对比文件名称：2012-07-25_EP2479763A_发明公开_EP2479763A1 TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND DEVICE COMPRISING SAME
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面《直接公开》 | [0021] “upon removing impurities by cleaning the n-type monocrystalline silicon substrate, a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer and a p-type amorphous silicon layer are formed in this order on n-type monocrystalline silicon substrate by using the RF plasma CVD method.” | 对比文件中明确公开了“n-type monocrystalline silicon substrate”（n型单晶硅半导体基板），该基板包含n型导电类型杂质（第一导电类型）。基板自然具有相对的前表面和后表面（在后续加工中明确区分）。因此，该技术特征已被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上《直接公开》 | [0013] “a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer and a p-type amorphous silicon layer, in this order.” [0021] “a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer and a p-type amorphous silicon layer are formed in this order on n-type monocrystalline silicon substrate” | 对比文件公开了在半导体基板前表面（n型单晶硅上）依次形成本征非晶硅层和p型非晶硅层，其中p型非晶硅层即为前掺杂层（第二导电类型），直接设置在本征层上（即间接在基板前表面）。因此前掺杂层被直接公开。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件全文仅涉及半导体基板前表面的膜层形成（i层和p层），从未提及在基板后表面设置任何掺杂层。本领域技术人员不能从对比文件中推理出后掺杂层，更无直接或隐含公开。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度《隐含公开》 | [0013] “2 is a transparent conductive film formed on substrate body 1.” [0041] “the transparent conductive film including a transparent conductive film having a texture structure, a first type amorphous silicon layer, a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer, and another amorphous silicon layer having an opposite type to the first type, and a transparent conductive film formed on a glass substrate, in this order, may be used in a thin film solar cell.” | 对比文件公开了在p型非晶硅层（前掺杂层）上形成透明导电膜2，该透明导电膜在太阳能电池中通常具有抗反射功能（且在具有纹理结构时防反射效果更佳），因此隐含公开了该层为防反射层。然而，对比文件未提及该层的具体厚度（第一厚度），故厚度数值未公开，但防反射层的存在及其位置被隐含公开。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未描述任何电极结构（如指状电极、汇流条等），也未公开在前透明导电层上形成收集器电极。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及后掺杂层，也未涉及任何设置在后表面的反射层。因此无公开。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开后收集器电极。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成《无公开》 | [0013] “2 is a transparent conductive film formed on substrate body 1.” | 对比文件仅公开了一个设置在基板前表面的透明导电膜（即防反射层），未公开任何设置在基板后表面的透明导电层（反射层）。因此，不能公开“防反射层和反射层各自由透明导电层形成”这一具有两个透明导电层的特征。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度《无公开》 | [0015] “transparent conductive film 2 includes hydrogen (H), cerium (Ce), indium (In), and oxygen (O)” | 对比文件的透明导电膜含有氧，但氧是氧化物固有成分，未提及通过控制氧含量来调控电学和光学特性（对比文件主要通过氢和铈控制）。且对比文件仅有一个透明导电层，不存在两个层厚度的比较。因此无公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及任何关于氧含量在不同层中比较的内容。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及吸光率比较。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开薄膜电阻比较，也未公开第二厚度的具体数值范围。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成《无公开》 | [0015] “transparent conductive film 2 includes hydrogen (H), cerium (Ce), indium (In), and oxygen (O)” | 对比文件仅公开一种透明导电膜材料，但并未公开该材料同时用于防反射层和反射层（因为根本未公开反射层）。因此无公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层《无公开》 | [0015] “transparent conductive film 2 includes hydrogen (H), cerium (Ce), indium (In), and oxygen (O), and contains indium oxide (In2O3) doped with hydrogen (H)and cerium (Ce)as impurities.” | 对比文件公开了透明导电膜由In2O3为主成分并含Ce和H杂质，这属于技术特征N中列举的一种材料（含Ce或H）。但是该技术特征要求防反射层和反射层都由该材料形成，而对比文件仅有一层，未公开反射层。因此该特征整体未被公开。如果仅看材料本身，对比文件公开了该材料，但无法用于两个层。 |
| **技术特征O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及Ti或Ta。 |
| **技术特征P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及ZnO基材料。 |
| **技术特征Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及SnO2基材料。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何电极结构。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开电极排列方向。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开汇流条电极。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何厚度数值。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间《直接公开》 | [0013] “a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer and a p-type amorphous silicon layer, in this order.” [0021] “a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer and a p-type amorphous silicon layer are formed in this order on n-type monocrystalline silicon substrate” | 对比文件中的“substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer”即为本征非晶硅层，其位于p型非晶硅层（前掺杂层）和n型单晶硅基板之间，起到钝化作用。因此前钝化层被直接公开。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间《无公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及后掺杂层，因此也无后钝化层。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成《隐含公开》 | [0013] “a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer and a p-type amorphous silicon layer” [0021] “a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer and a p-type amorphous silicon layer” | 对比文件直接公开了前掺杂层（p-type amorphous silicon）由包含杂质的非晶硅形成，前钝化层（i-type amorphous silicon）由本征非晶硅形成。这完全符合特征X中“前掺杂层由包含杂质的非晶硅形成”和“前钝化层由本征非晶硅形成”的部分。但特征X同时要求后掺杂层和后钝化层也具有相同性质，而对比文件未公开后侧层，因此仅隐含公开（即对比文件给出了前侧的结构，本领域技术人员可能类推后侧结构，但对比文件并未必然公开后侧层由非晶硅/本征非晶硅形成）。基于宽松隐含标准，可以认为对比文件的部分公开（即前侧结构）使得该特征被部分公开，但更严格地说，由于后侧完全缺失，不宜认定整个技术特征被公开。此处我们按照“只要有可能则认为隐含公开”，但对比文件完全没有提及后侧层，所以不能推断后侧层也由相同材料形成。因此认为无公开。为严谨，判为无公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面《无公开》 | [0041] “the transparent conductive film including a transparent conductive film having a texture structure” | 对比文件提及透明导电膜具有纹理结构，但未提及半导体基板表面被纹理化。基板纹理化是不同于膜纹理化的概念，通常需要额外工艺（如蚀刻）。对比文件没有公开基板表面纹理化，也没有暗示。因此无公开。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面《无公开》 | [0041] “the transparent conductive film including a transparent conductive film having a texture structure” | 对比文件仅公开前透明导电膜可能具有纹理结构，但未公开后透明导电膜（反射层）是否具有纹理结构。因此仅部分公开，且由于反射层缺失，整体特征未被公开。 |
### 公开性代码总结
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征A、B、V；隐含公开了技术特征D；其他技术特征均未公开。
因此，在回答的结尾插入以下代码：
<<<A>>><<<B>>><<<V>>>
<<<d>>>