对比文件名称：2008-03-13_US2008061717A_发明申请_US20080061717A1 Led Array
目标专利名称：1749发光模块CN102456681B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号） | 公开性论述 |
| 特征A：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔《未公开》 | 无直接引用。对比文件仅提及载体体可由金属制成（[0029]：“载体体4优选由良好导热材料如金属制成”），但未公开在金属板中形成空腔。 | 对比文件未公开任何金属板空腔结构，该特征未公开。 |
| 特征B：在所述空腔上的氮化物绝缘基板《未公开》 | 对比文件公开芯片载体可由AlN等陶瓷制成（[0011]：“芯片载体最好由陶瓷制成，特别是可以包含AlN”），但未公开空腔及基板位于空腔上。 | 对比文件没有空腔结构，因此未公开该特征。 |
| 特征C：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件《直接公开》 | [0026]：“六个LED芯片2安装在芯片载体1上。” [0011]：“芯片载体最好由陶瓷制成，特别是可以包含AlN。” | 对比文件明确公开了多个LED芯片（发光器件）安装在AlN芯片载体（氮化物绝缘基板）上，因此直接公开。 |
| 特征D：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层《隐含公开》 | [0026]：“LED芯片安装在芯片载体上”，但未说明结合方式。 | 本领域技术人员公知，LED芯片通常通过焊料或导电粘合剂附着到载体上，因此必然存在结合层。对比文件虽未明确，但隐含公开了该特征。 |
| 特征E：倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未涉及倒圆角结构，未公开。 |
| 特征F：引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开引导突起，未公开。 |
| 特征G：所述金属板上的绝缘层《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件没有金属板及绝缘层结构，未公开。 |
| 特征H：基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开绝缘层上的焊盘，未公开。 |
| 特征I：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开阻焊剂，未公开。 |
| 特征J：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件无空腔和倒圆角，未公开。 |
| 特征K：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件无空腔、引导突起等，未公开。 |
| 特征L：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件无相关结构，未公开。 |
| 特征M：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开阻焊剂，未公开。 |
| 特征N：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率《隐含公开》 | [0011]：“芯片载体特别可以包含AlN。” | 对比文件公开了芯片载体为AlN，AlN是典型的高导热陶瓷，本领域技术人员可以合理推定其导热率通常达到170Kcal/m·h·℃或更高，因此隐含公开该特征。 |
| 特征O：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开焊盘结构，未公开。 |
| 特征P：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开，未公开。 |
| 特征Q：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开，未公开。 |
| 特征R：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案《未公开》 | 图1a显示六个LED芯片排列，但未明确Z字形。 | 对比文件未公开Z字形布置，未公开。 |
| 特征S：其中，所述多个发光器件相互串联连接《未公开》 | 无明确记载。 | 对比文件未公开LED芯片的连接方式，未公开。 |
| 特征T：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开齐纳二极管，未公开。 |
| 特征U：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻《直接公开》 | [0015]：“温度传感器可以是依赖于温度的电阻器（NTC或PTC）。” [0007]：“LED阵列包含温度传感器。” | 对比文件明确公开了温度传感器具有随温度变化的电阻，且该传感器与LED芯片是独立的，因而电隔离，直接公开。 |
| 特征V：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内《直接公开》 | [0010]：“温度传感器与至少一个LED芯片之间的距离优选为5mm或更小。” | 对比文件公开了温度传感器与LED芯片的距离≤5mm，LED芯片位于空腔中，因此相当于距空腔5mm以内，直接公开。 |
| 特征W：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件无引导突起，未公开。 |
| 特征X：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上《直接公开》 | [0011]：“温度传感器附着到芯片载体。芯片载体优选由陶瓷制成，特别可以包含AlN。” | 对比文件公开了温度传感器安装在AlN芯片载体上，即氮化物绝缘基板，直接公开。 |
| 特征Y：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开绝缘层和掩埋，未公开。 |
| 特征Z：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开，未公开。 |
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