**对比文件名称：** 2010-06-17_US2010151604A_发明申请_US20100151604A1 LIGHT EMITTING DIODE HAVING PLURALITY OF LIGHT EMITTING CELLS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
**目标专利名称：** 1672发光器件CN103855180B
**本次调用的模型名称：** AI模型
以下是对比文件与目标专利权利要求的特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中所述电流阻挡层设置在所述第一发光单元的所述下半导体层与所述导电互连层之间、所述衬底与所述导电互连层之间、以及所述第二发光单元的所述发光结构与所述导电互连层之间 《直接公开》 | 段落[0028]：“参照图1，…多个发光单元56，第一介电层63，导线65和第二介电层67…” 段落[0033]：“第一介电层63覆盖发光单元56的整个表面…第一介电层63也覆盖在发光单元56之间的区域上的衬底51。” 段落[0034]：“导线65形成在第一介电层63上…导线65可以电连接相邻发光单元56的下半导体层55和上半导体层59，以形成发光单元56的串联阵列。” | 目标专利中，电流阻挡层设置特定位置是为了实现隔离和绝缘功能，同时充当钝化层。对比文件的第一介电层63覆盖发光单元的侧壁、下半导体层露出部分、发光单元之间的衬底表面。导线65形成在该第一介电层63上。这明确公开了绝缘层（介电层）位于导线（导电互连层）与下半导体层、衬底、发光结构（含上半导体层）之间。其在对比文件中的作用同样是电隔离和钝化保护，与目标专利中电流阻挡层的相应位置和作用（绝缘/隔离）本质相同。 |
| 技术特征F：其中所述第二发光单元的所述上半导体层具有面对所述第二发光单元的所述上电极的顶表面 《直接公开》 | 段落[0029]：“每个发光单元56包括下半导体层55、位于下半导体层55的一个区域上的上半导体层59，以及插入在上半导体层与下半导体层之间的有源层57。” 段落[0034]：“导线65…电连接相邻发光单元56的下半导体层55和上半导体层59。” | 在对比文件中，上半导体层59是发光单元的上部层，导线65或透明电极层61作为电极接触上半导体层52，上半导体层59必然具有一个顶表面面对该电极。这是半导体发光器件的基本结构，本领域技术人员可以直接毫无疑义地确定。目标专利中该特征定义了基本的垂直叠层关系，对比文件已直接公开。 |
| 技术特征B：其中所述上电极还包括设置在所述第一粘附层与所述第一接合层之间的第一屏障层 《隐含公开》 | 段落[0036]：“导线65可以形成为多层结构，并且可以包括Cr或Ti下层65a和Cr或Ti上层65c。另外，Au、Au/Ni或Au/Al中间层65b可以插入在下层65a与上层65c之间。” 段落[0037]：“透明电极层61可以设置在上半导体层59与第一介电层63之间…导线65可以通过开口接触透明电极层61，导线65电连接到上半导体层59。” | 对比文件中，上电极功能由透明电极层61和导线65共同实现。导线65的下层65a（Cr/Ti）可视为第一粘附层，中间层65b（Au等）可视为第一接合层，上层65c（Cr/Ti）可视为第一屏障层。上层65c位于中间层65b之上（位于接合层与外部之间，但结合段落[0036]的层结构描述，其功能性上可起到屏障作用）。虽然上层65c作为最外层，但本领域技术人员从对比文件教导的多层金属结构及其功能（粘附、导电、保护）可以合理推断，为了提升电极性能（如防止扩散或增强粘附）而在粘附层与接合层之间设置屏障层是一种常见实现。目标专利中屏障层的具体位置与对比文件并非完全相同，但其核心功能（防止层间扩散、提升结构稳定性）在对比文件的多层设计中可以推论得出。因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征C：其中所述下电极还包括设置在所述第二粘附层与所述第二接合层之间的第二屏障层 《隐含公开》 | 段落[0036]：“导线65可以形成为多层结构，并且可以包括Cr或Ti下层65a和Cr或Ti上层65c。另外，Au、Au/Ni或Au/Al中间层65b可以插入在下层65a与上层65c之间。” | 下电极在目标专利中设置在下半导体层露出的表面上。对比文件中，电连接到下半导体层55的导线65具有相同多层结构，其下层65a可视为第二粘附层，中间层65b可视为第二接合层，上层65c可视为第二屏障层。与技术特征B类似，本领域技术人员能合理推断，在下电极结构中采用同样的多层结构具有普遍性。对比文件明确给出了该结构在连接点（导线）的应用，隐含了下电极也可以采用相同或相似结构的可能性，因此该技术特征隐含公开。 |
| 技术特征D：其中所述导电互连层还包括设置在所述第三粘附层与所述第三接合层之间的第三屏障层 《隐含公开》 | 段落[0036]：“导线65可以形成为多层结构，并且可以包括Cr或Ti下层65a和Cr或Ti上层65c。另外，Au、Au/Ni或Au/Al中间层65b可以插入在下层65a与上层65c之间。” | 导电互连层在目标专利中是连接不同发光单元电极的桥接层。对比文件的导线65正是实现相同功能的元件，其多层结构（下层65a/中间层65b/上层65c）与目标专利的导电互连层结构（第三粘附层/第三屏障层/第三接合层）在概念和组成上高度对应。下层65a作为粘附层，中间层65b作为接合层，上层65c作为屏障层。目标专利的屏障层位于粘附层与接合层之间（即顺序为粘附层/屏障层/接合层）。对比文件是下层/中间层/上层，中间层是接合层，上层是屏障层（屏障层位于接合层之上，不是之间）。然而，本领域技术人员为了获得更好的防扩散效果，将屏障层的位置进行调整是常规的工程优化，且对比文件的多层结构教导了这种组件的必要性。因此，该特征可以被隐含公开。 |
| 技术特征E：其中所述导电互连层、所述上电极、所述导电层和所述电流阻挡层在垂直方向上彼此交叠 《隐含公开》 | 段落[0033]：“第一介电层63覆盖发光单元56的整个表面…” 段落[0037]：“透明电极层61可以设置在上半导体层59与第一介电层63之间。” 段落[0035]：“导线65…形成在第一介电层63上。” | 在对比文件图1和段落[0033]、[0037]描述的截面图中，第一介电层63（对应电流阻挡层）覆盖在透明电极层61（对应导电层）和上半导体层59之上。导线65（对应导电互连层/上电极的一部分）形成在第一介电层63上，并在开口处接触透明电极层61。这种叠层结构（透明电极层61/第一介电层63/导线65）在垂直方向上必然存在交叠区域。虽然目标专利的导电层是覆盖部分电流阻挡层延伸到上半导体层，而对比文件透明电极层是设置在上半导体层之上，其垂直堆叠顺序（透明导电层、介电层、导线）与目标专利的核心概念（导电层、电流阻挡层、导电互连层交叠）一致。本领域技术人员由图1所示堆叠关系可以合理地推导出各层在垂直方向上的重叠。因此该技术特征隐含公开。 |
| 技术特征G：其中所述电流阻挡层设置在所述上电极的下表面与所述上半导体层的所述顶表面之间 《隐含公开》 | 段落[0033]：“第一介电层63覆盖发光单元56的整个表面…第一介电层63具有形成在上半导体层59上的开口…。” 段落[0037]：“透明电极层61设置在上半导体层59与第一介电层63之间。” | 目标专利中，电流阻挡层的一部分位于上电极与上半导体层之间，起电流阻挡作用。在对比文件中，第一介电层（电流阻挡层）覆盖包括上半导体层在内的整个发光单元表面。虽然上电极（导线65）通过开孔直接接触透明电极层61而在开孔位置没有介电层，但在开孔以外的区域，第一介电层63确实位于导线65与透明电极层61之间，而透明电极层位于上半导体层上（但透明电极层是导电的，并且是电极的一部分）。本领域技术人员可以合理推断，为了控制电流路径和防止短路，介电层（对比文件）必然延伸并设置作为电极与半导体层之间的阻挡，即使对比文件开窗位置无阻挡层，但结构上因开孔是用于电接触，在非接触区即为阻挡区，整体功能目的与目标专利一致。因此该技术特征隐含公开。 |
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