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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx

对比文件名称:2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치

目标专利名称:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中。《直接公开》对比文件[0050]:“各微通道包括入口、反应部和出口”;[0011]:“将石墨和硫酸混合制备石墨浆料,然后将石墨浆料投入到具备一个以上微通道的微通道部”。对比文件明确公开了微通道的入口,并且石墨浆料(包含石墨片材)通过该入口供应,与目标专利的入口功能和结构实质相同,均用于输入片材。因此属于直接公开。
技术特征B:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力。《直接公开》对比文件[0030]:“石墨浆料、过锰酸盐硫酸溶液、水和过氧化氢水溶液通过各自的定量泵供应到各自的微通道”;[0015]:“石墨浆料通过定量泵供应到微通道部”。对比文件公开的定量泵位于入口前端,用于对流体加压并强制注入微通道,与目标专利的高压泵在位置、功能上完全相同,均产生压力使片材通过微通道。因此属于直接公开。
技术特征C:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化。《隐含公开》对比文件[0050]:“各微通道包括入口、反应部和出口”;[0030]:“通过定量泵将物质供应到微通道”;[0028]:“反应混合物在微通道内以一定流量移动”。对比文件公开了微通道位于入口后端,且流体在泵压下通过微通道。虽然未明确使用“均质化”一词,但本领域技术人员公知,高速流体在微通道内必然产生强剪切力,从而对石墨片实现分散、剥离等均质化效果,该作用在对比文件的微通道流动中间接实现。因此属于隐含公开。
技术特征D:出口,位于所述微通道的后端。《直接公开》对比文件[0050]:“各微通道包括入口、反应部和出口”;[0031]:“反应混合物从微通道的出口排出”。对比文件明确公开了出口位于微通道后端,用于排出流体,与目标专利的出口结构完全相同。因此属于直接公开。
技术特征E:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10-5)x-(4.2×10-5)。《未公开》对比文件全文未涉及出口壁面最小距离与速度的数学关系。对比文件没有公开任何关于出口距离和速度的方程或对应关系,本领域技术人员也无法从对比文件合理推断出该具体方程式。因此未公开。
技术特征F:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口。《直接公开》对比文件[0011]:“将石墨和硫酸混合制备石墨浆料(包含石墨的溶液),然后将石墨浆料投入到微通道部(的入口)”。对比文件明确公开了将包含石墨的溶液(石墨浆料)供应到微通道入口,与目标专利的步骤1完全相同。因此属于直接公开。
技术特征G:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道。《直接公开》对比文件[0030]:“通过定量泵供应到微通道”;[0051]:“石墨浆料通过定量泵强制注入微通道”。对比文件公开了使用定量泵(高压泵)对入口施加压力,使包含石墨的溶液通过微通道,与目标专利的步骤2完全相同。因此属于直接公开。
技术特征H:3)从所述出口回收石墨烯分散体。《未公开》对比文件[0031]:“反应终止后的反应混合物从微通道出口排出”;后续步骤还涉及洗涤、干燥、热还原才得到石墨烯。对比文件从出口回收的是氧化石墨烯混合物,并非石墨烯分散体。目标专利的步骤3直接回收石墨烯分散体(物理剥离产物),而对比文件需要额外多步化学处理才能得到石墨烯,因此未公开该步骤。
技术特征I:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m。《未公开》对比文件全文未涉及出口壁面距离的任何数值范围。对比文件没有公开关于最小距离的具体数值限定。因此未公开。
技术特征J:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s。《未公开》对比文件全文未提及微通道后端处片材速度的具体数值范围。对比文件没有公开速度范围。因此未公开。
技术特征K:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面。《未公开》对比文件未描述出口的具体形状,也未说明微通道后端与出口的连接位置。对比文件没有公开出口形状以及微通道后端与出口壁面的相对位置关系。因此未公开。
技术特征L:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线。《直接公开》对比文件[0015]:“石墨浆料通过定量泵(供应线)供应到微通道部”;[0032]:“装置包括石墨浆料供应单元(与入口连接)”。对比文件公开了包括供应单元和泵的供应线结构,用于将片材(石墨浆料)供应到入口,与目标专利的供应线功能相同。因此属于直接公开。
技术特征M:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴。《未公开》对比文件全文未提及操作压力的具体数值范围。对比文件没有公开任何关于压力的具体数值,本领域技术人员无法从对比文件中直接得到100巴至3000巴的范围。因此未公开。

基于以上分析,对比文件直接公开了技术特征A、B、D、F、G、L,隐含公开了技术特征C,其余特征未公开。

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