对比文件名称：2011-08-11_US2011192453A_发明申请_US20110192453A1 MOISTURE RESISTANT PHOTOVOLTAIC DEVICES WITH IMPROVED ADHESION OF BARRIER FILM
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：GPT-4（此处根据用户要求注明，实际使用模型名称按默认情形）
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面（未公开） | 对比文件未公开晶体半导体基板，其基板[0034]为支撑层19，可为玻璃、不锈钢等，不具有导电类型杂质；其吸收体为CIGS层，并非晶体半导体基板。 | 目标专利的基板是掺杂的晶体硅，用于形成异质结；对比文件的基板是机械支撑，不参与光电转换，且无杂质导电类型，两者结构、作用完全不同。因此该特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上（未公开） | 对比文件未公开前掺杂层；其光入射侧设有缓冲层22（例如CdS，n型）和窗口层（如i-ZnO），但无p型非晶硅掺杂层。 | 目标专利的前掺杂层是p型非晶硅，与n型基板形成p-n结；对比文件无此结构，且其pn结由吸收体（p型）与缓冲层（n型）形成，层叠关系完全不同。故未公开。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上（未公开） | 对比文件未公开后掺杂层；其背面设有背面电接触20（如Mo），无掺杂半导体层。 | 目标专利的后掺杂层是n型非晶硅，与基板同型；对比文件无对应的掺杂层，背面仅为金属电极。故未公开。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度（未公开） | 对比文件[0046]公开透明导电层24（TCO）设于缓冲层/窗口层上，但该层并非设置在前掺杂层上（无前掺杂层）；厚度为10-1500nm。 | 目标专利的防反射层直接位于前掺杂层上，对比文件缺少前掺杂层且TCO下方的层次为缓冲层，层叠结构不同；厚度范围虽宽但未指明防反射功能及与前后层的关系。因此未公开。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上（直接公开） | 对比文件[0049]：“adhesion promoting region 26, dielectric barrier region 28, and electrically conductive collection grid 30 are positioned over the substrate TCO region 24.”（导电收集栅格30位于TCO区域24之上） | 对比文件的TCO区域相当于目标专利的防反射层（前透明导电层），收集栅格作为前收集器电极直接设置在该TCO层上。本领域技术人员能毫无疑义确定其公开了“前收集器电极被设置在前透明导电层（即防反射层）上”。因此直接公开。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度（未公开） | 对比文件无反射层；背面为不透明的背面电接触20，无透明导电反射层。 | 目标专利的反射层是透明导电层，位于后掺杂层下方，具有反射透过光的功能；对比文件无此层或类似结构。故未公开。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面（未公开） | 对比文件[0039]公开背面电接触20（如Mo），但并非设置在反射层下面（无反射层）。 | 目标专利的后收集器电极位于反射层下方；对比文件无反射层，且其背面电极直接位于吸收层下方，层序不同。故未公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成（未公开） | 对比文件仅有一层透明导电层24（TCO），无反射层。 | 目标专利要求防反射层和反射层两者均为透明导电层；对比文件只有前侧TCO，未公开后侧透明导电层。因此未公开。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度（未公开） | 对比文件未提及透明导电层的氧含量控制，亦无两层厚度比较。 | 目标专利通过控制氧含量来调节薄膜电阻和吸光率，并设定后层厚度小于前层以改善反射；对比文件无任何有关氧含量控制或反射层厚度关系的教导。故未公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量（未公开） | 对比文件不涉及氧含量比较。 | 目标专利明确前层氧含量低于后层，由此实现薄膜电阻和吸光率的差异；对比文件无相关公开。故未公开。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率（未公开） | 对比文件未比较透明导电层的吸光率。 | 目标专利基于氧含量差异得出吸光率关系；对比文件无此教导。故未公开。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm（未公开） | 对比文件未公开薄膜电阻关系，后透明导电层不存在。 | 目标专利通过氧含量实现薄膜电阻差异，后层厚度25-75nm具体范围；对比文件无从得知。故未公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成（未公开） | 对比文件仅有一层TCO，无材料比较。 | 目标专利要求前后透明导电层材料相同；对比文件无反射层，亦未指定两层材料关系。故未公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层（未公开） | 对比文件[0047]列举TCO材料包括“indium tin oxide (ITO)”即氧化铟掺锡。 | 对比文件公开了ITO作为透明导电层的一种材料，但仅对应前TCO；特征N要求防反射层和反射层两者均由此类材料形成，对比文件未公开后层且未提及两层均需采用该材料。故未公开。 |
| **技术特征O**：或者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层（未公开） | 对比文件无相关公开。 | 对比文件所列TCO材料及其掺杂元素中不涉及Ti或Ta掺杂氧化铟。故未公开。 |
| **技术特征P**：或者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层（未公开） | 对比文件[0047]提到“aluminum doped zinc oxide (AZO)”，即氧化锌掺铝。 | 对比文件公开了AZO，但仅作为前TCO的可能材料；特征P要求两层均为此类材料，对比文件未公开反射层。故未公开。 |
| **技术特征Q**：或者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层（未公开） | 对比文件[0047]提到“fluorine-doped tin oxide”，即氟掺杂氧化锡。 | 同特征P，仅公开前TCO材料，未公开两层均采用。故未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极（未公开） | 对比文件前收集栅格30[0049]为“grid of spaced apart lines”，实施例[0065]中提到“collection grid bus bar”，但后收集器电极为整面金属层（背面电接触20），无指状与汇流条结构。 | 目标专利要求前后电极均为指状/汇流条结构；对比文件的前栅格可能包含汇流条，后电极无此结构。因此特征R未被公开。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸（未公开） | 对比文件未明确指状电极的延伸方向。 | 由于特征R未公开，且对比文件后电极无指状，故特征S亦未公开。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极（未公开） | 对比文件未明确描述汇流条与指状的方向关系及连接。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm（未公开） | 对比文件[0046]公开TCO层厚度“in the range from about 10 nm to about 1500 nm, preferably about 150 nm to about 200 nm”。 | 目标专利的特定范围70-100nm并未被对比文件明确给出，其优选范围150-200nm亦不包含此区间。本领域技术人员无法从对比文件直接得出该具体厚度范围，也无启示将前TCO厚度限定为70-100nm。故未公开。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间（未公开） | 对比文件未公开前钝化层。 | 目标专利的前钝化层位于前掺杂层与基板之间，由本征非晶硅或隧穿氧化物形成，起钝化作用；对比文件无此层。故未公开。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间（未公开） | 对比文件未公开后钝化层。 | 同特征V，无对应结构。故未公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成（未公开） | 对比文件未公开非晶硅掺杂层或本征非晶硅/隧穿氧化物钝化层。 | 目标专利采用非晶硅体系，对比文件为CIGS体系，材料体系根本不同。故未公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（未公开） | 对比文件未涉及硅基板纹理化。 | 目标专利为晶体硅基板表面绒面化以增加光吸收；对比文件未提及任何纹理化处理。故未公开。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（未公开） | 对比文件未涉及TCO层的纹理化。 | 目标专利由于基板纹理化，其上各层共形形成纹理；对比文件无此结构。故未公开。 |
基于上述比对，对比文件直接公开了技术特征E，其余特征均未被直接或隐含公开。
结论：对比文件直接公开了技术特征E。
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