对比文件名称：2016-05-12_WO2016072415A_发明申请_WO2016072415A1 光電変換素子
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
调用的模型名称：资深专利代理师评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | 【0027】“光電変換素子1は、シリコン基板11、…を備える。”<br>翻译：光电转换元件1包括硅基板11、… | 对比文件明确公开了半导体基板（硅基板），与目标专利的半导体基板实质相同，均作为光伏转换的基础结构，作用一致。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《直接公开》 | 【0031】“パッシベーション層13は、シリコン基板11の熱酸化膜で構成されている。…厚さは例えば1～20nmが好ましく、1～3nmがより好ましい。”<br>翻译：钝化层13由硅基板11的热氧化膜构成。厚度例如优选1～20nm，更优选1～3nm。 | 对比文件公开了位于半导体基板一个表面（背面）上的钝化层，该层由热氧化膜（介电材料SiO₂）形成，属于介电膜，目标专利中控制钝化膜同样为介电材料形成的钝化膜，两者在材料、位置和钝化作用上实质等同。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《直接公开》 | 【0032】“パッシベーション層13の上には、面内方向において、ｎ型半導体層（第１非晶質半導体層）１５ｎとｐ型半導体層（第２非晶質半導体層）１５ｐが交互に隣接して形成されている。”<br>翻译：在钝化层13上，在面内方向，n型半导体层（第一非晶半导体层）15n和p型半导体层（第二非晶半导体层）15p交互相邻形成。 | 对比文件明确公开了在钝化层上形成的第一导电类型（n型）和第二导电类型（p型）半导体层，它们分别构成第一导电区域和第二导电区域，与目标专利的导电区域设置完全一致，作用相同。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《未公开》 | 对比文件全文未提及在半导体基板内部形成与钝化膜相邻的扩散区域；【0060】明确“ｐ型半導体層１５ｐに含有されるボロン等の不純物がシリコン基板１１に拡散することを抑制する”（抑制硼等杂质向硅基板扩散）。 | 对比文件有意避免杂质向基板扩散，没有公开任何在基板内形成的扩散区域（第一扩散区域、第二扩散区域）。本领域技术人员从对比文件无法得到该技术特征，也未合理推断出该特征。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开任何基板内的扩散区域。 | 基于特征D，对比文件不存在第一扩散区域，因此更未公开其局部形成方式及掺杂浓度关系。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开任何基板内的扩散区域。 | 基于特征D，对比文件不存在第二扩散区域，因此更未公开其局部形成方式及掺杂浓度关系。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | 【0028】“シリコン基板11は、例えば、ｎ型の単結晶シリコン基板である。”<br>翻译：硅基板11例如是n型单晶硅基板。 | 对比文件明确公开了半导体基板为n型（第二导电类型），该基板本身构成基极区域，与目标专利中基极区域具有第二导电类型完全一致，作用相同。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》 | 对比文件未公开任何扩散区域，也未公开钝化膜中具有局部掺杂部分；钝化膜为未掺杂的热氧化膜（【0031】）。 | 因不存在扩散区域，比较厚度无从谈起；钝化膜整体为未掺杂膜，没有局部掺杂部分。该技术特征整体未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《直接公开》 | 【0031】“パッシベーション層13は、シリコン基板11の熱酸化膜で構成されている。”<br>热氧化膜（二氧化硅）通常为非晶结构；【0060】还提到等离子体氮化形成SiON膜，仍为非晶。 | 对比文件中的钝化层由热氧化硅形成，本领域公知热氧化硅为非晶结构，属于非晶膜，与目标专利的非晶钝化膜实质相同，作用相同。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | 【0122】“ｎ型半導体層１５ｎ及びｐ型半導体層１５ｐを覆い、…絶縁膜１７を形成する。”<br>翻译：覆盖n型半导体层15n和p型半导体层15p，形成绝缘膜17。<br>【0029】还公开了受光面上的ARC12（氮化硅膜）。 | 对比文件明确公开了在半导体层上（或基板受光面）形成绝缘膜（如绝缘膜17、ARC12），与目标专利的绝缘膜作用相同（钝化、绝缘）。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《未公开》 | 【0031】钝化膜厚度2nm；【0029】ARC12厚度60nm，钝化膜更薄，但对比文件中钝化膜为未掺杂的热氧化膜，不含高于绝缘膜的掺杂浓度部分。 | 虽然厚度条件成立，但对比文件中控制钝化膜（钝化层）不含掺杂，不存在掺杂浓度高于绝缘膜的部分，因此该技术特征整体未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》 | 对比文件未公开钝化膜具有任何掺杂部分，更未区分低掺杂部分和高掺杂部分。 | 对比文件无相关技术内容，本领域技术人员不能毫无疑义地得出或合理推断出该特征。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开基板内的扩散区域，也未公开从导电区域穿过钝化膜向基板内部的掺杂浓度分布。 | 因不存在扩散区域，无法形成所述的掺杂浓度分布及梯度比较，该特征未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域。 | 无扩散区域，比较厚度不成立。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域。 | 无扩散区域，间隔设置无从谈起。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《隐含公开》 | 【0032】“隣接するｎ型半導体層１５ｎとｐ型半導体層１５ｐは、所定の距離（Ｇ）を隔てて配置されている。”<br>翻译：相邻的n型半导体层15n和p型半导体层15p隔开预定距离（G）配置。<br>【0031】钝化膜13为未掺杂的热氧化膜。 | 对比文件中n型与p型半导体层之间存在间距G，该间距起到防止直接接触分流的势垒作用，可视为势垒区域；该间距下方的钝化膜未掺杂，构成未掺杂部分。虽未明确定义“势垒区域”和“未掺杂部分”，但本领域技术人员可合理推知该结构，因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域。 | 无扩散区域，梯度比较不成立。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《隐含公开》 | 【0037】“ｎ型及びｐ型の非晶質半導体層には、微結晶相が含まれてもよい。また、微結晶相は、平均粒子径が１～５０ｎｍである結晶を含む。”<br>翻译：n型及p型非晶半导体层可以包含微晶相。该微晶相包含平均粒径1～50nm的结晶。 | 对比文件明确指出非晶半导体层可包含微晶相，该微晶相平均粒径1～50nm（纳米尺寸），属于多晶结构。目标专利的半导体层同样可包含纳米尺寸多晶部分。虽然对比文件以非晶为主，但已公开了纳米晶粒存在的可能性，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域及对应的掺杂分布。 | 无扩散区域，无法形成所述掺杂分布。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域，也未公开掺杂分布的分段及梯度比较。 | 缺乏扩散区域基础，该精细掺杂分布特征无法得出。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域。 | 无扩散区域，厚度条件不成立。 |
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