对比文件名称：2015-10-22_JP2015185593A_发明专利_JP2015185593A 太陽電池およびその製造方法
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面（直接公开） | [0017] “n型の単結晶シリコン基板1”；[0018] “第1主面1A”和“第2主面1B”。译文：n型单晶硅基板1；第1主面1A和第2主面1B。 | 对比文件公开了n型单晶硅基板（包含第一导电类型杂质），具有第1主面（前表面）和第2主面（后表面），因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上（直接公开） | [0018] “第1主面1Aに…微結晶シリコンn層22”。译文：在第1主面上形成有微结晶硅n层22。 | 对比文件明确将微结晶硅n层（掺杂层）设置在第1主面（前表面）上，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上（直接公开） | [0018] “第2主面1Bには…非晶質シリコンp層32”。译文：在第2主面上形成有非晶硅p层32。 | 对比文件明确将非晶硅p层（掺杂层）设置在第2主面（后表面）上，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度（直接公开） | [0033] “受光面側の透光性導電膜23として、微結晶シリコンn層22上に約100nmの厚みを有するITOをスパッタリング法により形成した”。译文：作为受光面侧的透光性导电膜23，在微结晶硅n层22上通过溅射法形成厚度约100nm的ITO。 | 对比文件公开了在前掺杂层（微结晶硅n层）上设置透光性导电膜（具有防反射功能），厚度约100nm，即第一厚度。因此技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上（直接公开） | [0034] “銀からなる金属グリッド電極24,34を形成する”；[0018] “金属グリッド電極24および金属バス電極25”。译文：形成银制的金属栅极电极24,34；金属栅极电极24和金属总线电极25。 | 对比文件公开了在透光性导电膜（防反射层）上设置金属栅极电极和金属总线电极，作为前收集器电极。因此技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度（直接公开） | [0033] “裏面側の透光性導電膜33として非晶質シリコンp層32上にも約100nmの厚みを有するITOをスパッタリング法により形成した”。译文：作为背面侧的透光性导电膜33，在非晶硅p层32上也通过溅射法形成厚度约100nm的ITO。 | 对比文件公开了在后掺杂层（非晶硅p层）下面设置透光性导电膜（可作为反射层），厚度约100nm，即第二厚度。因此技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面（直接公开） | [0034] “銀からなる金属グリッド電極34”。译文：银制的金属栅极电极34。 | 对比文件公开了在背面透光性导电膜（反射层）下面设置金属栅极电极，作为后收集器电极。因此技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成（直接公开） | [0033] 两处均使用ITO（氧化铟锡）。 | 对比文件中受光面和背面的透光性导电膜均由ITO（透明导电材料）形成，因此技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度（未公开） | 对比文件未提及氧含量控制，且[0033]显示两面厚度均为约100nm，相等。 | 对比文件未公开透明导电层中氧含量可控制电学和光学特性，且反射层厚度（约100nm）不小于防反射层厚度（约100nm），因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量（未公开） | 对比文件未提及氧含量比较。 | 对比文件没有公开防反射层和反射层的氧含量差异，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率（未公开） | 对比文件未提及吸光率比较。 | 对比文件没有公开反射层和防反射层的吸光率关系，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm（未公开） | 对比文件未提及薄膜电阻比较，且反射层厚度为约100nm，不在25-75nm范围。 | 对比文件没有公开防反射层和反射层的薄膜电阻比较，且反射层厚度为约100nm，不是25-75nm，因此技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成（直接公开） | [0033] 两者均为ITO。 | 对比文件中防反射层（前透光性导电膜23）和反射层（后透光性导电膜33）均由ITO形成，材料相同，因此技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层（直接公开） | [0033] 两者均为ITO（氧化铟锡），包含锡作为杂质。 | 对比文件使用的ITO主要成分为氧化铟，包含杂质锡，属于特征N所列材料之一，因此技术特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层（未公开） | 对比文件未使用含钛或钽的透明导电层。 | 对比文件中未公开此类材料，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层（未公开） | 对比文件未使用氧化锌基透明导电层。 | 对比文件中未公开此类材料，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层（未公开） | 对比文件未使用氧化锡基透明导电层。 | 对比文件中未公开此类材料，因此技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极（未公开） | [0018] 前侧有金属グリッド電極24和金属バス電極25；后侧仅有金属グリッド電極34。 | 对比文件前收集器电极包括指状和汇流条，但后收集器电极仅包括指状电极（金属栅极），未明确有汇流条电极，因此技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸（未公开） | 对比文件未明确描述指状电极方向。 | 基于特征R未公开，且对比文件未明确指状电极延伸方向，因此技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极（未公开） | 对比文件未明确汇流条电极方向及连接关系。 | 基于特征R未公开，且对比文件未明确描述，因此技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm（直接公开） | [0033] 前透光性导电膜厚度约100nm。 | 对比文件公开的前透光性导电膜厚度约100nm，落入70-100nm范围，因此技术特征U被直接公开。 |
| 技术特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间（直接公开） | [0018] “第1主面1Aに真性非晶質シリコン層(非晶質シリコンi層)211”。译文：在第1主面上形成有真性非晶硅层（非晶硅i层）211。 | 对比文件公开了在基板与微结晶硅i层（前掺杂层之下）之间设置本征非晶硅钝化层，因此技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间（直接公开） | [0018] “第2主面1Bには真性非晶質シリコン層(非晶質シリコンi層)31”。译文：在第2主面上形成有真性非晶硅层（非晶硅i层）31。 | 对比文件公开了在基板与非晶硅p层（后掺杂层）之间设置本征非晶硅钝化层，因此技术特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成（未公开） | [0018] 前掺杂层为微结晶硅n层22（微晶硅），非非晶硅；后掺杂层为非晶硅p层32（非晶硅）；钝化层均为本征非晶硅。 | 对比文件的前掺杂层是微晶硅而非非晶硅，不符合“由包含杂质的非晶硅形成”，因此技术特征X未被公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（直接公开） | [0025] “n型単結晶シリコン基板1の第1主面1Aおよび第2主面1Bの両面にピラミッド状の突起がランダムに配置するテクスチャー1Tを形成した”。译文：在n型单晶硅基板1的第1主面1A和第2主面1B的两面形成金字塔状突起随机配置的纹理1T。 | 对比文件明确在基板两面均形成纹理化表面（细小的不平坦部分），因此技术特征Y被直接公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（隐含公开） | [0033] 透光性导电膜形成于纹理化表面上（见[0025]纹理化基板）；[0025]显示基板两面纹理化。本领域技术人员可知薄膜沉积会顺应下表面形貌。 | 对比文件虽未明确记载透光性导电膜表面形貌，但本领域技术人员可以合理推断，在具有纹理的表面上沉积的薄膜会继承该纹理，形成包括细小不平坦的纹理化表面。因此该技术特征被隐含公开。 |
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