**对比文件名称：** 2014-10-23_JP2014199876A_发明专利_JP2014199876A 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法
**目标专利名称：** 1666太阳能电池CN107039542B
**本次调用的模型名称：** GPT-4
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面<br>（未公开） | “一導電型単結晶シリコン基板１としてｎ型単結晶シリコン基板１を用い”（使用n型单晶硅基板作为一导电型单晶硅基板1） | 对比文件公开了n型单晶硅基板，但未明确该太阳能电池为双面太阳能电池（即背面也能受光）。其背面电极为不透明的铜金属全面膜，无法实现双面受光，因此技术特征A中的“双面太阳能电池”限定未被公开。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上<br>（直接公开） | “逆導電型シリコン系薄膜３としてｐ型非晶質シリコン層３を７ｎｍ製膜”（作为逆导电型硅系薄膜3，制膜7nm的p型非晶硅层3） | 对比文件明确在硅基板光入射侧（前表面）形成了p型非晶硅层，即前掺杂层。该层形成pn结，作用与目标专利相同。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上<br>（直接公开） | “一導電型シリコン系薄膜５としてｎ型非晶質シリコン層５を８ｎｍ製膜”（作为一导电型硅系薄膜5，制膜8nm的n型非晶硅层5） | 对比文件明确在硅基板背面侧形成了n型非晶硅层，即后掺杂层，起到BSF作用，与目标专利一致。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度<br>（直接公开） | “光入射側透明電極層６として各々酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を１００ｎｍ製膜”（作为光入射侧透明电极层6，分别制膜100nm的ITO）; 对比文件还指出该层具有反射防止功能（“反射防止膜の役割も果たす”） | 对比文件中的光入射侧透明电极层相当于防反射层，位于前掺杂层（p型非晶硅）上，厚度为100nm，并明确具有抗反射功能。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上<br>（直接公开） | “光入射側透明電極層６上には、スクリーン印刷法を用いてＡｇペーストにて表面電極８を形成”（在光入射侧透明电极层6上，使用丝网印刷法用Ag形成表面电极8） | 对比文件在光入射侧透明电极层上形成了表面电极，即前收集器电极。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度<br>（直接公开） | “裏面側透明電極層７を５０ｎｍ製膜”（制膜50nm的背面侧透明电极层7） | 对比文件中的背面侧透明电极层相当于反射层，位于后掺杂层（n型非晶硅）下方（基板背面），厚度为50nm。该层与金属背电极共同起到反射作用。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面<br>（直接公开） | “裏面電極の第一導電層９としてスパッタ法によりＮｉを８ｎｍ形成し、その後、スパッタ法を用いて、第二導電層１０として銅を５００ｎｍ形成”（作为背面电极的第一导电层9，通过溅射形成8nm的Ni，然后通过溅射形成500nm的Cu作为第二导电层10） | 对比文件在背面侧透明电极层下方形成了由第一导电层和第二导电层构成的背面电极，即后收集器电极。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成<br>（直接公开） | 光入射側透明電極層６（ITO）和裏面側透明電極層７（ITO）均为透明导电层（氧化铟锡） | 对比文件中前、后透明电极层均由透明导电氧化物（ITO）形成。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度<br>（未公开） | 未提及透明导电层中氧含量可控制电学/光学特性；厚度关系：光入射側透明電極層100nm，裏面側透明電極層50nm（后厚度小于前厚度） | 对比文件虽公开了厚度关系（50nm < 100nm），但未公开“透明导电层包括能够控制电学特性和光学特性的氧”这一关键特征。ITO本身含氧，但对比文件未教导通过调整氧含量来调控特性，因此该整体特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量<br>（未公开） | 未对比前、后透明电极层的氧含量 | 对比文件未涉及前、后透明电极层的氧含量差异，也未给出任何关于氧含量比较的教导。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率<br>（未公开） | 未涉及吸光率比较 | 由于未公开氧含量差异，自然未公开由此导致的吸光率关系。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm<br>（未公开） | 薄膜电阻未提及；厚度：裏面側透明電極層50nm（在25-75nm范围内） | 对比文件未提及前、后透明电极层的薄膜电阻关系，仅公开了后透明电极层厚度50nm（落入25-75nm），但缺少薄膜电阻关系这一必要限定，因此整体未公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成<br>（直接公开） | 光入射側透明電極層６和裏面側透明電極層７均为ITO | 两者均由相同材料（ITO）形成。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层<br>（直接公开） | 透明電極層として酸化インジウム錫（ＩＴＯ）（作为透明电极层，氧化铟锡（ITO）） | ITO包含氧化铟（In2O3）和锡（Sn），锡是所列杂质之一，因此该材料选项被公开。 |
| **技术特征O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层<br>（未公开） | 未公开含Ti或Ta的透明导电层 | 对比文件未提及此类材料。 |
| **技术特征P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层<br>（未公开） | 未公开ZnO类材料 | 对比文件未提及ZnO系透明导电层。 |
| **技术特征Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层<br>（未公开） | 未公开SnO2:F | 对比文件未提及SnO2类材料。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极<br>（隐含公开） | “裏面電極の形状は、第二導電層が第一導電層を覆い、かつ裏面側透明電極層に接するように形成されていれば、特に制限されない。…（２）裏面側透明電極層の一部（典型的にはスクリーン印刷等によるパターン状）に形成されていてもよい”（背面电极的形状没有特别限制，…也可以形成为一部分（典型的通过丝网印刷等图案状））；前电极通常使用指状+汇流条（公知技术） | 对比文件虽实施例中的背面电极为全面膜，但明确提到背面电极可以采用图案状（如丝网印刷图案），暗示可以形成指状和汇流条。前电极在本领域通常为指状+汇流条，对比文件虽未明述，但结合公知常识和对比文件关于图案化的教导，本领域技术人员可以合理推断前后电极均可采用指状和汇流条结构。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸<br>（隐含公开） | 同上，指状电极是图案电极的基本形式 | 基于对技术特征R的合理推理，指状电极沿第一方向延伸是常规设计，对比文件隐含公开。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极<br>（隐含公开） | 同上，汇流条正交连接指状是标准配置 | 对比文件提及图案状电极，结合本领域常识，汇流条与指状正交连接是必然结构，因此隐含公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm<br>（直接公开） | “光入射側透明電極層６として各々酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を１００ｎｍ製膜”（作为光入射侧透明电极层6，制膜100nm的ITO） | 前透明电极层厚度为100nm，落入70-100nm范围。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间<br>（直接公开） | “第一の真性シリコン系薄膜２としてｉ型非晶質シリコン層２を５ｎｍ製膜”（作为第一本征硅系薄膜2，制膜5nm的i型非晶硅层2） | 在基板与p型非晶硅层之间设置i型非晶硅层，即前钝化层。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间<br>（直接公开） | “第二の真性シリコン系薄膜４としてｉ型非晶質シリコン層４を６ｎｍ製膜”（作为第二本征硅系薄膜4，制膜6nm的i型非晶硅层4） | 在基板与n型非晶硅层之间设置i型非晶硅层，即后钝化层。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成<br>（直接公开） | 前掺杂层：ｐ型非晶質シリコン層；后掺杂层：ｎ型非晶質シリコン層；前钝化层：ｉ型非晶質シリコン層；后钝化层：ｉ型非晶質シリコン層 | 掺杂层为非晶硅（含杂质），钝化层为本征非晶硅，满足“本征非晶硅或隧穿氧化物”中之一。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>（直接公开） | “基板表面をエッチングすることでテクスチャを形成”（通过蚀刻基板表面形成纹理） | 对比文件通过碱液蚀刻在硅基板两面形成金字塔纹理，即细小的不平坦部分。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>（直接公开） | 基板表面具有纹理，在其上沉积透明电极层（ITO），薄膜会复制基板表面形貌（本领域公知） | 透明电极层形成在纹理化基板上，自然形成与基板相同的纹理表面，对比文件实施例的沉积工艺必然导致此结果。 |
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