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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx

对比文件名称:2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물

目标专利名称:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

本次调用的模型名称:GPT-4

技术特征及公开性判断对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中<br>【直接公开】[0078] “高压均化器可以具有包括原料的流入部(相当于入口)……的结构。”对比文件明确记载高压均化器包含“流入部”,该流入部用于引入原料,与目标专利中的“入口”功能完全相同。本领域技术人员可直接得出该特征。
**技术特征B**:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力<br>【隐含公开】[0078] “通过这种高压均化器的流入部,例如在施加约100至3000 bar的高压的同时,引入包含石墨或其衍生物的分散液状态的原料”。对比文件虽未直接写出“高压泵”,但高压均化器本身必然包含产生高压的泵部件,且对比文件明确提到“施加高压”。本领域技术人员可合理推断出该装置包含位于入口前端的高压泵。
**技术特征C**:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化<br>【直接公开】[0078] “……连接流入部和流出部并具有微米级直径的微细流路(相当于微通道)……该原料通过微米级(例如约10至800 μm直径)的微细流路,因此可以向该原料施加高剪切力。”对比文件明确描述了原料在高压下通过微米级直径的微细流路,受到高剪切力而被均质化,与目标专利的微通道及其功能完全对应。
**技术特征D**:出口,位于所述微通道的后端<br>【直接公开】[0078] “高压均化器可以具有包括……剥离产物的流出部(相当于出口)……连接流入部和流出部……的结构。”对比文件明确记载高压均化器包含“流出部”,该流出部位于微细流路的后端,用于排出产物,与目标专利的出口一致。
**技术特征E**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)<br>【未公开】对比文件全文未提及任何关于微通道后端与出口壁面之间的距离参数,也未涉及排出速度的计算或方程。对比文件仅一般性地描述了高压均化器的结构,没有给出出口距离与速度的特定关系或数学表达式,因此未公开该特征。
**技术特征F**:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口<br>【直接公开】[0115] “与实施例1相同地形成原始石墨的分散液。将该分散液……引入高压均化器的入口”。对比文件实施例明确记载将包含石墨的分散液(溶液)供应到高压均化器的入口,与方法步骤1完全相同。
**技术特征G**:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道<br>【直接公开】[0115] “将该分散液以约1600 bar的高压引入高压均化器的入口,使其通过微细流路”。对比文件记载在高压下引入分散液,使其通过微细流路,高压由高压泵产生(隐含),该步骤与方法步骤2实质相同。
**技术特征H**:3)从所述出口回收石墨烯分散体<br>【直接公开】[0078] 记载了“流出部(出口)”,[0115] 记载了经过微细流路后得到石墨烯片(分散体),必然从出口回收。对比文件通过流出部收集剥离产物,且实施例得到的产物即为石墨烯分散体,与方法步骤3完全对应。
**技术特征I**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m<br>【未公开】对比文件未提及任何关于出口壁面距离的具体数值范围。对比文件没有公开微通道后端到出口壁面的最小距离,也没有给出0.001m至0.050m的限定,故未公开。
**技术特征J**:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s<br>【未公开】对比文件未提及微通道后端片材的排出速度范围。对比文件没有公开任何关于速度的具体数值,故未公开。
**技术特征K**:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面<br>【未公开】对比文件图1为示意性结构图,未显示出口为圆柱形,也未说明微通道后端位于出口侧面。对比文件未公开出口的具体几何形状以及微通道与出口的相对位置,故未公开。
**技术特征L**:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线<br>【隐含公开】[0078] 描述了原料通过流入部引入,[0115] 实施例中通过操作实现供应。对比文件虽未明确写出“供应线”,但高压均化器正常工作时必然需要管道等将原料输送至入口,本领域技术人员可合理推断该装置具备供应线。
**技术特征M**:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴<br>【直接公开】[0078] “在施加约100至3000 bar的高压的同时,引入……原料”。对比文件明确记载了高压的范围为约100至3000 bar,与特征M的压力范围完全一致。

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