**对比文件名称**：2014-10-30_US2014322861A_发明申请_US20140322861A1 SOLAR BATTERY, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLAR BATTERY MODULE
**目标专利名称**：1666太阳能电池CN107039542B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek AI
## 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用（中文翻译） | 第三栏：公开性论述 |
| **技术特征A：** 该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面 （直接公开） | [0025]“在一个n型单晶硅基板1的一个表面上依次层叠实质上本征的i型非晶硅薄膜层2和p型非晶硅薄膜层3。在n型单晶硅基板1的另一个表面上依次层叠实质上本征的i型非晶硅薄膜层4和n型非晶硅薄膜层5。” [0028]“一般而言，单晶硅基板……有n型和p型。” | 对比文件明确公开了n型单晶硅基板（包含第一导电类型杂质），具有相对的两个表面（前表面和后表面）。该基板与目标专利的晶体半导体基板构成及作用相同，均作为光吸收和载流子产生/传输的基底。因此，本领域技术人员能毫无疑义地确定技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：** 前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上 （直接公开） | [0025]“在一个n型单晶硅基板1的一个表面上……形成p型非晶硅薄膜层3。” | 对比文件中的p型非晶硅薄膜层3位于基板前表面（光入射面），形成p-n结，与目标专利的前掺杂层（p型）位置和功能完全相同。因此直接公开。 |
| **技术特征C：** 后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上 （直接公开） | [0025]“在n型单晶硅基板1的另一个表面上……形成n型非晶硅薄膜层5。” | 对比文件中的n型非晶硅薄膜层5位于基板后表面，形成BSF结构，与目标专利的后掺杂层（n型）位置和功能相同。直接公开。 |
| **技术特征D：** 防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度 （直接公开） | [0025]“受光面侧透明电极6（包含第一透明电极6a和第二透明电极6b）形成在p型非晶硅薄膜层3上。” [0055]“第二透明电极6b的膜厚优选为50纳米至200纳米。” | 对比文件的受光面侧透明电极6整体构成前透明导电层，位于前掺杂层上，具有抗反射和导电功能，与目标专利的防反射层对应。其具有具体的厚度（如第一实施例中第二电极110nm），即具有第一厚度。因此直接公开。 |
| **技术特征E：** 前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上 （直接公开） | [0025]“受光面侧集电极7形成在受光面侧透明电极6上的预定区域。” | 对比文件的受光面侧集电极7直接接触透明电极并收集载流子，与目标专利的前收集器电极位置和功能一致。直接公开。 |
| **技术特征F：** 反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度 （直接公开） | [0025]“背面侧透明电极8形成在n型非晶硅薄膜层5的整个表面上。” [0080]“背面侧透明电极8以110纳米的厚度形成。” | 对比文件的背面侧透明电极8位于后掺杂层之下，起到背面电极和反射作用（利于光限制），与目标专利的反射层对应，且具有明确的第二厚度（如110nm）。直接公开。 |
| **技术特征G：** 后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面 （直接公开） | [0025]“背面侧集电极9形成在背面侧透明电极8上的预定区域。” | 对比文件的背面侧集电极9位于背面侧透明电极8之下，收集后侧载流子，与目标专利的后收集器电极位置和功能相同。直接公开。 |
| **技术特征H：** 其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成 （直接公开） | [0039]“第一透明电极6a、第二透明电极6b和背面侧透明电极8只要是具有透光性的导电膜即可。可单独或混合使用氧化铟、氧化锌、氧化锡等导电性氧化物材料。” | 对比文件的受光面侧透明电极6和背面侧透明电极8均采用导电氧化物材料，属于透明导电层。目标专利的防反射层和反射层亦为透明导电层。因此直接公开。 |
| **技术特征I：** 所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度 （未公开） | 对比文件未明确提及氧含量控制特性，也未教导反射层厚度小于防反射层厚度。 [0055]第二电极厚度50-200nm；[0080]后透明电极厚度110nm；前侧与后侧厚度无必然小于关系。 | 对比文件未公开“氧含量控制”技术，其通过载流子浓度（掺杂）控制电学和光学特性，未涉及氧的作用。同时，其前后透明导电层的厚度关系（实施例中前侧第二电极110nm、后侧110nm）并不满足后侧小于前侧，且无任何教导指向该厚度关系。因此技术特征I未公开。 |
| **技术特征J：** 其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量 （未公开） | 对比文件未比较前后透明导电层的氧含量。 [0041]仅公开了载流子浓度差异，如第一电极1×10²¹ cm⁻³，第二电极3×10²⁰ cm⁻³，后侧3×10²⁰ cm⁻³。 | 对比文件通过掺杂成分（如铝含量、锡含量）调节载流子浓度，未提及氧含量差异。因此无法推导出防反射层氧含量小于反射层氧含量。未公开。 |
| **技术特征K：** 因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率 （未公开） | 对比文件未直接比较前后透明电极的吸光率。 [0037]提到第二透明电极具有高透光性，但未与后透明电极比较。 | 基于未公开的氧含量差异，吸光率关系也无从得出。且对比文件未提供任何关于前后透明电极吸光率相对大小的信息。因此未公开。 |
| **技术特征L：** 所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm （未公开） | 对比文件未公开薄膜电阻比较。 [0080]后透明电极厚度110nm，不在25-75nm范围。 [0042]第一电极载流子浓度高（导电性好），但未与后电极整体比较薄膜电阻。 | 对比文件无前、后透明导电层薄膜电阻的比较，且后透明电极厚度为110nm，不在25-75nm范围内。因此未公开。 |
| **技术特征M：** 其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成 （未公开） | [0079]第一电极使用3wt% AZO，第二电极使用0.5wt% AZO，后电极使用3wt% ITO；[0085]第一电极10wt% ITO，第二电极3wt% ITO。 | 对比文件实施例中前后透明电极材料不同（AZO vs ITO），且未公开或教导必须相同。因此未公开。 |
| **技术特征N：** 其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层 （直接公开） | [0039]“可单独或混合使用氧化铟、氧化锌、氧化锡等导电性氧化物材料。……掺杂材料：对于氧化铟，有锌、锡、钛、钨、钼、硅、铈。” | 对比文件明确公开了以氧化铟为主要成分并掺杂锡、锌、钨、铈的透明导电层，这些材料可用于前后透明电极。锡、锌、钨、铈均列在其中，符合特征N的杂质选项（或氢，但已满足其他选项）。因此直接公开。 |
| **技术特征O：** 者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层 （直接公开） | [0039]“对于氧化铟，掺杂材料有……钛……” | 对比文件公开了钛作为氧化铟的掺杂元素，满足“包含钛和钽中的至少一种”。因此直接公开。 |
| **技术特征P：** 者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层 （直接公开） | [0039]“对于氧化锌，掺杂材料有铝、镓、硼、硅、碳。” | 对比文件公开了铝、硼、镓作为氧化锌的掺杂元素。因此直接公开。 |
| **技术特征Q：** 者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层 （直接公开） | [0039]“对于氧化锡，掺杂材料有氟。” | 对比文件公开了氟作为氧化锡的掺杂元素。因此直接公开。 |
| **技术特征R：** 其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极 （直接公开） | [0052]“使用例如将银（Ag）微粉混入环氧树脂中的银浆，通过丝网印刷法以高度约10-30微米、宽度100-500微米的尺寸形成指状部和汇流条部。” [0044]描述集电极包括指状和汇流条。 | 对比文件明确公开了前后集电极均具有指状电极和汇流条电极（梳状结构）。因此直接公开。 |
| **技术特征S：** 所述多个指状电极沿着第一方向延伸 （直接公开） | [0052]“指状部以1-10毫米的间隔平行形成多个线。” | 对比文件公开了指状电极平行延伸，即沿第一方向。因此直接公开。 |
| **技术特征T：** 所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极 （直接公开） | [0052]“汇流条部与指状部连接，收集流入指状部的电流。” | 对比文件公开了汇流条电极与指状电极连接且方向正交（通常如此）。因此直接公开。 |
| **技术特征U：** 其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm （未公开） | [0055]“第二透明电极6b的膜厚优选为50纳米至200纳米。”[0080]第一实施例第二电极110nm。 | 对比文件未公开防反射层厚度限定为70-100nm，其给出的优选范围50-200nm较宽，且实施例为110nm，未明确指向70-100nm。因此未公开。 |
| **技术特征V：** 该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间 （直接公开） | [0025]“在n型单晶硅基板1的一个表面上形成i型非晶硅薄膜层2，然后形成p型非晶硅薄膜层3。”[0033]“i型非晶硅薄膜层2优选为i型氢化非晶硅层，提供钝化效果。” | 对比文件的i型非晶硅薄膜层2位于基板和p型层之间，起到钝化作用，与目标专利的前钝化层结构、位置和功能完全相同。因此直接公开。 |
| **技术特征W：** 后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间 （直接公开） | [0025]“在n型单晶硅基板1的另一个表面上形成i型非晶硅薄膜层4，然后形成n型非晶硅薄膜层5。”[0035]“i型非晶硅薄膜层4优选为i型氢化非晶硅层。” | 对比文件的i型非晶硅薄膜层4位于基板和n型层之间，提供钝化，与目标专利的后钝化层对应。直接公开。 |
| **技术特征X：** 其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成 （直接公开） | [0034]“p型非晶硅薄膜层3优选为p型氢化非晶硅层。” [0033]“i型非晶硅薄膜层2优选为i型氢化非晶硅层。” [0036]“n型非晶硅薄膜层5优选为n型氢化非晶硅层。” [0035]“i型非晶硅薄膜层4优选为i型氢化非晶硅层。” | 对比文件的前掺杂层（p型氢化非晶硅）和后掺杂层（n型氢化非晶硅）均为掺杂非晶硅。前后钝化层均为本征氢化非晶硅（i型）。特征X中的“或隧穿氧化物”为可选方案，本征非晶硅已满足“或”条件。因此直接公开。 |
| **技术特征Y：** 其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面 （未公开） | [0025]“在n型单晶硅基板1的一个表面侧上形成称为纹理的凹凸结构。” [0045]“形成包括纹理这一凹凸结构在表面上的n型单晶硅基板1。” | 对比文件仅明确在基板一个表面（光入射表面）形成纹理，未公开后表面同样具有纹理。因此未公开双面纹理化。 |
| **技术特征Z：** 其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面 （未公开） | 对比文件未明确防反射层（前透明导电层）和反射层（后透明导电层）具有纹理表面。[0025]仅基板一个表面有纹理，后续层可能复制形貌，但未公开后表面纹理，故反射层纹理化不确定。 | 基于技术特征Y未公开，且对比文件未教导前后透明导电层均具有纹理表面，因此本特征未公开。 |
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