## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：衬底** 《直接公开》 | [0046] "……the LED comprises a substrate 21……" 译文：“LED包括衬底21”。 | 对比文件明确记载了衬底21，该衬底用于支撑发光单元，与目标专利的衬底作用完全相同，属于直接公开。 |
| **技术特征B：在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元** 《直接公开》 | [0046] "……half-wave light emitting cells 100a, 100b and 100c and full-wave light emitting cells 200, which are arranged on the substrate 21. The light emitting cells … are electrically connected to one another by wires……" 译文：“半波发光单元100a、100b、100c和全波发光单元200，布置在衬底21上。这些发光单元通过导线彼此电连接”。 | 对比文件公开了在衬底21上布置有多个发光单元（半波/全波），这些单元通过台面蚀刻相互隔离，形成彼此间隔的结构，与目标专利中“设置为彼此间隔开的多个发光单元”一致，直接公开。 |
| **技术特征C：构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线** 《直接公开》 | [0046] "……electrically connected to one another by wires 51 to 59……" 以及[0047]-[0050]中详细描述了导线（wires）如何连接相邻的发光单元（例如导线52连接相邻半波单元的阳极，导线53连接全波单元与半波单元等）。译文：“通过导线51-59彼此电连接”。 | 对比文件的导线（wires）明确用于电连接相邻发光单元，其功能与目标专利中的连接线完全相同，属于构造为电连接相邻发光单元的连接线，直接公开。 |
| **技术特征D：其中发光单元中的未通过连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于发光单元中的通过连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和** 《未公开》 | 对比文件全文及附图均未涉及未连接相邻单元与已连接相邻单元在特定方向上的长度之和的比较。 | 对比文件未记载单元长度之和的关系，也无相应技术启示，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得到该特征，故未公开。 |
| **技术特征E：其中第一相邻发光单元和第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的** 《未公开》 | 对比文件未提及单元宽度的比较。 | 对比文件没有公开或暗示第一、第二相邻发光单元在第二方向上宽度相同，故未公开。 |
| **技术特征F：所述第二方向不同于所述第一方向；并且中发光单元中的未通过连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的面积大于发光单元中的通过连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的面积** 《未公开》 | 对比文件[0100]提到全波发光单元的面积可以大于半波发光单元，但这是不同类型单元（全波与半波）的比较，并非基于是否通过连接线相邻的分类。 | 对比文件未公开未通过连接线连接的第一相邻单元与通过连接线连接的第二相邻单元之间的面积关系，也未公开方向的区分，故未公开。 |
| **技术特征G：其中发光单元中的未通过连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比发光单元中的通过连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小** 《隐含公开》 | [0048] "The half-wave light emitting cells 100a and 100b form a pair and share a cathode terminal 120." 结合图5，共享阴极的发光单元对100a和100b之间没有单独的导线连接，且其间距极小（仅工艺隔离所需）；而通过导线连接的相邻单元（如100a与200之间的垂直间距）明显较大。 | 本领域技术人员从对比文件图5及说明书可直接看到：共享阴极的未连接对之间的间隔很小，而通过导线连接的相邻单元之间的间隔较大。根据隐含公开的宽松标准，可以合理推断出未通过连接线连接的相邻单元间隔小于通过连接线连接的相邻单元间隔，因此特征G被隐含公开。 |
| **技术特征H：其中第一相邻发光单元在第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于第二相邻发光单元在第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离** 《未公开》 | 对比文件未定义第一方向，且未在第一方向上设置未通过连接线连接的相邻单元（共享阴极对仅在第二方向相邻）。 | 目标专利要求第一相邻单元在第一方向上间隔，而对比文件中第一方向（如垂直方向）的相邻单元均通过连接线连接，不存在未连接的第一方向相邻对，故该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其中第一相邻发光单元在第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于第二相邻发光单元在第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离** 《未公开》 | 同特征H，第一方向上不存在未连接相邻单元。 | 理由同特征H，未公开。 |
| **技术特征J：其中第一相邻发光单元在第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于第二相邻发光单元在第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离** 《未公开》 | 同特征H，内容重复。 | 理由同特征H，未公开。 |
| **技术特征K：第一间隔距离小于第二相邻发光单元在第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离** 《未公开》 | 同特征I，内容重复。 | 理由同特征H，未公开。 |
| **技术特征L：其中2-1间隔距离和2-2间隔距离是相同的** 《未公开》 | 对比文件未提及2-1和2-2间隔，也未比较。 | 对比文件无任何记载或暗示，故未公开。 |
| **技术特征M：其中2-1间隔距离和2-2间隔距离是彼此不同的** 《未公开》 | 对比文件未提及。 | 虽然实际布局中垂直与水平间隔可能不同，但对比文件未明确公开该区别，不足以使本领域技术人员毫无疑义地确定，故未公开。 |
| **技术特征N：其中第二相邻发光单元在第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离** 《隐含公开》 | 图5中，半波单元100a与全波单元200通过导线1221连接，二者在垂直方向（第一方向）上存在间隔。 | 通过导线连接的相邻单元在第一方向上必然存在间隔，本领域技术人员从附图可明确无误地认识到该间隔的存在，尽管没有命名，但该特征的概念已被隐含公开。 |
| **技术特征O：第一间隔距离与2-1间隔距离相同** 《未公开》 | 对比文件中未连接对间隔明显小于连接垂直间隔，两者不同。 | 对比文件未公开相等关系，故未公开。 |
| **技术特征P：其中第二相邻发光单元在第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离** 《隐含公开》 | 图5中，导线52连接相邻对半波单元的阳极，这些单元在水平方向（第二方向）上间隔开。 | 同特征N，本领域技术人员可识别出该间隔的存在，故隐含公开。 |
| **技术特征Q：第一间隔距离与2-2间隔距离相同** 《未公开》 | 对比文件中未连接对间隔小于水平连接间隔，两者不同。 | 对比文件未公开相等关系，故未公开。 |
| **技术特征R：其中第一间隔距离是第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大** 《未公开》 | 对比文件未涉及任何比例关系。 | 对比文件未公开该数值范围，故未公开。 |
| **技术特征S：比第二间隔距离小** 《未公开》 | 同特征G，但本特征独立列出。 | 特征S为特征G的一部分，对比文件未公开“比第二间隔距离小”这一独立表述，但特征G已涵盖。为严格按特征划分，认为未直接公开（因G仅隐含公开）。 |
| **技术特征T：其中第一方向是垂直方向** 《未公开》 | 对比文件未指定方向，也未将垂直方向定义为第一方向。 | 对比文件无相关记载，故未公开。 |
| **技术特征U：所述第二方向是水平方向** 《未公开》 | 对比文件未指定方向。 | 同特征T，未公开。 |
| **技术特征V：其中第一相邻发光单元的数目比第二相邻发光单元的数目大** 《未公开》 | 对比文件未统计或比较不同类别相邻单元的数目。 | 对比文件未公开，本领域技术人员无法从对比文件中合理推断该数量关系。 |
| **技术特征W：其中发光单元中的每个发光单元包括** 《直接公开》 | [0063] "each of the half-wave light emitting cells 100a, 100b and 100c and the full-wave light emitting cells 200 comprises a lower semiconductor layer 23, an active layer 25 and an upper semiconductor layer 27." 译文：“每个半波发光单元和全波发光单元包括下半导体层23、有源层25和上半导体层27”。 | 对比文件明确每个发光单元均包含多层结构，与目标专利的“每个发光单元包括”直接对应，直接公开。 |
| **技术特征X：包括依次设置在衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构** 《直接公开》 | [0063]-[0064]详细描述了在衬底21上依次设置下半导体层23（n型）、有源层25、上半导体层27（p型）。译文：“下半导体层23可以成为n型半导体层，上半导体层27可以成为p型半导体层”。 | 对比文件公开了依次堆叠的n型层、有源层、p型层，其顺序和材料均与目标专利一致，直接公开发光结构。 |
| **技术特征Y：设置在第一导电型半导体层上的第一电极** 《直接公开》 | [0064] "Anode terminals 110 are positioned on the half-wave light emitting cells 100a and 100b……a cathode terminal is positioned in the middle……" 以及[0047]定义阴极为n-electrode pad 120，阳极为p-electrode pad 110。结合图5，n-electrode pad 120设置在下半导体层23上。 | 第一电极（n电极pad）明确设置在第一导电型（n型）半导体层上，直接公开。 |
| **技术特征Z：设置在第二导电型半导体层上的第二电极** 《直接公开》 | 同上，p-electrode pad 110设置在上半导体层27或透明电极层29上（第二导电型p型层上）。 | 第二电极（p电极pad）设置在第二导电型（p型）半导体层上，直接公开。 |
**结论：**
- 对比文件直接公开技术特征：A、B、C、W、X、Y、Z。
- 对比文件隐含公开技术特征：G、N、P。
- 其他特征（D、E、F、H、I、J、K、L、M、O、Q、R、S、T、U、V）未被公开。
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