缘膜的对比，对比文件未公开控制钝化膜，故未公开。 |
| 特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》 | 对比文件未公开控制钝化膜的掺杂部分。 | 对比文件未公开控制钝化膜，更未涉及其掺杂部分的高低浓度分布，故未公开。 |
| 特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开这样的掺杂分布。 | 该特征涉及控制钝化膜和扩散区域的特定掺杂分布，对比文件未公开控制钝化膜和扩散区域，故未公开。 |
| 特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域。 | 对比文件未公开扩散区域，无法比较厚度，故未公开。 |
| 特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域及其间隔关系。 | 对比文件未公开扩散区域，故未公开。 |
| 特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《未公开》 | 段落[0027]公开了隔离区域36设置在第一和第二导电区域之间，但未公开控制钝化膜及其未掺杂部分。 | 对比文件虽公开了势垒区域（隔离区域），但未公开控制钝化膜中的未掺杂部分，该特征要求两者兼具，故整体未公开。 |
| 特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域及其掺杂浓度梯度。 | 对比文件未公开扩散区域，故未公开。 |
| 特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《未公开》 | 段落[0029]提及可形成非晶硅层，但未提及其多晶结构和晶粒尺寸。 | 对比文件未公开半导体层，仅在替代方案中提及非晶硅层，但未描述其晶粒尺寸或是否为多晶结构，故未公开。 |
| 特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》 | 对比文件未公开这样的掺杂分布。 | 该特征依赖控制钝化膜和扩散区域，对比文件未公开，故未公开。 |
| 特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开这样的掺杂分布。 | 同特征S，未公开。 |
| 特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域厚度。 | 对比文件未公开扩散区域，故未公开。 |
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