对比文件名称：2012-07-18_CN102593240A_发明公开_CN102593240A 太阳能电池及其制造方法
目标专利名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述太阳能电池包括《直接公开》 | [0044]“根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池11包括：基板110、位于基板110的正面处的发射区121、位于发射区121上的防反射层130、连接到发射区121的前电极部件140、位于基板110的背面上的钝化层190、位于钝化层190上并连接到基板110的背电极部件150以及选择性地位于基板110的背面处的多个场区（即，背场(BSF)区）172。” | 对比文件直接公开了一种太阳能电池11，其包括基板、发射区、防反射层、电极、钝化层等，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述半导体基板《直接公开》 | [0044]“基板110”；[0045]“基板110是由诸如第一导电类型硅(例如，p型硅)的半导体形成的半导体基板”。 | 对比文件明确公开了半导体基板110，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处《直接公开》 | [0044]“基板110”为p型硅；[0093]“多个BSF区172中的每一个是利用与基板110相同导电类型的杂质来比基板110更重地掺杂的区域(例如，p+型区域)”。 | 对比文件公开了p型基板（第一导电类型）以及p+型BSF区，两者均为形成在半导体基板处的p型导电区域，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质《直接公开》 | [0045]“基板110可以掺杂有诸如硼(B)、镓(Ga)和铟(In)的III族元素的杂质”；[0093]“BSF区172是利用与基板110相同导电类型的杂质来比基板110更重地掺杂的区域(例如，p+型区域)”。 | 对比文件公开了p型基板和p+型BSF区均包含p型杂质（III族元素），因此技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上《直接公开》 | [0044]“钝化层190位于基板110的背面”；[0078]“第一钝化层191可以由氧化硅(SiOx)或氧化铝(AlxOy)形成”。 | 对比文件公开了钝化层190（包括第一钝化层191）形成在p型基板背面（p型导电区域）上，因此技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物《直接公开》 | [0078]“第一钝化层191可以由氧化硅(SiOx)或氧化铝(AlxOy)形成”。 | 对比文件明确公开了第一钝化层191可以由氧化铝（AlxOy）形成，即钝化膜包括铝氧化物，因此技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上《未公开》 | 对比文件全文未公开在铝氧化物钝化膜上形成抗反射膜的结构。 | 对比文件中的抗反射膜130形成在发射区121上，并非形成在铝氧化物钝化膜上；背面的钝化层190上未设置抗反射膜。因此技术特征G未被直接公开，也无隐含公开的合理依据。 |
| 技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物《直接公开》 | [0062]“防反射层130可以由透明的氢化氮化硅(SiNx:H)形成”。 | 对比文件公开了防反射层由氮化硅（含氢）形成，即包括硅氮化物，因此技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：所述钝化膜具有7至的厚度《未公开》 | [0078]“当第一钝化层191由氧化铝(AlxOy)形成时，第一钝化层191可以具有大约30nm至70nm的厚度”。 | 对比文件公开的氧化铝钝化层厚度为30nm‑70nm，而目标专利要求7‑10nm（从说明书记载推断），两者范围不同且无重叠，因此技术特征I未被直接公开，也无隐含公开的可能性。 |
| 技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | [0078]仅提及“氧化铝(AlxOy)”，未给出具体化学式。 | 对比文件未公开铝氧化物的具体化学式，仅以AlxOy表示，本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出AlO1.5+X，因此技术特征J未被直接公开，也无隐含公开的依据。 |
| 技术特征K：其中0<X<0.5《未公开》 | 同技术特征J，对比文件未公开X范围。 | 对比文件未给出铝氧化物的具体组成范围，因此技术特征K未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | 同技术特征J。 | 与技术特征J相同，对比文件未公开，因此技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中0.001≤x≤0.5《未公开》 | 同技术特征K。 | 与技术特征K相同，对比文件未公开，因此技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层《直接公开》 | [0055]“当基板110是n型的时，发射区121可以是p型的”。 | 对比文件明确公开了在基板为n型时，发射区可以是p型，即p型导电区域包括发射极层，因此技术特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处《直接公开》 | [0044]“发射区121位于基板110的正面”。 | 对比文件公开了发射区形成在基板正面（前表面），因此技术特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：所述钝化膜形成在所述发射极层上《未公开》 | 对比文件未公开在p型发射极上形成铝氧化物钝化膜。 | 对比文件的正面结构中，防反射层130直接形成在发射区121上，或通过前钝化层193（热氧化膜）形成，但未使用铝氧化物钝化膜；背面钝化层用于p型基板，不用于正面发射极。因此技术特征P未被直接公开，也无隐含公开的教导。 |
| 技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层《直接公开》 | [0044]“选择性地位于基板110的背面处的多个场区(即，背场(BSF)区)172”；[0093]“BSF区172是利用与基板110相同导电类型的杂质来比基板110更重地掺杂的区域(例如，p+型区域)”。 | 对比文件公开了BSF区（背表面场层），其为p+型区域，属于p型导电区域，因此技术特征Q被直接公开。 |
| 技术特征R：所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处《直接公开》 | [0044]“选择性地位于基板110的背面处的多个场区(即，背场(BSF)区)172”。 | 对比文件直接公开了BSF区形成在基板背面，因此技术特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：所述钝化膜形成在所述背表面场层上《直接公开》 | [0044]“钝化层190位于基板110的背面”；[0078]“第一钝化层191可以由氧化铝(AlxOy)形成”；[0093]BSF区位于基板背面，钝化层覆盖该区域。 | 对比文件公开了钝化层（包括氧化铝第一钝化层）形成在基板背面，而BSF区位于背面，因此钝化膜形成在背表面场层上，技术特征S被直接公开。 |
| 技术特征T：所述太阳能电池进一步包括电极《直接公开》 | [0044]“前电极部件140”和“背电极部件150”。 | 对比文件公开了前电极和后电极，因此技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：所述电极形成在所述钝化膜上《直接公开》 | [0044]“背电极部件150位于钝化层190上”。 | 对比文件公开了背电极位于钝化层上，因此技术特征U被直接公开。 |
| 技术特征V：所述电极电连接到所述p型导电区域《直接公开》 | [0097]“背电极155包括穿过钝化层190并连接到多个BSF区172的多个接触部分151”。 | 对比文件公开了背电极通过接触部分连接到BSF区（p型导电区域），实现电连接，因此技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：所述电极完全形成在所述钝化膜上《未公开》 | [0097]“背电极155位于钝化层190上”；[0098]“背电极155包括穿过钝化层190并连接到多个BSF区172的多个接触部分151”。 | 对比文件中的背电极包括穿过钝化层的接触部分，因此电极并非完全形成在钝化膜表面（部分在钝化膜内），故技术特征W未被直接公开，也无隐含公开的合理基础。 |
| 技术特征X：所述电极与所述p型导电区域点接触《直接公开》 | [0098]“多个接触部分151按照其间的预定距离(例如，大约0.5mm至1mm)连接到基板110”；[0099]“接触部分151收集移动到基板110的载流子”。 | 对比文件公开了背电极通过多个分离的接触部分与基板（包括BSF区）点接触，因此技术特征X被直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中《直接公开》 | [0093]“BSF区172邻接背电极部件150的多个接触部分151”；[0100]“由于因杂质浓度比基板110高而具有比基板110高的导电率的多个BSF区172邻接多个接触部分151”。 | 对比文件公开了BSF区局部形成在邻接接触部分（电极的一部分）的区域，因此技术特征Y被直接公开。 |
### 公开性代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开的技术特征包括：A、B、C、D、E、F、H、N、O、Q、R、S、T、U、V、X、Y。无隐含公开的技术特征。
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