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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx

**对比文件名称:** 2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL

**目标专利名称:** 包括优化出口的片材剥离装置(CN107921440B)

**调用的模型名称:** DeepSeek-Chat(根据用户描述场景)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译为中文)公开性论述
**技术特征A:** 所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中<br><br>《隐含公开》[0108] “将大约100g可膨胀石墨在大约500°C的烧结温度下加热大约1小时进行膨胀……随后将产物分散在乙醇中并使用均质机在大约10,000rpm下研磨大约10分钟。将这样获得的混合物通过使用微流体化器进一步研磨……”对比文件虽未直接写明“入口”,但本领域技术人员熟知微流体化器(micro fluidizer)是一种将物料在高压下通过微通道进行均质/分散的设备,其结构必然包含用于引入物料的入口。对比文件使用微流体化器处理石墨分散液,隐含公开了该装置具有入口,且片材(石墨溶液)从该入口供应。该入口在对比文件中所起的作用(引入待处理物料)与目标专利相同。因此技术特征A被对比文件隐含公开。
**技术特征B:** 高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力<br><br>《隐含公开》[0108] 同上,提及使用微流体化器。微流体化器的标准配置包括高压泵(如活塞泵),用于产生高压(通常100~3000 bar)迫使流体通过微通道。对比文件通过采用微流体化器进行研磨,必然依赖于高压泵提供压力。虽然未明确记载泵的具体结构和位置,但本领域技术人员可合理推断存在位于入口前端的高压泵以产生驱动力。该泵在对比文件中的功能(产生压力使物料通过微通道)与目标专利一致。因此技术特征B隐含公开。
**技术特征C:** 微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化<br><br>《隐含公开》[0108] 同上,提及使用微流体化器。微流体化器的核心部件是微通道或相互作用室,物料在高压下通过微米级通道受到强烈剪切力,从而实现均质化、分散或研磨。对比文件明确记载“通过使用微流体化器进一步研磨”,该过程必然包括物料在压力下穿过微通道并被均质化(研磨即是一种均质化过程)。虽未直接描述微通道的具体位置和结构,但本领域技术人员根据对微流体化器的公知常识,能够毫无疑义地确定存在位于入口后端的微通道,且物料经高压泵加压后通过该通道。因此技术特征C隐含公开。
**技术特征D:** 出口,位于所述微通道的后端<br><br>《隐含公开》[0108] 同上,后续有“使用过滤装置过滤”的步骤。微流体化器在处理物料后,必须设有出口使处理后的物料离开微通道。对比文件在微流体化器处理后直接进行过滤,说明处理后的分散液从微流体化器的出口排出。出口位于微通道后端是微流体化器的必然结构。因此技术特征D隐含公开。
**技术特征E:** 其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)<br><br>不公开对比文件全文未涉及任何关于出口结构与微通道后端距离、片材速度及其数学关系的描述。对比文件完全不涉及出口壁面距离与速度的优化关系,也未公开任何类似方程式或防止过度碰撞的设计思想。目标专利的该技术特征是其核心发明点,用于在剥离石墨烯时避免过度研磨,而对比文件的目的在于利用微流体化器进行强力研磨以减小颗粒尺寸,两者技术构思相反。因此技术特征E未被对比文件直接或隐含公开。
**技术特征F:** 所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口<br><br>《隐含公开》[0108] “将产物分散在乙醇中……将这样获得的混合物通过使用微流体化器进一步研磨”。对比文件制备结晶碳基材料的第一步即将膨胀石墨分散于乙醇形成溶液(包含石墨的溶液),然后通过微流体化器处理。该操作隐含了将该溶液供应到微流体化器入口的步骤。虽然未明确写“入口”,但实现“通过微流体化器”必然包含进料动作。因此技术特征F隐含公开。
**技术特征G:** 2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道<br><br>《隐含公开》[0108] 同上,提及使用微流体化器。微流体化器的工作原理即通过高压泵产生压力迫使溶液通过微通道。对比文件使用微流体化器处理石墨分散液,隐含了施加压力使溶液通过微通道的步骤。因此技术特征G隐含公开。
**技术特征H:** 3)从所述出口回收石墨烯分散体<br><br>《隐含公开》[0108] “然后将这样获得的混合物通过使用微流体化器进一步研磨,然后使用过滤装置过滤后用乙醇清洗……获得结晶碳基材料粉末”。在微流体化器处理后,溶液从出口排出形成分散体,后续虽然进行了过滤和干燥,但本领域技术人员可以合理推断在过滤之前已从出口回收了石墨烯分散体(否则无法进行过滤)。对比文件产物为结晶碳基材料(即石墨烯纳米片),其制备过程必然包括从微流体化器出口收集分散液。因此技术特征H隐含公开。
**技术特征I:** 其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m<br><br>不公开对比文件全文未提及出口距离的任何数值范围。对比文件缺乏对该最小距离y的限定或相关教导。目标专利通过设定y为0.001~0.050m来优化出口碰撞条件,对比文件无任何暗示。因此不公开。
**技术特征J:** 其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s<br><br>不公开对比文件全文未涉及流速或速度范围。对比文件未公开微通道后端片材的速度,也未提及相关控制参数。因此不公开。
**技术特征K:** 其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面<br><br>不公开对比文件未描述出口形状或微通道与出口的连接方式。对比文件未涉及出口的几何结构及微通道后端的位置关系。目标专利的圆柱形出口及侧面连接方式有助于实现稳定的流体碰撞条件,对比文件无记载。因此不公开。
**技术特征L:** 其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线<br><br>不公开对比文件未提及供应线或进料管线。对比文件仅提到“将混合物通过微流体化器”,未描述任何专门的供应线路。本领域技术人员不能确定对比文件的设备是否必然具有独立的供应线,因可能采用直接倒入或简单管道进料。对比文件未明确或隐含公开此特定部件。因此不公开。
**技术特征M:** 其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴<br><br>不公开对比文件未指定操作压力数值。对比文件仅在制备例中提到使用微流体化器,但未公开其工作压力范围。虽然微流体化器常用压力可能在100~3000 bar内,但对比文件未提供任何具体数值或等效暗示,本领域技术人员无法从对比文件内容直接且毫无疑义地确定该压力范围。因此不公开。

### 公开性代码汇总

根据上述判断,对比文件隐含公开了技术特征A、B、C、D、F、G、H。

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