对比文件名称：2010-10-21_US2010263725A_发明申请_US20100263725A1 METHOD FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL WITH A SURFACE-PASSIVATING DIELECTRIC DOUBLE LAYER, AND CORRESPONDING SOLAR CELL
目标专利名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述太阳能电池包括《直接公开》 | 对比文件[0032]：“根据本发明的第二方面，提出一种太阳能电池，包括硅基板；第一介电层，包括铝氧化物，在硅基板的表面上；以及第二介电层，在第一介电层的表面上，第一和第二介电层的材料不同，且氢嵌入第二介电层中。” | 对比文件明确公开了一种太阳能电池的结构，包括硅基板、铝氧化物介电层和第二介电层，因此直接公开了“太阳能电池包括”这一基础特征。 |
| 技术特征B：所述半导体基板《直接公开》 | 对比文件[0016]：“所提供的硅基板可以是薄的单晶或多晶硅晶圆或硅薄膜。” | 对比文件直接提及“硅基板”作为太阳能电池的基底，与目标专利的半导体基板实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处《直接公开》 | 对比文件[0006]：“在高度硼掺杂的p+硅表面上，硅氮化物甚至可能导致去钝化，与未钝化的p+表面相比。” | 对比文件明确公开了“高度硼掺杂的p+硅表面”，即p型重掺杂区域，该区域形成在硅基板中，因此直接公开了p型导电区域形成在基板处。 |
| 技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质《直接公开》 | 对比文件[0006]：“高度硼掺杂的p+硅表面”中的“硼掺杂”表明p型杂质为硼，因此直接公开。 | 对比文件明确提到硼掺杂，硼是p型杂质，因此直接公开了p型导电区域包含p型杂质。 |
| 技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上《直接公开》 | 对比文件[0011]：“通过原子层沉积在硅基板的表面上沉积第一介电层，其中第一介电层包括铝氧化物。”该表面包括p型导电区域。 | 对比文件的第一介电层（铝氧化物）直接沉积在硅基板表面，该表面包括p型导电区域，因此钝化膜直接形成在p型导电区域上。 |
| 技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物《直接公开》 | 对比文件[0011]：“第一介电层包括铝氧化物。” | 对比文件明确第一介电层包含铝氧化物，因此直接公开了钝化膜包括铝氧化物。 |
| 技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上《直接公开》 | 对比文件[0011]：“在第一介电层的表面上沉积第二介电层。”以及[0017]：“第二介电层优选作为抗反射层施加。” | 对比文件公开了第二介电层沉积在第一介电层（钝化膜）上，且该第二介电层可作为抗反射层，因此直接公开了抗反射膜形成在钝化膜上。 |
| 技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物《直接公开》 | 对比文件[0026]：“第二介电层包括硅氮化物、硅氧化物和/或硅碳化物。” | 对比文件明确第二介电层可由硅氮化物构成，因此直接公开了抗反射膜包含硅氮化物。 |
| 技术特征I：所述钝化膜具有7至的厚度《隐含公开》 | 对比文件[0030]：“第一介电层沉积厚度小于50nm，优选小于30nm，更优选小于10nm。”以及[0040]：“Al2O3层3的层厚度限制在约5nm。” | 对比文件公开了第一介电层厚度优选小于10nm，但未明确给出7-10nm的具体数值范围。然而，本领域技术人员根据对比文件教导（厚度很薄时效果更好且厚度小于10nm），可以合理选择7-10nm这一子范围，因此隐含公开了该厚度范围。 |
| 技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | 对比文件[0022]：“形成至少包含Al2O3分子且优选完全由Al2O3分子组成的层。” | 对比文件明确铝氧化物为Al2O3（x=0），而非化学式AlO1.5+X（0<x<0.5），因此未公开该特征。 |
| 技术特征K：其中0《未公开》 | 对比文件[0022]同上，仅公开Al2O3。 | 对比文件未公开任何关于非化学计量比铝氧化物中x的范围（0<x<0.5），因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | 同特征J，对比文件仅公开Al2O3。 | 对比文件未公开非化学计量比的铝氧化物，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中0.001≤x≤0.5《未公开》 | 同特征J，对比文件仅公开Al2O3。 | 对比文件未公开x的具体范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层《隐含公开》 | 对比文件[0038]：“硅晶圆1，尚未完全加工成太阳能电池，并且在其上例如预先扩散了发射极的表面。”以及[0006]：“高度硼掺杂的p+硅表面。” | 对比文件提到了“发射极”扩散，但未明确导电类型。然而，结合对比文件[0006]的p+表面，本领域技术人员可以合理推断该发射极层可以是p型（例如在n型基板上），因此隐含公开了p型导电区域包括发射极层。 |
| 技术特征O：所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处《隐含公开》 | 对比文件[0038]：“在其上例如预先扩散了发射极的表面。”未明确前表面，但通常发射极位于前表面。 | 本领域技术人员根据常识，太阳能电池的发射极通常形成在前表面，结合对比文件提到“表面”，可以合理推断发射极层位于前表面，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：所述钝化膜形成在所述发射极层上《隐含公开》 | 对比文件[0011]：“在硅基板的表面上沉积第一介电层。”该表面包括发射极层表面。 | 由于对比文件公开了钝化膜（第一介电层）沉积在硅基板表面，而该表面包含发射极层，因此钝化膜必然形成在发射极层上，但该推论依赖于发射极层的存在，故隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层《未公开》 | 对比文件[0018]提到背面钝化层和金属涂层，但未公开形成p型背表面场层。 | 对比文件未提及任何关于背表面场层的形成或结构，因此未公开。 |
| 技术特征R：所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处《未公开》 | 对比文件未公开背表面场层。 | 对比文件未涉及背表面场层，故未公开。 |
| 技术特征S：所述钝化膜形成在所述背表面场层上《未公开》 | 对比文件未公开背表面场层。 | 由于背表面场层未被公开，该特征也不被公开。 |
| 技术特征T：所述太阳能电池进一步包括电极《直接公开》 | 对比文件[0045]：“金属触点7、9施加到涂覆的硅基板的前表面和背面，并在连续炉中烧结。” | 对比文件直接公开了太阳能电池具有金属触点（电极），因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述电极形成在所述钝化膜上《直接公开》 | 对比文件[0045]：“金属触点施加到涂覆的硅基板”，即施加在钝化膜上。 | 电极直接形成在涂覆有介电层的基板上，其中介电层包括钝化膜，因此电极形成在钝化膜上，直接公开。 |
| 技术特征V：所述电极电连接到所述p型导电区域《直接公开》 | 对比文件[0045]：“烧结”使金属触点电连接到硅基板。 | 通过烧结工艺，电极与硅基板（包括p型导电区域）形成电连接，直接公开。 |
| 技术特征W：所述电极完全形成在所述钝化膜上《直接公开》 | 对比文件[0018]：“钝化层与背面整个面积的金属涂层一起形成有效的反射镜。” | 对比文件明确背面金属涂层覆盖整个背面面积，即完全形成在钝化膜上，直接公开。 |
| 技术特征X：所述电极与所述p型导电区域点接触《隐含公开》 | 对比文件[0045]：“烧结”使金属触点穿透介电层与硅接触。 | 烧结工艺通常形成局部点状或线状接触，本领域技术人员可以合理推断电极与p型导电区域为点接触，因此隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中《未公开》 | 对比文件未公开背表面场层，也未公开局部形成。 | 对比文件未提供任何关于背表面场层局部形成的教导，因此未公开。 |
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