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对比文件列表
2000-10-17_JP2000290388A_发明专利_JP2000290388A Solution film-forming method and vacuum chamber_+++A_C_F_G_H_K_M_N_O_S_T+++.docx
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2002-12-17_JP2002361146A_发明专利_JP2002361146A Bead type application apparatus and bead type application method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_N_O_S_T_Z_k_m+++.docx
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2003-07-02_JP2003181857A_发明专利_JP2003181857A Method for manufacturing solution film_+++A_B_C_F_G_H_I_K_M_N_O_e_s_t+++.docx
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2003-09-09_JP2003251260A_发明专利_JP2003251260A Coating method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_Z+++.docx
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2006-03-30_US2006068114A_发明申请_US20060068114A1 Coating method of coating solution_+++A_B_C_D_E_H_Z_f_g+++.docx
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2006-04-13_JP2006095456A_发明专利_JP2006095456A Coating method and coating apparatus for coating liquid_+++A_B_C_D_E_F_G_H_Z+++.docx
2026-07-29 10:47
2006-12-13_JP3856114B_发明专利_JP3856114B2 Solution casting method_+++A_B_C_D_F_G_H_K_L_M_N_O_Z_e_i+++.docx
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2006-12-21_JP2006341177A_发明专利_JP2006341177A Coating device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_V_X_Z_n_o_s_t_w+++.docx
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2007-10-18_JP2007268383A_发明专利_JP2007268383A Applicator, application method and manufacturing method of optical film_+++A_B_C_D_E_F_G_H_N_O_S_T_V_X_Y_Z_i_j_k_l_m_w+++.docx
2026-07-29 10:47
2009-10-22_JP2009241013A_发明专利_JP2009241013A Coating method and coating machine_+++A_B_C_D_E_F_G_Z_h+++.docx
2026-07-29 10:47
2011-09-01_KR1020110098578A_发明公开_KR1020110098578A 고분자 전해질막 연료전지용 전극-막 접합체의 균일코팅을 위한 슬롯 코팅 다이 내부 설계방법 및 슬롯 코팅 다이 장치_+++A_B_z+++.docx
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2012-02-08_CN102343321A_发明公开_CN102343321A 涂覆设备的真空室系统和利用该真空室系统的涂覆方法_+++A_B_C_D_F_G_Z_e+++.docx
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2000-10-17_JP2000290388A_发明专利_JP2000290388A Solution film-forming method and vacuum chamber_+++A_C_F_G_H_K_M_N_O_S_T+++.docx

对比文件名称:2000-10-17_JP2000290388A_发明专利_JP2000290388A Solution film-forming method and vacuum chamber

目标专利名称:1739狭缝式模具涂布装置CN104781016B

模型名称:未提供

以下为特征比对表格:

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(日文及中文翻译)公开性论述
**技术特征A:包括狭缝式模具**<br>《直接公开》【0019】“流延ダイ1(図1では単層流延ダイが示されている)”。<br>翻译:流延模具1(图1中示出单层流延模具)。对比文件中的“流延ダイ”即为用于挤出膜状溶液的狭缝式模具,本领域技术人员可毫无疑义地确定其公开了狭缝式模具。
**技术特征B:该狭缝式模具配置为向基膜供应涂布液**<br>(未公开)【0026】“流延ダイ1からドープを、...流延バンド(仮支持体)7上に吐出させて流延させる”。<br>翻译:从流延模具1将掺杂液吐出到流延带(临时支持体)7上进行流延。对比文件中的模具是向临时支持体(流延带)供应树脂溶液以形成膜,并非向预先存在的基膜供应涂布液。目标专利中的基膜是涂布对象,而对比文件的支持体是载体,两者不同,故未公开。
**技术特征C:真空室**<br>《直接公开》【0019】“減圧チャンバ2”。<br>翻译:减压室2。对比文件中的“減圧チャンバ”即真空室,直接公开。
**技术特征D:该真空室安装在所述狭缝式模具的前端**<br>(未公开)【0020】“流延ダイ1の後方に設けられた減圧チャンバ2”。<br>翻译:设置于流延模具1后方的减压室2。对比文件明确将减压室安装在模具的后方,而非前端。目标专利要求安装在前端,位置不同,故未公开。
**技术特征E:在该真空室与所述基膜之间形成有间隙**<br>(未公开)对比文件未提及真空室与基膜之间的间隙,其减压室与临时支持体之间存在间隙(但支持体非基膜)。目标专利的间隙是真空室与基膜之间,对比文件没有基膜,且未公开类似间隙,因此未公开。
**技术特征F:压力振荡减低箱**<br>《直接公开》【0020】“バッファタンク5”;【0021】“先端が閉塞している分岐管(サイドブランチ)6”。<br>翻译:缓冲罐5;前端封闭的分支管(侧支)6。缓冲罐和分支管均用于降低压力振荡,直接公开了压力振荡减低箱。
**技术特征G:该压力振荡减低箱连接至所述真空室**<br>《直接公开》【0020】“吸引ダクト3の途中に設けられた...バッファタンク5”。<br>翻译:设置于吸引管道3中途的缓冲罐5。缓冲罐通过吸引管道连接至减压室,直接公开了连接关系。
**技术特征H:其中连接至真空泵的第一管道与所述真空室的一侧相连接**<br>《直接公开》【0020】“減圧チャンバ2と減圧吸引するためのブロワ4とを連結している吸引ダクト3”。<br>翻译:连接减压室2和用于减压吸引的鼓风机4的吸引管道3。吸引管道即为第一管道,连接真空室和真空泵(鼓风机),直接公开。
**技术特征I:其中连接至所述压力振荡减低箱的第二管道与所述第一管道的一侧相连接**<br>(未公开)对比文件中缓冲罐串联在吸引管道中,无第二管道分支;分支管虽从吸引管道分支,但分支管本身是封闭管,并非用于连接箱体的第二管道。未公开第二管道连接压力振荡减低箱与第一管道一侧的结构,故未公开。
**技术特征J:压力表安装在第一管道的一侧以检查真空室的内部压力**<br>(未公开)对比文件未提及任何压力表。完全未公开,故未公开。
**技术特征K:该狭缝式模具涂布装置满足下面的公式1**<br>《直接公开》【0027】“バッファタンクは、減圧チャンバの容量の10〜100倍の容量を有することが好ましい”。<br>翻译:缓冲罐优选具有减压室容量10~100倍的容量。由于缓冲罐容量是减压室容量的10倍以上,必然满足V1≤V2,即满足公式1,直接公开。
**技术特征L:[公式1]**<br>(未公开)对比文件无公式1的任何记载。未公开。
**技术特征M:V1≤V2**<br>《直接公开》同K,引用【0027】。直接公开了V1≤V2的关系。
**技术特征N:其中V1表示所述真空室的体积**<br>《直接公开》【0027】“減圧チャンバの容量”。<br>翻译:减压室的容量。容量即体积,直接公开了V1表示真空室体积。
**技术特征O:V2表示所述压力振荡减低箱的体积**<br>《直接公开》【0027】“バッファタンクの容量”。<br>翻译:缓冲罐的容量。直接公开了V2表示压力振荡减低箱体积。
**技术特征P:该狭缝式模具涂布装置满足下面的公式2**<br>(未公开)对比文件无公式2的任何记载。未公开。
**技术特征Q:[公式2]**<br>(未公开)对比文件无公式2。未公开。
**技术特征R:V1+V2≥A(P2-P1)DW**<br>(未公开)对比文件未公开该不等式。未公开。
**技术特征S:其中V1表示所述真空室的体积(m3)**<br>《直接公开》【0027】“減圧チャンバの容量”。<br>翻译:减压室的容量。容量即体积,本领域技术人员可知单位可转换为m³,因此直接公开。
**技术特征T:V2表示所述压力振荡减低箱的体积(m3)**<br>《直接公开》【0027】“バッファタンクの容量”。<br>翻译:缓冲罐的容量。同S,直接公开。
**技术特征U:A为1m3/N至20m3/N**<br>(未公开)对比文件未公开A的范围。未公开。
**技术特征V:P1表示该真空室中的压力(N/m2)**<br>(未公开)对比文件仅提及减压度,未明确压力单位。未公开。
**技术特征W:P2表示大气压力(N/m2)**<br>(未公开)对比文件未提及。未公开。
**技术特征X:D表示在该真空室处形成的间隙的宽度(m)**<br>(未公开)对比文件未提及真空室与基膜之间的间隙宽度。未公开。
**技术特征Y:W表示在对所述基膜进行涂布后形成的涂层的水平长度(m)**<br>(未公开)对比文件未提及涂层水平长度。未公开。
**技术特征Z:其中所述基膜为通过辊供应的基膜**<br>(未公开)对比文件使用流延带或冷却鼓作为临时支持体,并非基膜。未公开基膜通过辊供应。

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