**对比文件名称**：2004-08-11_CN1520524A_发明公开_CN1520524A 偏光元件及其制造方法
**目标专利名称**：1754偏振光分离元件CN104105987B
**本次调用的模型名称**：AI专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 | ||
| **技术特征A：包括基板**<br>《直接公开》 | 说明书第4页第2段：“透明基板11为相对于所采用的偏振光波长而透明的基板即可，比如可采用玻璃基板、树脂基板、单晶体基板等。” | 对比文件明确公开了透明基板（如石英玻璃、树脂基板等），该基板承载偏振结构，与目标专利中基板的作用相同，均为支撑层。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征。 | ||
| **技术特征B：凹凸结构**<br>《直接公开》 | 说明书第5页第1段：“在透明基板21的其中一个表面上、相互平行地形成多个直线状的第1凹部22的凹凸结构（在下面称为第1凹凸结构）。”以及图1、图2所示。 | 对比文件公开了在基板表面形成具有凸部（如导电体13）和凹部（如第1凹部22或电介体12中的凹部）的凹凸结构，该结构用于偏振分离，与目标专利的凹凸结构在结构和功能上均相同。 | ||
| **技术特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部**<br>《隐含公开》 | 说明书第3页最后一段：“导电体13的材料为从下述一组中选择出的至少1种，该组由金、银、铜、钯、白金、铝、锗、铑、硅、镍、钴、锰、铁、铬、钛、钌、铌、钕、镱、钇、钼、铟、铋构成。”；第2页第2段：“瞬态电流流过导电体13。其结果是，由于获得与金属表面的现象类似的反射和吸收性能。” | 对比文件中的导电体（如硅、铬、镍等）在紫外波段同样具有吸收特性，其作用包括吸收特定偏振光，与目标专利中吸光材料的功能实质相同。虽然对比文件未明确使用“吸光材料”一词，但本领域技术人员根据导电体的吸收性能可合理推断其即为吸光材料，且材料列表与目标专利高度重叠，因此隐含公开。 | ||
| **技术特征D：包含介电材料的凹入部**<br>《直接公开》 | 图1及说明：“在透明基板11上设置有电介体12。由该电介体12所保持的、宽度为W、高度为H的多个薄膜状的导电体13。”；说明书第5页第2段：“形成由二氧化硅构成的电介体30的层。” | 对比文件公开了凹入部（导电体之间的区域）填充有介电材料（如二氧化硅、电介体12），该介电材料起支撑和相位补偿作用，与目标专利中凹入部包含介电材料的结构和功能完全一致。 | ||
| **技术特征E：所述吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10**<br>《未公开》 | 对比文件未涉及任何关于300nm波长下折射率的具体数值范围。 | 对比文件仅提及导电体的复数介电常数绝对值 | ε | ，未给出折射率的具体数值，也未指向300nm波长。本领域技术人员无法从对比文件中直接或间接推导出该折射率范围。 |
| **技术特征F：消光系数为0.5至10**<br>《未公开》 | 对比文件未涉及消光系数的概念或数值范围。 | 对比文件仅定性描述导电体的吸收性能，未提供消光系数的定量参数，更未针对300nm波长给出0.5-10的范围。 | ||
| **技术特征G：所述凹凸结构形成于所述基板上**<br>《直接公开》 | 说明书第4页第3段：“立设于透明基板11的表面上、即与该表面正交而设置的多个薄膜状的导电体13。”；图1、图5(a)等。 | 对比文件明确说明凹凸结构（导电体与电介体形成的图案）直接形成于透明基板表面，与目标专利中凹凸结构在基板上的形成方式相同。 | ||
| **技术特征H：在以下公式1中，a为0.74至10**<br>《未公开》 | 对比文件未出现公式1及参数a。 | 对比文件采用不同的参数体系（d、H、W、 | ε | 等），未公开目标专利的公式1及a数值范围，无任何关联。 |
| **技术特征I：b为0.5至10**<br>《未公开》 | 对比文件未出现公式1及参数b。 | 同特征H，对比文件无此参数。 | ||
| **技术特征J：在以下公式2中，c为1.3至10**<br>《未公开》 | 对比文件未出现公式2及参数c。 | 对比文件未涉及公式2及c的定义。 | ||
| **技术特征K：d为0.013至0.1**<br>《未公开》 | 对比文件未出现公式2及参数d。 | 对比文件未涉及公式2及d的定义。 | ||
| **技术特征L：[公式1] (a+bi)²＝n₁²×(1-W/P)+n₂²×W/P**<br>《未公开》 | 对比文件未出现该公式。 | 对比文件使用的是导电体形状参数与复数介电常数的关系式，完全不同于目标专利的公式1。 | ||
| **技术特征M：[公式2] (c+di)²＝n₁²×n₂²/((1-W/P)×n₂²+W×n₁²/P)**<br>《未公开》 | 对比文件未出现该公式。 | 对比文件未公开任何与公式2类似的数学关系。 | ||
| **技术特征N：其中，i为虚数**<br>《未公开》 | 对比文件未提及虚数i。 | 虽然虚数i是数学常识，但对比文件未将其作为特征公开，且未结合公式使用，故不认为公开。 | ||
| **技术特征O：n₁表示所述介电材料相对于波长为300nm的光的折射率**<br>《未公开》 | 对比文件未指定300nm波长，也未定义n₁。 | 对比文件虽提及介电材料的折射率应与基板相近，但未给出具体数值，更未针对300nm。 | ||
| **技术特征P：n₂表示所述凸出部相对于波长为300nm的光的折射率**<br>《未公开》 | 对比文件未指定300nm波长，也未定义n₂。 | 对比文件未涉及凸出部在300nm下的折射率定义。 | ||
| **技术特征Q：W表示所述凸出部的宽度**<br>《直接公开》 | 说明书第4页第4段：“导电体13的宽度W”；第5页第2段：“宽度为W”。 | 对比文件明确使用符号W表示导电体（凸出部）的宽度，与目标专利中W的含义完全相同。 | ||
| **技术特征R：P表示所述凸出部的间距**<br>《直接公开》 | 说明书第4页第4段：“导电体13之间的规定的间距d”；第5页第2段：“间距d”。 | 对比文件使用符号d表示导电体（凸出部）的间距，与目标专利中P的含义一致（均为凸出部之间的周期距离）。 | ||
| **技术特征S：所述介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3**<br>《未公开》 | 对比文件未涉及紫外波段（250-350nm），也未给出介电材料在该波段的折射率范围。 | 对比文件针对的是光通信波长（1.55μm、0.78μm），未提及紫外光，本领域技术人员无法从中得到介电材料在紫外区的折射率范围。 | ||
| **技术特征T：所述凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10**<br>《未公开》 | 对比文件未涉及紫外波段，也未给出凸出部在该波段的折射率范围。 | 对比文件未公开任何关于凸出部在紫外波段的折射率信息。 | ||
| **技术特征U：所述凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10**<br>《未公开》 | 对比文件未涉及紫外波段，也未给出消光系数。 | 对比文件仅定性描述导电体对TE偏振光的吸收，未提供消光系数数值，更未针对紫外区。 | ||
| **技术特征V：所述吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种**<br>《直接公开》 | 说明书第3页最后一段：“导电体13的材料为从下述一组中选择出的至少1种，该组由金、银、铜、钯、白金、铝、锗、铑、硅、镍、钴、锰、铁、铬、钛、钌、铌、钕、镱、钇、钼、铟、铋构成。” | 对比文件明确公开了“硅”、“铬”、“钼”、“镍”等材料作为导电体（即凸出部材料），这些材料与目标专利权利要求中列举的吸光材料重叠。由于目标专利要求“至少一种”，对比文件公开的硅（或铬、镍等）即满足该特征，且本领域技术人员可毫无疑义地确定该材料作为凸出部的组成部分。 | ||
| **技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98**<br>《未公开》 | 对比文件未出现公式3，也未定义D。 | 对比文件采用消光比（dB）和插入损耗作为评价指标，无偏振度D的概念及计算公式。 | ||
| **技术特征X：[公式3] D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)**<br>《未公开》 | 对比文件未出现该公式。 | 对比文件未公开任何与公式3类似的表达式。 | ||
| **技术特征Y：Tc表示在垂直于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率**<br>《未公开》 | 对比文件虽有TM偏振光（垂直于导电体方向）的透射率，但针对的是1.55μm或0.78μm，而非250-350nm。 | 对比文件未涉及紫外波段，也未定义Tc针对该波段。 | ||
| **技术特征Z：Tp表示在平行于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率**<br>《未公开》 | 对比文件虽有TE偏振光（平行于导电体方向）的透射率，但针对的是1.55μm或0.78μm，而非250-350nm。 | 对比文件未涉及紫外波段，也未定义Tp针对该波段。 |
**结论代码**：
对比文件直接公开了技术特征A、B、D、G、Q、R、V，隐含公开了技术特征C。
<<<A>>><<<B>>><<<D>>><<<G>>><<<Q>>><<<R>>><<<V>>><<<c>>>