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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
2026-07-03 01:19
2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx

对比文件的名称:2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법

目标专利的名称:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A**:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中《隐含公开》[0012]“超高压均质器包括:流入部,与所述第3管道连接并接收混合液”。对比文件公开的超高压均质器包含流入部(相当于入口),用于接收混合液。虽然未明确提及“片材”,但超高压均质器作为已知的片材剥离装置基础结构,本领域技术人员能够合理推断该入口可用于供应片材(如石墨分散液)。因此隐含公开。
**技术特征B**:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力《未公开》[0012]“压力泵,从所述流入部接收混合液,对混合液施加预设压力并传递”。对比文件中压力泵位于流入部(入口)的后端,而非前端。目标专利明确限定高压泵位于入口前端,两者位置关系不同,且对比文件未给出任何将泵设于入口前端的教导或暗示。因此既不直接公开,也不隐含公开。
**技术特征C**:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化《直接公开》[0012]“微孔喷嘴室,从所述压力泵接收混合液,并包括…弯曲管”;[0014]“另一方面,所述弯曲管的直径形成为60~500㎛以内”。对比文件公开的弯曲管直径在60~500μm(微米级),构成微通道;该弯曲管位于压力泵之后即入口后端;混合液通过压力泵加压后穿过弯曲管,在过程中受剪切力、空化等作用使沉淀物被均质化为纳米颗粒。结构与功能等同于目标专利的微通道及均质化作用,因此直接公开。
**技术特征D**:出口,位于所述微通道的后端《直接公开》[0012]“排出部,通过第4管道与所述第二文丘里管的出口连接,接收并排出由金属氧化物纳米粒子和液态物质构成的产物”。对比文件的排出部位于微通道(弯曲管)的后端,用于接收并排出处理后的产物,对应目标专利的出口。直接公开。
**技术特征E**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10-5)x-(4.2×10-5)《未公开》无相关记载。对比文件未涉及微通道后端与出口壁面的最小距离,未提及排出速度与距离的关系,也未给出任何类似公式。本领域技术人员无法从对比文件中获得该技术特征。因此未公开。
**技术特征F**:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口《未公开》[0016]描述的方法步骤:准备步骤、混合液生成步骤、注入步骤、加压步骤、纳米粒子生成步骤、排出步骤。其中注入步骤是将混合液注入超高压均质器,混合液由前体水溶液和沉淀剂水溶液组成,不含石墨。对比文件的方法使用前体水溶液与沉淀剂水溶液,不涉及石墨。因此未公开将包含石墨的溶液供应到入口的步骤。未公开。
**技术特征G**:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道《未公开》[0016]加压步骤:通过压力泵对混合液加压并输送到微孔喷嘴室。但混合液不含石墨。同特征F,对比文件未涉及含石墨的溶液。未公开。
**技术特征H**:3)从所述出口回收石墨烯分散体《未公开》[0016]排出步骤:排出由金属氧化物纳米粒子和液态物质构成的产物。对比文件回收的是金属氧化物纳米粒子分散体,并非石墨烯分散体。未公开。
**技术特征I**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m《未公开》无相关记载。对比文件未公开微通道后端与出口壁面间的距离,更未给出0.001m至0.050m的范围。未公开。
**技术特征J**:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s《未公开》无相关记载。对比文件未公开微通道后端处片材的速度,也未给出10m/s至600m/s的范围。未公开。
**技术特征K**:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面《未公开》无相关描述。对比文件未描述出口的形状,也未说明微通道后端与出口的位置关系。未公开。
**技术特征L**:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线《隐含公开》[0010]“第3管道从混合阀接收混合液并输送到超高压均质器”;[0012]“流入部与第3管道连接接收混合液”。对比文件公开了第3管道(供应线)将混合液供应到流入部(入口)。尽管混合液不含片材,但该供应线结构可用于输送任何物料(包括片材分散液),本领域技术人员能够合理推断其可用于将片材供应至入口。因此隐含公开。
**技术特征M**:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴《未公开》[0011]“超高压均质器对混合液施加的压力在200~3,000bar以内”;[0019]“压力泵施加的压力在200~3,000bar以内”。对比文件公开的压力范围是200~3000bar,未覆盖100~200bar,且说明低于200bar能量不足以生成纳米颗粒。因此未公开100巴至3000巴的完整范围,也不构成隐含公开。

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