对比文件名称：2011-09-29_US2011233564A_发明申请_US20110233564A1 LIGHT EMITTING DIODE CHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
目标专利名称：发光器件CN103855180B
本次调用的模型名称：无（本分析基于资深专利代理师经验，手动完成）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中所述电流阻挡层设置在所述第一发光单元的所述下半导体层与所述导电互连层之间、所述衬底与所述导电互连层之间、以及所述第二发光单元的所述发光结构与所述导电互连层之间<br>**《隐含公开》** | [0016]：“第一绝缘层15可以被布置为完全覆盖p型接触电极125和n型接触电极126的外部区域。因此，导电金属层14仅与p型接触电极125和n型接触电极126接触，而不直接接触发光结构单元12的其他区域，从而防止导电金属层14与发光结构单元12形成短路。”<br>[0014]：“发光结构单元12具有凹槽13……两个发光结构单元12还包括隔离沟槽19。” | 对比文件的第一绝缘层15被描述为完全覆盖电极外部区域，使得导电金属层14仅与电极接触，不直接接触发光结构单元的其他区域。本领域技术人员可以合理推断该绝缘层必然设置在第一发光单元的下半导体层（第一单元的n型GaN层）与导电金属层之间、衬底（隔离沟槽底部可能暴露的衬底表面）与导电金属层之间、以及第二发光单元的发光结构（第二单元的p型GaN层、有源层等）与导电金属层之间，从而起到与目标专利的电流阻挡层相同的绝缘隔离作用。虽然未明确提及“衬底”位置，但根据“完全覆盖电极外部区域”的描述，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该绝缘层同样覆盖衬底暴露区域的结论，因此技术特征A被隐含公开。 |
| 技术特征B：其中所述上电极还包括设置在所述第一粘附层与所述第一接合层之间的第一屏障层<br>**未公开** | 无直接相关公开内容。对比文件中仅提及“p型接触电极125”，未详细描述其层结构，更未提到粘附层、屏障层、接合层的任何多层结构。 | 对比文件未公开上电极的多层结构，特别是未公开粘附层与接合层之间的屏障层。本领域技术人员无法从对比文件得出或合理推断出该特征。 |
| 技术特征C：其中所述下电极还包括设置在所述第二粘附层与所述第二接合层之间的第二屏障层<br>**未公开** | 无直接相关公开内容。对比文件中仅提及“n型接触电极126”，未描述其多层结构。 | 与特征B类似，对比文件未公开下电极的多层结构，特别是屏障层。 |
| 技术特征D：其中所述导电互连层还包括设置在所述第三粘附层与所述第三接合层之间的第三屏障层<br>**未公开** | 无直接相关公开内容。对比文件中的导电金属层14由蒸发或电镀形成，材料为Cu、Au、Ni等，但未公开其具有粘附层、屏障层、接合层的多层结构。 | 对比文件未公开导电互连层的多层结构，特别是屏障层。 |
| 技术特征E：其中所述导电互连层、所述上电极、所述导电层和所述电流阻挡层在垂直方向上彼此交叠<br>**未公开** | 对比文件中，第二实施例[0030]记载了透明导电层227（相当于导电层）位于p型GaN层224和p型接触电极225之间，第一绝缘层25位于其他区域。但未见四个层在垂直方向同时彼此交叠的结构。 | 目标专利中这四个层在同一垂直区域（如上电极区域）交叠。对比文件中，在p电极区域，有透明导电层和p电极，但电流阻挡层（第一绝缘层）不在p电极下方；在其他区域，可能有导电互连层与电流阻挡层交叠，但缺少上电极和导电层。因此，不存在四者同时垂直交叠的区域，该特征未被公开。 |
| 技术特征F：其中所述第二发光单元的所述上半导体层具有面对所述第二发光单元的所述上电极的顶表面<br>**《直接公开》** | [0011]：“p型GaN层124、p型接触电极125和n型接触电极126分别沉积在p型GaN层124和n型GaN层121上。” | 对比文件明确公开上半导体层（p型GaN层124）的顶表面沉积有上电极（p型接触电极125），因此该顶表面面对上电极，与目标专利特征F完全相同，故直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述电流阻挡层设置在所述上电极的下表面与所述上半导体层的所述顶表面之间<br>**未公开** | 对比文件中，p型接触电极125直接形成在p型GaN层124上（第一实施例）；第二实施例中，透明导电层227位于两者之间，但透明导电层为导电材料（ITO等），并非绝缘电流阻挡层。 | 对比文件未在p电极下方设置任何绝缘层，因此不存在电流阻挡层位于上电极下表面与上半导体层顶表面之间的情况。 |
### 公开性代码
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征F，隐含公开了技术特征A。其他特征未公开。
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