对比文件名称：2004-09-16_US2004177878A_发明申请_US20040177878A1 Photovoltaic device and device having transparent conductive film
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
模型名称：GPT-4（当前AI模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面《未公开》 | 对比文件[0042]：“在n型(100)单晶硅基板（下称n型单晶硅基板）1的上表面上形成厚度约5nm的基本本征i型非晶硅层2。” 对比文件[0044]：“在n型单晶硅基板1的后表面上形成厚度约10μm至30μm的银(Ag)背电极6。” | 对比文件公开了n型单晶硅基板（第一导电类型），但其公开的光伏器件仅在基板前表面设置HIT结构，后表面为金属背电极，属于单面结构，并未公开或暗示该光伏器件是双面太阳能电池，因此技术特征A（双面太阳能电池）未公开。 |
| 特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上《直接公开》 | 对比文件[0042]：“在i型非晶硅层2上形成厚度约5nm的p型非晶硅层3。” | 对比文件公开了p型非晶硅层3作为前掺杂层，该层通过i型非晶硅层2间接设置在半导体基板前表面上，因此直接公开。 |
| 特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上《未公开》 | 对比文件[0044]：“在n型单晶硅基板1的后表面上形成厚度约10μm至30μm的银(Ag)背电极6。” | 对比文件在基板后表面仅形成金属背电极，没有设置任何掺杂层（如n型非晶硅层），因此未公开后掺杂层。 |
| 特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度《直接公开》 | 对比文件[0043]：“在p型非晶硅层3上形成由厚度约100nm的ITO膜构成的透明导电膜4。” | 透明导电膜4（ITO）设置在p型非晶硅层上，具有减反射功能（本领域公知），且厚度约100nm，即第一厚度，因此直接公开防反射层。 |
| 特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上《直接公开》 | 对比文件[0044]：“在透明导电膜4的上表面的规定区域上形成厚度约10μm至30μm的银(Ag)收集器5。” | 收集器5形成在透明导电膜4上，即前收集器电极直接设置在防反射层上，因此直接公开。 |
| 特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度《未公开》 | 对比文件[0044]：“在n型单晶硅基板1的后表面上形成背电极6。” | 对比文件在基板后表面仅设置背电极，没有反射层（后透明导电层），因此未公开反射层。 |
| 特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面《未公开》 | 对比文件[0044]：同上。 | 由于没有反射层，后收集器电极（背电极6）直接设置在基板后表面，并非设置在反射层下面，因此未公开。 |
| 特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成《未公开》 | 对比文件[0043]公开透明导电膜4为ITO层。 | 对比文件仅防反射层（前透明导电层）由透明导电层形成，反射层不存在，因此不符合两者都由透明导电层形成的要求，未公开。 |
| 特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度《未公开》 | 对比文件[0052]：“氧流量越大，峰值强度比(I1/I2)增加”，[0055]论证了峰值强度比与薄膜电阻及光吸收的关系，表明氧含量可控制电学和光学特性。 | 对比文件公开了透明导电层（ITO）的氧含量可控制电阻和光吸收，即包括氧。但对比文件未公开反射层，更未公开反射层第二厚度与防反射层第一厚度的比较，因此整体未公开。 |
| 特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量《未公开》 | 对比文件[0047]在形成透明导电膜时控制氧流量，但仅涉及前层。 | 对比文件未设置反射层，无法比较氧含量，因此未公开。 |
| 特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率《未公开》 | 对比文件[0057]显示随氧流量增加短波电流Isc增加即光吸收减少，但仅针对前层。 | 对比文件未公开反射层，无法比较吸光率，未公开。 |
| 特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm《未公开》 | 对比文件[0055]显示随氧流量增加薄膜电阻增大，但仅前层；无反射层厚度。 | 对比文件未公开反射层的薄膜电阻及厚度范围，未公开。 |
| 特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成《未公开》 | 对比文件[0043]防反射层为ITO。 | 反射层不存在，无法判断是否相同材料，未公开。 |
| 特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层《未公开》 | 对比文件[0043]防反射层为ITO（In2O3:Sn），即包含氧化铟和锡。 | 对比文件仅防反射层材料符合，反射层不存在，因此未公开。 |
| 特征O：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层《未公开》 | 对比文件未公开含Ti和Ta的透明导电层。 | 对比文件未公开该材料，未公开。 |
| 特征P：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层《未公开》 | 对比文件未公开ZnO基透明导电层。 | 对比文件未公开该材料，未公开。 |
| 特征Q：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层《未公开》 | 对比文件未公开SnO2:F层。 | 对比文件未公开该材料，未公开。 |
| 特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极《未公开》 | 对比文件[0044]：前收集器5包括多个指状电极5a和汇流条电极5b；背电极6为整片金属，未描述指状和汇流条。 | 前收集器具有指状和汇流条，但后收集器为整片电极，不满足每一个包括指状和汇流条，未公开。 |
| 特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸《未公开》 | 对比文件[0044]：多个指状电极5a形成以在彼此平行延伸。 | 前收集器的指状电极沿平行方向延伸，但由于后收集器无指状电极，该特征要求前和后指状电极均沿第一方向延伸，未满足，未公开。 |
| 特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极《未公开》 | 对比文件[0044]：汇流条电极5b收集指状电极5a中的电流。 | 前收集器汇流条连接指状电极，但后收集器无汇流条，未公开。 |
| 特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm《直接公开》 | 对比文件[0043]：“厚度约100nm的ITO膜”。 | 防反射层（前透明导电膜）厚度约100nm，落入70-100nm范围，直接公开。 |
| 特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间《直接公开》 | 对比文件[0042]：“形成厚度约5nm的基本本征i型非晶硅层2”。 | i型非晶硅层2位于基板和p型层之间，起到钝化作用，直接公开前钝化层。 |
| 特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间《未公开》 | 对比文件未公开后钝化层。 | 对比文件在后表面没有掺杂层，也未设置钝化层，未公开。 |
| 特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成《未公开》 | 对比文件[0042]：前掺杂层p型非晶硅，前钝化层i型非晶硅。 | 对比文件公开了前掺杂层（p型非晶硅）和前钝化层（i型非晶硅），但后掺杂层和后钝化层均不存在，因此整体未公开。 |
| 特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面《未公开》 | 对比文件[0049]：“使用前表面相对平坦的n型单晶硅基板”。 | 对比文件实施例使用平坦表面，未公开纹理化，也未教导或暗示，未公开。 |
| 特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面《未公开》 | 对比文件[0049]：基板平坦，则防反射层表面也平坦；且无反射层。 | 对比文件未公开防反射层或反射层具有纹理化表面，未公开。 |
<<<B>>><<<D>>><<<E>>><<<U>>><<<V>>>