对比文件名称：2008-09-18_JP2008218746A_发明专利_JP2008218746A Group iii nitride-system semiconductor light-emitting device
目标专利名称：1734发光器件CN102867897B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一导电型第一半导体层 《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段（图1描述）：“具备第一导电型氮化镓系半导体区域13、第二导电型氮化镓系半导体区域15以及设置在这些半导体区域13、15之间的活性层17。” 实施例中：“生长了厚度5μm的n型（添加硅）GaN膜55”以及“生长了厚度500nm的n型（添加硅）In<sub>0.01</sub>Ga<sub>0.99</sub>N膜57”。 | 对比文件明确公开了第一导电型半导体层（n型GaN膜和n型InGaN膜），本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定该技术特征。权利要求未限定导电类型，故结构特征已被公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电型第一半导体层上的有源层 《直接公开》 | 同上，对比文件公开了活性层17设置在第一导电型半导体区域13上。实施例中活性层59设置在n型InGaN膜57上。 | 对比文件明确公开了有源层位于第一导电型半导体层上，直接公开。 |
| 技术特征C：在所述有源层上的第二导电型第二半导体层 《直接公开》 | 同上，对比文件公开了第二导电型氮化镓系半导体区域15设置在活性层17上。实施例中包括p型AlGaN电子阻挡层61和p型GaN接触层63。 | 对比文件明确公开了第二导电型半导体层位于有源层上，直接公开。 |
| 技术特征D：包括突出部并且设置在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层 《未公开》 | 对比文件未公开任何层具有突出部且设置在第二导电型第二半导体层上作为可靠性增强层。对比文件中的未掺杂GaN层（层60）设置在活性层上，而非第二导电型第二半导体层上，且未提及突出部或可靠性增强功能。 | 对比文件没有公开该技术特征，既无直接公开也无隐含公开。 |
| 技术特征E：在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层 《未公开》 | 对比文件未公开光提取图案，也未公开第二导电型第三半导体层。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征F：其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层，因此未公开该距离。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征G：其中所述可靠性增强层的厚度为5nm到200nm 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层，因此未公开该厚度范围。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征H：其中所述可靠性增强层包括In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>(1-x-y)</sub>N 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层，但公开了其他层如InGaN、AlGaN，但未作为可靠性增强层。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征I：其中0≤x≤1并且0≤y≤1并且0≤x+y≤1 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层，因此未公开该组成范围。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征J：其中所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式In<sub>p</sub>Al<sub>q</sub>Ga<sub>1-p-q</sub>N的半导体材料 《未公开》 | 对比文件未公开第二导电型第三半导体层。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征K：其中0≤p≤1 《未公开》 | 对比文件未公开第二导电型第三半导体层，因此未公开该范围。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征L：0≤q≤1并且0≤p+q≤1 《未公开》 | 对比文件未公开第二导电型第三半导体层，因此未公开该范围。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征M：其中所述可靠性增强层的铝组成(y)大于所述第二导电型第三半导体层的铝组成(q) 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层和第二导电型第三半导体层，因此未公开该比较关系。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征N：其中所述可靠性增强层的铝组成(y)满足下式 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层，因此未公开该公式。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征O：q+0.05≤y≤q+0.5 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层，因此未公开该不等式。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征P：其中0≤q≤0.5 《未公开》 | 对比文件未公开第二导电型第三半导体层，因此未公开该范围。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征Q：其中如果所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式In<sub>p</sub>Al<sub>q</sub>Ga<sub>1-p-q</sub>N的半导体材料 《未公开》 | 对比文件未公开第二导电型第三半导体层。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征R：其中0≤p≤1 《未公开》 | 对比文件未公开第二导电型第三半导体层，因此未公开该范围。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征S：0≤q≤1并且0≤p+q≤1 《未公开》 | 对比文件未公开第二导电型第三半导体层，因此未公开该范围。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征T：则所述可靠性增强层的铟组成小于所述第二导电型第三半导体层的铟组成 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层和第二导电型第三半导体层，因此未公开该比较关系。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征U：其中所述可靠性增强层的能带隙大于所述第二导电型第三半导体层的能带隙 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层和第二导电型第三半导体层，因此未公开该比较关系。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征V：其中所述可靠性增强层包括具有不同能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层，也未公开具有不同能带隙的多层结构。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
| 技术特征W：其中所述可靠性增强层的电阻大于所述第二导电型第三半导体层的电阻 《未公开》 | 对比文件未公开可靠性增强层和第二导电型第三半导体层，因此未公开该比较关系。 | 对比文件没有公开该技术特征。 |
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