对比文件的名称：2015-04-16_JP2015073058A_发明专利_JP2015073058A 光発電素子
目标专利的名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：资深专利创造性评估经验模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面。**《直接公开》** | [0017]：“n型结晶半导体基板11”；[0018]：“n型结晶半导体基板11是n型半导体特性的结晶体”；[0014]：“也可以构成为从与光入射面相反的面也入射光”。 | 对比文件明确公开了n型结晶半导体基板（第一导电类型杂质），并指出基板具有两个主面，光能双面入射，因此直接公开了包含第一导电类型杂质且具有前后表面的基板，该基板用于双面受光的光发电元件（相当于双面太阳能电池）。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上。**《直接公开》** | [0017]：“在n型结晶半导体基板11的一侧依次层叠第1真性非晶质系半导体层12、p型非晶质系半导体层13（第1导電型非晶質系半導体層）”。 | 对比文件在基板一侧面（前表面）设置了p型非晶质半导体层，该层为掺杂层（p型），直接公开了前掺杂层形成在基板前表面。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上。**《直接公开》** | [0017]：“在n型结晶半导体基板11的另一侧依次层叠第2真性非晶质系半导体层16、n型非晶质系半导体层17（第2导電型非晶質系半導体層）”。 | 对比文件在基板另一侧面（后表面）设置了n型非晶质半导体层，该层为掺杂层，直接公开了后掺杂层形成在基板后表面。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度。**《直接公开》** | [0017]：“第1透明导电膜14”位于p型非晶质系半导体层13上；[0023]：“第1透明导电膜的厚度优选30nm以上200nm以下，更优选40nm以上100nm以下”。 | 对比文件中的第1透明导电膜直接设置在前掺杂层（p型层）上，并给出了厚度范围，该透明导电膜本身具有抗反射功能（透明导电层通常具有减反射作用），因此直接公开了设置在前掺杂层上并具有厚度的防反射层。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上。**《直接公开》** | [0017]：“第1透明导电膜14的表面局部设置有集电极19”；[0037]：“集电极19、20分别具有多个彼此平行形成的巴士电极和与这些巴士电极正交的多个指状电极”。 | 对比文件明确集电极19位于第1透明导电膜（防反射层）上，直接公开了前收集器电极。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度。**《直接公开》** | [0017]：“第2透明导电膜18”位于n型非晶质系半导体层17的另一侧（下方）；[0035]：“第2透明导电膜的厚度优选20nm以上200nm以下，更优选30nm以上100nm以下，进一步优选40nm以上70nm以下”。 | 对比文件中的第2透明导电膜设置在后掺杂层（n型层）下面，并给出厚度范围，该膜可起反射作用（背面反射），直接公开了反射层及其厚度。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面。**《直接公开》** | [0017]：“第2透明导电膜18的表面局部设置有集电极20”。 | 对比文件明确集电极20设置在第2透明导电膜下面，直接公开了后收集器电极。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成。**《直接公开》** | [0017]：第1透明导电膜14和第2透明导电膜18；[0023][0035]分别描述其材料为透明导电氧化物（ITO、IWO等）。 | 对比文件中的第1和第2透明导电膜均为透明导电层，直接公开了防反射层和反射层由透明导电层形成。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度。**《隐含公开》** | 关于氧控制：透明导电氧化物（如ITO、IWO）普遍含氧，其氧含量影响电学和光学特性是公知常识，但对比文件未明确记载。关于厚度关系：[0051]实施例1中第1透明导电膜70nm，第2透明导电膜60nm。 | 对比文件虽未明确记载氧对特性的控制作用，但本领域技术人员公知透明导电氧化物中含有氧且其含量影响特性，因此隐含公开了“透明导电层包括能够控制特性的氧”。厚度关系在实施例中明确示出第二厚度（60nm）小于第一厚度（70nm），该大小关系直接公开。由于特征I由两部分组成，氧部分隐含公开，厚度部分直接公开，因此整体推断特征I被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量。**《无公开》** | 对比文件全文未提及防反射层（第1透明导电膜）与反射层（第2透明导电膜）的氧含量比较。 | 对比文件没有涉及氧含量的差异，本领域技术人员无法从对比文件中推理出这一特征，故未公开。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率。**《无公开》** | 对比文件未提及吸光率的比较。 | 该特征是氧含量差异的结果，对比文件既未公开氧含量差异，也未公开吸光率差异，因此未公开。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。**《无公开》** | 薄膜电阻：对比文件未提及两个透明导电膜的薄膜电阻关系。厚度： [0035]公开第2透明导电膜厚度优选20-200nm，更优选30-100nm，进一步优选40-70nm，实施例60nm。 | 对比文件完全没有记载薄膜电阻的大小关系，也未给出25-75nm的明确范围。虽然40-70nm落入25-75范围内，但薄膜电阻关系未公开，因此整个特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成。**《直接公开》** | [0035]：“第2透明导电膜的材质、成膜方法与第1透明导电膜14相同，但也未必需要相同材质”；实施例1（[0051]）两者均使用IWO。 | 对比文件明确允许两透明导电膜材质相同，且实施例中均使用IWO，直接公开了由相同材料形成。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层。**《直接公开》** | [0023]：“透明导电材料例如ITO（锡掺杂氧化铟）、IWO（钨掺杂氧化铟）、ICO（铈掺杂氧化铟）、IZO（锌掺杂氧化铟）等”。 | 对比文件公开了包含Sn（ITO）、Zn（IZO）、W（IWO）、Ce（ICO）掺杂的氧化铟层，均落入特征N所列杂质范围。虽然未列H，但特征N为“或”选项，对比文件公开了四个选项，可直接得出采用这些材料的技术方案，故直接公开。 |
| **技术特征O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层。**《无公开》** | 对比文件在列举透明导电材料时未包括Ti或Ta掺杂的氧化铟。 | 对比文件没有公开Ti或Ta掺杂氧化铟，本领域技术人员无法推断出该材料，故未公开。 |
| **技术特征P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层。**《直接公开》** | [0023]：“透明导电材料例如AZO（铝掺杂氧化锌）、GZO（镓掺杂氧化锌）”。 | 对比文件公开了Al掺杂ZnO（AZO）和Ga掺杂ZnO（GZO），均落入特征P范围（Al或Ga）。虽然未明确B掺杂，但特征P为“或”选项，公开了其中两个选项即直接公开了相应方案。 |
| **技术特征Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。**《无公开》** | 对比文件未列出SnO2:F。 | 对比文件没有公开氟掺杂氧化锡，未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极。**《直接公开》** | [0037]：“集电极19、20分别具有多个彼此平行形成的巴士电极，以及和这些巴士电极正交且彼此平行形成的多个指状电极。” | 对比文件明确集电极19（前）和集电极20（后）均包含多个巴士电极（汇流条）和多个指状电极，直接公开。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸。**《直接公开》** | [0037]：“多个指状电极彼此平行形成”。 | 平行延伸即具有共同的第一方向，直接公开。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极。**《直接公开》** | [0037]：“巴士电极与指状电极正交”。 | 正交即第二方向与第一方向正交，且物理连接（通常一体形成），直接公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm。**《直接公开》** | [0023]：“第1透明导电膜的厚度优选30-200nm，更优选40-100nm”；实施例1（[0051]）中第1透明导电膜厚70nm。 | 对比文件公开了第一透明导电膜（防反射层）的更优选范围为40-100nm，且实施例给出70nm，均落入70-100nm范围，故直接公开。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间。**《直接公开》** | [0017]：“在n型结晶半导体基板11的一侧依次层叠第1真性非晶质系半导体层12、p型非晶质系半导体层13”。 | 第1真性非晶质系半导体层（本征非晶硅）位于基板和p型层之间，起钝化作用，直接公开前钝化层。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间。**《直接公开》** | [0017]：“在n型结晶半导体基板11的另一侧依次层叠第2真性非晶质系半导体层16、n型非晶质系半导体层17”。 | 第2真性非晶质系半导体层（本征非晶硅）位于基板和n型层之间，起钝化作用，直接公开后钝化层。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。**《直接公开》** | [0019]-[0022]：p型非晶质系半导体层（掺杂硼）、n型非晶质系半导体层（掺杂磷）由非晶硅形成；[0019][0033]：第1、第2真性非晶质系半导体层由本征非晶硅形成。 | 对比文件公开了掺杂非晶硅作为掺杂层，以及本征非晶硅作为钝化层。虽然未公开隧穿氧化物，但特征X为“或”选项，本征非晶硅方案被直接公开，因此整体特征直接公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。**《直接公开》** | [0018]：“n型结晶半导体基板11的上下两面为了光闭锁而优选进行凹凸加工”。 | 直接公开了基板前后表面为凹凸纹理化表面。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。**《隐含公开》** | [0018]：基板表面凹凸；透明导电膜形成在基板表面，通常沉积层会复制基板表面形貌。 | 对比文件虽未明确记载透明导电膜的表面形态，但本领域技术人员可合理推断，在纹理化基板上沉积的透明导电膜将继承基板的纹理，从而具有细小的不平坦部分，故隐含公开。 |
## 公开性结果代码
直接公开的技术特征：A, B, C, D, E, F, G, H, M, N, P, R, S, T, U, V, W, X, Y
隐含公开的技术特征：I, Z
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