对比文件名称：2011-03-17_US2011061732A_发明申请_US20110061732A1 SOLAR CELL
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **A：** 该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面<br>**《直接公开》** | D1 [0038-0039]：“一种太阳能电池 1 包括基板 110……所述基板 110 是形成有第一导电类型的半导体基板，例如 n 型硅……硅是晶体硅，例如单晶硅和多晶硅。” D1 [0107]：“太阳能电池 1a 包括由晶体硅形成的基板 110，位于基板 110 的前表面上的前钝化层 191……” | D1 明确公开了晶体半导体基板（crystalline silicon）、第一导电类型（n-type）以及具有前表面和后表面。D1 的图 11/12 实施例中，前后均设置了透明导电层，其结构构成双面太阳能电池，该类别也被公开。 |
| **B：** 前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上<br>**《直接公开》** | D1 [0107]：“位于前钝化层 191 上的发射极层 120a”。 D1 [0054]：“所述多个发射极层 120 由与基板 110 的第一导电类型相反的第二导电类型的半导体形成……发射极层 120 和基板 110 形成异质结以及 p-n 结。” | D1 公开了位于基板前表面的前掺杂层（发射极层），该层与基板导电类型相反，形成异质结。 |
| **C：** 后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上<br>**《直接公开》** | D1 [0107]：“位于后钝化层 192a 上的背表面场（BSF）层 172a”。 D1 [0066]：“BSF 层 172 由非晶硅形成，并且是比基板 110 掺杂有更高浓度的相同导电类型杂质的区域（例如 n+ 型区域）。” | D1 公开了位于基板后表面的后掺杂层（背场层），该层与基板导电类型相同。 |
| **D：** 防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度<br>**《直接公开》** | D1 [0107]：“位于发射极层 120a 上的透明导电层 161”。 D1 [0112]：“所述透明导电层 161 可以起到防反射层的作用……透明导电层 161 需要具有能够透射大部分入射光的高透光率和用于载流子良好流动的高导电性。” | D1 公开了具有防反射功能的透明导电层设置在前掺杂层上。作为物理层，其必然具有厚度，“第一厚度”的表达是对该层厚度的指代，已实质性公开。 |
| **E：** 前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上<br>**《直接公开》** | D1 [0107]：“位于透明导电层 161 上的多个第一电极 141a”。 | D1 公开了前收集器电极设置在具有防反射功能的透明导电层上。 |
| **F：** 反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度<br>**《直接公开》** | D1 [0107]：“位于 BSF 层 172a 上的导电层 162”。 D1 [0114]：“所述导电层 162 增加由硅形成的 BSF 层 172a 与由含金属成分的导电材料形成的第二电极 142a 之间的粘合强度……此外，导电层 162 从基板 110 再次反射穿过基板 110 的光，以提高太阳能电池 1a 的效率。导电层 162 可以由透明导电材料形成，例如 ITO 和 ZnO。” | D1 公开了位于后掺杂层下方、具有光反射功能（再次反射穿过基板的光）的透明导电层。作为物理层，其必然具有厚度，“第二厚度”的表达是对该层厚度的指代，已实质性公开。 |
| **G：** 后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面<br>**《直接公开》** | D1 [0107]：“位于导电层 162 上的第二电极 142a”。 | D1 公开了后收集器电极设置在导电层（反射层）下面。 |
| **H：** 其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成<br>**《直接公开》** | D1 [0112]：“所述透明导电层 161 是……可以起到防反射层的作用”。 D1 [0114]：“所述导电层 162……可以由透明导电材料形成，例如 ITO 和 ZnO。” | D1 明确公开了前侧防反射层由透明导电层形成，后侧反射层也由透明导电材料形成。 |
| **I：** 所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度<br>**《未公开》** | 对于含氧部分：D1 [0112] “基于氧化层的导电层”。<br>对于厚度关系部分：D1 全文未涉及前后透明导电层厚度大小的比较。 | 含氧部分已被 D1 隐含公开（氧化层必然含氧）。但 D1 完全没有公开“反射层厚度小于防反射层厚度”这一关键厚度比较关系，本领域技术人员无法从 D1 合理推断出该特定厚度关系。因此整个技术特征未公开。 |
| **J：** 其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量<br>**《未公开》** | D1 全文未涉及前后透明导电层氧含量的对比。 | D1 中未公开任何关于前、后透明导电层之间氧含量差异的技术内容。 |
| **K：** 因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率<br>**《未公开》** | D1 全文未涉及前后透明导电层吸光率的对比。 | D1 中未公开任何关于前、后透明导电层之间吸光率差异的技术内容。 |
| **L：** 所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm<br>**《未公开》** | D1 全文未涉及前后透明导电层薄膜电阻的对比，也未限定反射层的具体厚度为 25nm 至 75nm。 | D1 未公开薄膜电阻关系及所述具体厚度数值范围。 |
| **M：** 其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成<br>**《隐含公开》** | D1 [0112] 前层材料可选自 ITO、SnO₂、ZnO-Ga₂O₃、FTO 等。D1 [0114] 后层材料可选自 ITO、ZnO 等。 | D1 列举的前后层材料范围有重叠（例如 ITO 可同时用于前后两层），本领域技术人员在选择材料时，完全有可能为了工艺简化而选用相同的材料，因此该技术特征被隐含公开。 |
| **N：** 其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层<br>**《直接公开》** | D1 [0112]：“氧化铟锡（ITO）”。ITO 即为氧化铟（In₂O₃）掺杂锡（Sn）。 | D1 明确公开了 ITO（In₂O₃:Sn），落入了目标专利限定的材料范围。 |
| **O：** 者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层<br>**《未公开》** | D1 [0112] 全文未公开含钛（Ti）或钽（Ta）的氧化铟材料。 | D1 未公开该特定材料组合。 |
| **P：** 者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层<br>**《直接公开》** | D1 [0112]：“ZnO-Ga₂O₃（或 Al₂O₃）”。 | D1 明确公开了 ZnO 掺杂 Ga 或 Al 的材料。 |
| **Q：** 者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层<br>**《直接公开》** | D1 [0112]：“氟掺杂氧化锡（FTO）”。FTO 即为 SnO₂:F。 | D1 明确公开了 FTO（SnO₂:F）。 |
| **R：** 其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极<br>**《隐含公开》** | D1 [0107]：“位于透明导电层 161 上的多个第一电极 141a……至少一个电极汇流条 1411……沿与第一电极 141a 交叉的方向延伸”。D1 [0083-0084]：主实施例中，后表面上的第一电极 141（指状电极）和第二电极 142（指状电极）分别沿发射极层和 BSF 层延伸。 | D1 在前发射极结构中公开了前表面指状和汇流条电极结构，在后接触结构中公开了后表面指状电极结构。本领域技术人员完全有可能将这两部分公开的内容相结合，使前后收集器电极均包含指状和汇流条结构。因此该技术特征被隐含公开。 |
| **S：** 所述多个指状电极沿着第一方向延伸<br>**《隐含公开》** | D1 [0083]：“位于多个发射极层 120 上的多个第一电极 141 分别沿发射极层 120 延伸。” | 指状电极沿特定方向延伸是 D1 公开的电极结构的基本特征，结合上述 R 特征的分析，该特征被隐含公开。 |
| **T：** 所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极<br>**《隐含公开》** | D1 [0107]：“至少一个电极汇流条 1411……沿与第一电极 141a 交叉的方向延伸”。 | D1 公开了汇流条沿与指状电极交叉（正交）的方向延伸并物理连接指状电极，是该结构中电流收集的必然配置。结合上述 R 特征的分析，该特征被隐含公开。 |
| **U：** 其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm<br>**《未公开》** | D1 全文未涉及防反射层（前透明导电层）的具体厚度数值范围。 | D1 没有给出或暗示前侧透明导电层厚度的具体数值。 |
| **V：** 该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间<br>**《直接公开》** | D1 [0107]：“位于基板 110 的前表面上的前钝化层 191……位于前钝化层 191 上的发射极层 120a”。 | D1 明确公开了前钝化层位于前掺杂层与半导体基板之间。 |
| **W：** 后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间<br>**《直接公开》** | D1 [0107]：“位于基板 110 的后表面上的后钝化层 192a……位于后钝化层 192a 上的 BSF 层 172a”。 | D1 明确公开了后钝化层位于后掺杂层与半导体基板之间。 |
| **X：** 其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成<br>**《直接公开》** | D1 [0017]：“所述发射极层可以由非晶硅形成”。D1 [0066]：“BSF 层由非晶硅形成”。D1 [0042]：“前钝化层由非晶硅形成并且是本征区”。D1 [0092]：“后钝化层 1921 是……由非晶硅制成的本征区”。 | D1 明确公开了前/后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成。D1 明确公开了前/后钝化层由本征非晶硅这一具体方式形成，满足了权利要求中“本征非晶硅或隧穿氧化物”的“或”关系，因此技术特征被直接公开。 |
| **Y：** 其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>**《直接公开》** | D1 [0040]：“基板 110 的前表面被纹理化为粗糙表面或具有不均匀特性的纹理化表面”。D1 [0109]：“基板 110 的前表面和后表面均被纹理化”。 | D1 明确公开了半导体基板的前表面和后表面均为纹理化表面。 |
| **Z：** 其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>**《隐含公开》** | D1 [0040] 和 D1 [0109] 公开了基板表面为纹理化表面。D1 [0112] 和 D1 [0114] 公开了透明导电层（防反射层和反射层）通过沉积工艺形成在这些纹理化表面上。 | 本领域公知，采用共形沉积工艺（如 CVD、PVD）在纹理化表面上形成的薄膜会复制基底表面的形貌，从而具有纹理化表面。D1 虽未直接描述 TCO 层的形貌，但本领域技术人员可以合理推断出沉积在纹理化基板上的透明导电层同样具有纹理化表面。 |
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