**对比文件名称**：2015-04-02_US2015090317A_发明申请_US20150090317A1 SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL
**目标专利名称**：1666太阳能电池CN107039542B
**调用模型名称**：GPT-4（大语言模型）
## 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面。《未公开》 | [0041]：基板21由半导体材料（如晶体硅）制成，例如n型单晶硅基板；在光接收面和背面形成纹理结构。后表面设有金属层42覆盖整个区域。 | 对比文件公开了半导体基板及其导电类型和前后表面，但后电极42为全覆盖金属层，电池为单面结构（光仅从正面进入），未公开“双面太阳能电池”这一特征。因此未公开。 |
| B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上。《直接公开》 | [0042]：非晶半导体层22具有从基板21起依次层叠i型非晶硅层和p型非晶硅层的叠层结构。 | 对比文件公开了p型非晶硅层作为前掺杂层直接形成于基板前表面（通过i型层）。因此直接公开。 |
| C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上。《直接公开》 | [0042]：非晶半导体层23具有从基板21起依次层叠i型非晶硅层和n型非晶硅层的叠层结构。 | 对比文件公开了n型非晶硅层作为后掺杂层直接形成于基板后表面（通过i型层）。因此直接公开。 |
| D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度。《直接公开》 | [0043]：透明导电层31形成于光接收面（即前掺杂层上），厚度约30nm~500nm，优选50nm~200nm。 | 对比文件公开了透明导电层31起防反射作用，其设置位置和厚度明确。因此直接公开。 |
| E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上。《直接公开》 | [0044]：指状电极32和汇流条电极33形成于透明导电层31上。 | 对比文件公开了前收集器电极（手指+汇流条）直接设置在透明导电层31上。因此直接公开。 |
| F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度。《直接公开》 | [0047]：透明导电层41形成于光电转换单元20的背表面（即后掺杂层下面）。[0043]：透明导电层厚度类似。 | 对比文件公开了透明导电层41设置在后掺杂层下方且具有厚度。因此直接公开。 |
| G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面。《直接公开》 | [0044]；[0047]：金属层42形成于透明导电层41上（在背表面侧视为下面）。 | 对比文件公开了金属层42作为后收集器电极形成于透明导电层41下方。因此直接公开。 |
| H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成。《直接公开》 | [0043]：透明导电层31为TCO；[0047]：透明导电层41类似。 | 对比文件明确前透明导电层31和后透明导电层41均为透明导电氧化物层。因此直接公开。 |
| I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度。《未公开》 | [0079]：还原过程中TCO氧含量减少，薄膜电阻降低；[0043]前后透明导电层厚度范围相同，未提及厚度关系。 | 对比文件未公开氧含量对光学特性的控制，也未公开后透明导电层厚度小于前透明导电层。因此未公开。 |
| J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量。《未公开》 | 全文未涉及前后透明导电层氧含量的比较。 | 对比文件没有公开氧含量差异。因此未公开。 |
| K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率。《未公开》 | 全文未涉及吸光率的比较。 | 对比文件未公开吸光率关系。因此未公开。 |
| L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。《未公开》 | [0043]：透明导电层厚度30~500nm；未比较薄膜电阻；未指定25~75nm。 | 对比文件未公开薄膜电阻大小关系，也未限定反射层厚度为25~75nm。因此未公开。 |
| M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成。《隐含公开》 | [0047]：“透明导电层41的其他结构与透明导电层31类似（similar）”。 | 对比文件虽未明确“相同”，但“类似结构”暗示材料可能一致；本领域技术人员可合理推断两者材料相同。因此隐含公开。 |
| N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层。《未公开》 | [0043]：透明导电层可由In2O3掺杂Sn或Sb形成。未提Zn、W、Ce、H。 | 对比文件仅公开In2O3:Sn(Sb)，未涵盖所列掺杂元素。因此未公开。 |
| O：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层。《未公开》 | 全文未提及Ti、Ta掺杂。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| P：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层。《未公开》 | [0043]：ZnO掺杂Sn、Sb。未提Al、B、Ga。 | 对比文件未公开Al、B、Ga掺杂的ZnO。因此未公开。 |
| Q：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。《未公开》 | 全文未提及SnO2:F。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极。《未公开》 | [0044]：前表面有指状32和汇流条33；[0047]：后表面金属层42覆盖大致整个区域。 | 对比文件后电极是片状金属，非指状/汇流条结构，不符合双面电池电极要求。因此未公开。 |
| S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸。《直接公开》 | [0044]：指状电极32是窄的线状电极（line-shaped electrode）。 | 线状电极必然沿一定方向延伸，本领域技术人员可毫无疑义地确定其具有延伸方向。因此直接公开。 |
| T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极。《直接公开》 | [0044]：汇流条33在与指状32相交的方向上延伸（extend in a direction intersecting the finger portion 32）。 | “相交”包括正交，且汇流条物理连接指状电极。因此直接公开。 |
| U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm。《未公开》 | [0043]：透明导电层31厚度30~500nm，优选50~200nm。未具体到70~100nm。 | 对比文件未限定前透明导电层厚度在70~100nm范围内。因此未公开。 |
| V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间。《直接公开》 | [0042]：非晶半导体层22包括i型非晶硅层（在p型层和基板之间）。 | 对比文件公开了i型非晶硅层作为前钝化层。因此直接公开。 |
| W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间。《直接公开》 | [0042]：非晶半导体层23包括i型非晶硅层（在n型层和基板之间）。 | 对比文件公开了i型非晶硅层作为后钝化层。因此直接公开。 |
| X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。《直接公开》 | [0042]：前掺杂层为p型a-Si，后掺杂层为n型a-Si；前钝化层和后钝化层均为i型a-Si（本征非晶硅）。 | 对比文件公开了非晶硅掺杂层和本征非晶硅钝化层。权利要求为“或”选项，本征非晶硅已被公开，因此该特征直接公开。 |
| Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《直接公开》 | [0041]：在基板21的光接收面和背面上优选形成纹理结构，不平坦尺寸约1μm~10μm。 | 对比文件明确公开了基板前后表面纹理化。因此直接公开。 |
| Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《隐含公开》 | [0041]：基板纹理化；[0043]：透明导电层31形成于纹理化基板上，通常保形沉积；[0047]类似。 | 由于透明导电层保形沉积在纹理化基板表面，其必然复制基板纹理；本领域技术人员可合理推断透明导电层也具有纹理化表面。因此隐含公开。 |
## 公开性汇总代码
**直接公开**：B、C、D、E、F、G、H、S、T、V、W、X、Y
**隐含公开**：M、Z
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