对比文件的名称：2003-04-04_JP2003101048A_发明专利_JP2003101048A Method for manufacturing photovoltaic device
目标专利的名称：1666太阳能电池CN107039542B
模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面。**公开性：未公开** | 【0012】“首先，准备约1Ω·cm、厚度300μm的n型(100)硅晶圆，通过常规清洗去除杂质，制备基板1。” | 对比文件公开了n型晶体硅基板（包含第一导电类型杂质）及前后面，但未公开该基板应用于“双面太阳能电池”。对比文件后续描述的前电极和背面电极结构（背面为全面铝电极）表明其装置为单面太阳能电池，因此特征A中的“双面太阳能电池”限定未被公开。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上。**公开性：直接公开** | 【0013】“接着，在基板1的一个表面上，通过等离子体CVD方法依次形成i型非晶硅层2和p型非晶硅层3。” | 对比文件明确在基板前表面形成p型非晶硅层（前掺杂层），直接公开了该特征。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上。**公开性：直接公开** | 【0029】“此外，在基板背面形成i型非晶硅、n型非晶硅、透明导电膜、集电极的情况下，也可以在背面侧应用本发明。” | 对比文件明确教导可在背面形成n型非晶硅层（后掺杂层），虽非主要实施例，但作为可选方案直接公开了该结构，本领域技术人员可直接获得后掺杂层设置于基板后表面的技术方案。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度。**公开性：直接公开** | 【0014】“在p型非晶硅层3上，通过溅射法形成透明导电膜4。……膜厚约1000Å的ITO膜。” | 对比文件在p型非晶硅层上形成ITO透明导电膜，该膜具有减反射作用（公知常识），且具有厚度（1000Å），直接公开了防反射层及其厚度和设置位置。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上。**公开性：直接公开** | 【0017】“在透明导电膜4上形成梳形集电极5和汇流条电极作为正侧电极。” | 对比文件在透明导电膜（防反射层）上形成集电极（前收集器电极），直接公开。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度。**公开性：直接公开** | 【0029】“在基板背面形成i型非晶硅、n型非晶硅、透明导电膜、集电极的情况下……” | 对比文件教导的背面结构中，透明导电膜形成于n型非晶硅（后掺杂层）下面，起后反射作用（隐含），直接公开了反射层设置于后掺杂层下面（可选方案）。厚度未具体指定，但公开了该层的存在。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面。**公开性：直接公开** | 【0029】同上，提及背面形成“集电极”。 | 在对比文件公开的背面方案中，集电极形成在透明导电膜（反射层）下面，直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成。**公开性：直接公开** | 【0014】“形成透明导电膜4（ITO）”；【0029】“在背面形成……透明导电膜”。 | 对比文件的前层（防反射层）和后层（反射层）均被明确称为透明导电膜，因此各自由透明导电层形成。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度。**公开性：未公开** | 【0014】形成ITO时使用Ar和O2（O2流量50sccm以下）；【0017】前层厚度约1000Å；无后层厚度及比较。 | 对比文件虽在形成ITO时采用O2，但未公开氧含量与电学、光学特性的控制关系，亦未公开后层厚度或与前层厚度的比较，特征I的两个方面均未被公开。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量。**公开性：未公开** | 对比文件全文未涉及前后透明导电层氧含量的比较。 | 无任何直接或暗示内容。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率。**公开性：未公开** | 对比文件未公开吸光率比较。 | 无相关教导。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。**公开性：未公开** | 对比文件通过氧等离子体处理改变端部电阻，但未公开前后层薄膜电阻比较；后层厚度未指定。 | 无公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成。**公开性：直接公开** | 【0014】前层为ITO；【0029】后层可为ITO（透明导电膜）。 | 对比文件前层明确为ITO，后层在可选方案中可同样使用ITO，本领域技术人员可直接选用相同材料形成前后层，因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层。**公开性：直接公开** | 【0014】“形成ITO膜”（ITO即In2O3:Sn）。 | 对比文件前层为含Sn的In2O3，后层也可为ITO（或可选其他），直接公开了该材料选项（含Sn）用于前后层。其他杂质（Zn、W等）未明确，但特征N为并列选项，Sn选项已公开。 |
| 技术特征O：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层。**公开性：未公开** | 对比文件未提及Ti或Ta掺杂。 | 无公开。 |
| 技术特征P：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层。**公开性：隐含公开** | 【0029】“当然也可以使用ZnO膜。” | 对比文件公开了可以使用ZnO膜，虽未明确掺杂，但本领域技术人员公知ZnO透明导电膜通常掺杂Al、B、Ga等以提高导电性，结合对比文件的教导，合理推断该ZnO膜可能包含适当掺杂，因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。**公开性：未公开** | 对比文件未涉及SnO2:F。 | 无公开。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极。**公开性：隐含公开** | 【0017】前电极为“梳形集电极5和汇流条电极”；后电极在主要实施例为全面铝电极，但【0029】背面可选方案中仅称“集电极”。 | 对比文件前电极直接公开了指状和汇流条；后电极在可选方案中虽未具体指明形状，但本领域技术人员面对相同的HIT型装置，容易将前电极结构合理类推至后电极，因此后电极包括指状和汇流条被隐含公开。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸。**公开性：直接公开** | 【0017】“梳形集电极5”必然包含沿一个方向延伸的指状部。 | 对比文件前电极的指状电极沿某方向延伸，直接公开。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极。**公开性：直接公开** | 【0017】“梳形集电极5和汇流条电极”。 | 对比文件汇流条电极与指状电极正交连接，直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm。**公开性：直接公开** | 【0014】“膜厚约1000Å的ITO膜”。1000Å=100nm，落在70-100nm范围内。 | 对比文件前透明导电层厚度约100nm，直接公开。 |
| 技术特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间。**公开性：直接公开** | 【0013】“形成i型非晶硅层2及p型非晶硅层3”。 | i型非晶硅层2位于基板和p型层之间，作为前钝化层，直接公开。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间。**公开性：直接公开** | 【0029】“在基板背面形成i型非晶硅、n型非晶硅……” | 对比文件可选方案中在背面形成i型非晶硅，位于基板与n型非晶硅（后掺杂层）之间，作为后钝化层，直接公开。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。**公开性：直接公开** | 【0013】p型非晶硅（前掺杂）、i型非晶硅（前钝化）；【0029】n型非晶硅（后掺杂）、i型非晶硅（后钝化）。 | 对比文件前后掺杂层均为含杂质的非晶硅，前后钝化层均为本征非晶硅，直接公开（隧穿氧化物未提及，但特征中“本征非晶硅”已充分满足）。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。**公开性：未公开** | 对比文件全文未提及基板表面的纹理化处理。 | 无相关公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。**公开性：未公开** | 对比文件未描述透明导电层的表面形貌。 | 无公开。 |
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### 公开性代码输出
根据上述判断，直接公开的特征有：B、C、D、E、F、G、H、M、N、S、T、U、V、W、X；隐含公开的特征有：P、R。因此，在回答结尾插入对应代码：
<<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<M>>><<<N>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>><<<X>>><<<p>>><<<r>>>