对比文件名称：2006-04-13_JP2006100475A_发明专利_JP2006100475A Semiconductor light emitting element
目标专利名称：1734发光器件CN102867897B
模型名称：本次调用模型名称（未指定）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一导电型第一半导体层《直接公开》 | 对比文件[0059]记载：“ｐ型コンタクト層7は、Ｍｇドープのｐ型Ｉｎ0.03Ｇａ0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層7”。同时[0058]记载了“ｐ型クラッド層6”。 | 对比文件公开了p型半导体层（p型接触层和p型包层），属于第一导电型（p型）半导体层，由III族氮化物半导体形成，与目标专利中作为p型层的第一导电型第一半导体层实质相同，且均用于空穴注入，作用相同。因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电型第一半导体层上的有源层（未公开） | 对比文件[0057]记载活性层5形成在n型层上，且p型层形成在活性层上。 | 对比文件中，有源层（活性层5）位于n型层之上，p型层位于有源层之上，而非p型层上有源层，因此未公开该位置关系。 |
| 技术特征C：在所述有源层上的第二导电型第二半导体层（未公开） | 对比文件[0058]记载在活性层5上形成ｐ型クラッド層6和ｐ型コンタクト層7，这些层为p型。 | 对比文件中，有源层上的半导体层为p型，目标专利要求第二导电型（n型）半导体层，因此未公开。 |
| 技术特征D：包括突出部并且设置在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层（未公开） | 对比文件全文未记载可靠性增强层或类似层。 | 对比文件没有公开任何位于第二导电型半导体层上的可靠性增强层，也没有突出部结构，因此未公开。 |
| 技术特征E：在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层（未公开） | 对比文件[0059]记载ｐ型コンタクト層7表面具有光提取图案（凹坑），但该层为p型，且无可靠性增强层。 | 对比文件未公开可靠性增强层，且其光提取图案层为p型，不是第二导电型（n型），因此未公开。 |
| 技术特征F：其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离（未公开） | 对比文件无可靠性增强层，故无相关距离。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征G：其中所述可靠性增强层的厚度为5nm到200nm（未公开） | 对比文件无可靠性增强层。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征H：其中所述可靠性增强层包括InxAlyGa(1-x-y)N（未公开） | 对比文件无可靠性增强层。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征I：其中0≤x≤1并且0≤y≤1并且0≤x+y≤1（未公开） | 对比文件无可靠性增强层。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征J：其中所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式InpAlqGa1-p-qN的半导体材料（未公开） | 对比文件[0059]公开了ｐ型Ｉｎ0.03Ｇａ0.97Ｎ，但该层为p型，且非第二导电型第三半导体层。 | 对比文件未公开第二导电型（n型）第三半导体层具有该组成，且该层在目标专利中位于可靠性增强层上，对比文件无此结构。 |
| 技术特征K：其中0≤p≤1（未公开） | 无对应内容。 | 由于未公开特征J，该特征未公开。 |
| 技术特征L：0≤q≤1并且0≤p+q≤1（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中所述可靠性增强层的铝组成(y)大于所述第二导电型第三半导体层的铝组成(q)（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征N：其中所述可靠性增强层的铝组成(y)满足下式（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征O：q+0.05≤y≤q+0.5（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征P：其中0≤q≤0.5（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中如果所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式InpAlqGa1-p-qN的半导体材料（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中0≤p≤1（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征S：0≤q≤1并且0≤p+q≤1（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征T：则所述可靠性增强层的铟组成小于所述第二导电型第三半导体层的铟组成（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中所述可靠性增强层的能带隙大于所述第二导电型第三半导体层的能带隙（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件未公开可靠性增强层，且未公开该能带隙关系。 |
| 技术特征V：其中所述可靠性增强层包括具有不同能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件未公开可靠性增强层，也未公开多层结构。 |
| 技术特征W：其中所述可靠性增强层的电阻大于所述第二导电型第三半导体层的电阻（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件未公开可靠性增强层，也未公开电阻比较。 |
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