对比文件名称：2011-07-20_CN102132429A_发明公开_CN102132429A 串联分段式发光二极管
目标专利名称：1672发光器件CN103855180B
本次调用的模型名称：AI语言模型（基于深度学习的自然语言处理模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其中所述电流阻挡层设置在所述第一发光单元的所述下半导体层与所述导电互连层之间、所述衬底与所述导电互连层之间、以及所述第二发光单元的所述发光结构与所述导电互连层之间（隐含公开） | [0103]：“该等区段64、65由延伸通过层52到基板51的一绝缘沟槽66区隔，藉此电气绝缘区段64及65。绝缘沟槽66包含一平台67，其仅部份地延伸到层52当中。绝缘沟槽66的壁面由一绝缘层57覆盖，绝缘层57包括一开口区域58，开口区域58用于与每个区段相关联的部份层52构成电气接触。”<br>[0105]：“在本发明一种态样中，绝缘层57在电极59与61下方延伸，如图6中57a所示。因为电极59为不透光，电极59阻隔在电极59下方附近的部分活化层55中产生的光。...该绝缘层延伸部分阻挡电流流过层55的此一被浪费区域，因此可提高该光源的整体效率。”<br>[0111]：“现在请参照图8，其例示本发明一具体实施例，其中上述的光损失问题藉由使用一透明绝缘体填入该绝缘沟槽的底部而降低。在光源80中，延伸到基板51的部份绝缘沟槽填有一透明绝缘体，例如81处所示的玻璃层。” | 对比文件的绝缘层57覆盖绝缘沟槽66的壁面，将串联电极59与第一区段64的n型层52（下半导体层）在除开口58外的部分隔开，即设置在第一发光单元的下半导体层与导电互连层之间；绝缘层57在电极59下方延伸（57a）至第二区段65的发光结构上，即设置在第二发光单元的发光结构与导电互连层之间；图8实施例进一步在绝缘沟槽底部填充透明绝缘体（玻璃层81），将其设置在衬底151与串联电极（导电互连层）之间。虽然主要实施例未明确在衬底与导电互连层之间设置同一绝缘层，但图8实施例教导了在衬底上设置绝缘材料，本领域技术人员容易结合主要实施例的绝缘层57的延伸方式，合理推断出可以采用同一绝缘层（或类似绝缘结构）同时覆盖下半导体层、衬底和发光结构与导电互连层之间的区域，以实现电流阻挡和绝缘。因此该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征B**：其中所述上电极还包括设置在所述第一粘附层与所述第一接合层之间的第一屏障层（未公开） | 对比文件全文未涉及上电极的多层结构，尤其未提及粘附层、接合层及屏障层的任何描述或暗示。 | 对比文件中仅描述电极由金属层（如串联电极97、接点98/99）构成，未公开电极包含粘附层、接合层以及设置在二者之间的屏障层。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特定层结构，故该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C**：其中所述下电极还包括设置在所述第二粘附层与所述第二接合层之间的第二屏障层（未公开） | 对比文件全文未涉及下电极的多层结构，尤其未提及粘附层、接合层及屏障层的任何描述或暗示。 | 对比文件中仅描述n型接点（如接点62、开口58处的接触）为单一金属层，未公开下电极包含粘附层、接合层及设置在二者之间的屏障层。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特定层结构，故该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：其中所述导电互连层还包括设置在所述第三粘附层与所述第三接合层之间的第三屏障层（未公开） | 对比文件全文未涉及导电互连层（串联电极）的多层结构，尤其未提及粘附层、接合层及屏障层的任何描述或暗示。 | 对比文件中串联电极59/97/104为单一金属或透明导电层（如ITO），未公开其包含粘附层、接合层及设置在二者之间的屏障层。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特定层结构，故该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述导电互连层、所述上电极、所述导电层和所述电流阻挡层在垂直方向上彼此交叠（未公开） | 对比文件图6、图7及图9D显示串联电极59与ITO层56、绝缘层57a在垂直方向有部分交叠，但上电极（如电力接点61）位于不同区域，未与上述三者共同交叠；无任何实施例显示四个层在垂直方向上全部重叠。 | 目标专利中要求导电互连层、上电极、导电层和电流阻挡层四者沿垂直方向交叠。对比文件中，在区段65处串联电极59（导电互连层）与ITO56（导电层）、绝缘层57a（电流阻挡层）存在垂直重叠，但该区域没有独立的上电极（上电极如接点61位于区段64，不在此重叠区域）；在其他区域也未形成四层同时交叠的结构。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特定垂直交叠关系，故该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其中所述第二发光单元的所述上半导体层具有面对所述第二发光单元的所述上电极的顶表面（隐含公开） | [0104]：“一串联电极59沉积在绝缘沟槽66中，使得电极59经由绝缘层57中的开口58与层52接触。电极59亦与相邻区段中的ITO层56构成电气接触。”<br>图6显示第二区段65的p型层53上方具有ITO层56，ITO层56直接接触串联电极59。 | 对比文件中第二区段65（第二发光单元）的p型层53为上半导体层，其顶部表面通过ITO层56与串联电极59接触。该串联电极59向p型层提供电流，实质上承担上电极的功能，因此可以视为第二发光单元的上电极。故而p型层的顶表面面对该上电极（串联电极59）。虽然对比文件未明确将串联电极59命名为“上电极”，但本领域技术人员根据其电连接关系和功能可以合理推断出其作为上电极的角色，因此该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中所述电流阻挡层设置在所述上电极的下表面与所述上半导体层的所述顶表面之间（隐含公开） | [0105]：“在本发明一种态样中，绝缘层57在电极59与61下方延伸，如图6中57a所示。”<br>图6及图7显示绝缘层57a位于串联电极59下方，并延伸至第二区段65的p型层53上方（介于电极59与发光结构之间）。 | 对比文件中，绝缘层57a（电流阻挡层）设置在串联电极59（充当第二发光单元上电极）的下表面与第二发光单元的上半导体层（p型层53）的顶表面之间（隔有ITO层56但实质位于电极与半导体之间）。该结构阻挡电流从电极直接注入到特定区域，起到电流阻挡作用，与目标专利中电流阻挡层的设置方式和作用相同。本领域技术人员可以合理推断出该绝缘层设置在上电极下表面与上半导体层顶表面之间，因此该技术特征被隐含公开。 |
### 公开性代码
根据上述判断，对比文件隐含公开了技术特征A、F、G。
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