对比文件名称：2001-03-27_JP2001081000A_发明专利_JP2001081000A Method of evaluating crystal defect in silicon single crystal
目标专利名称：1757评估晶片或单晶锭的质量的方法及使用其控制单晶锭的质量的方法CN103650124B
本次调用的模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：对单晶锭的切片或晶片进行Cu(铜)雾度评估《直接公开》 | 对比文件[0011]：“試料表面を銅（Cu）で汚染し、熱処理によって銅を試料中に拡散させた後、試料を急冷することによって結晶表面の欠陥を顕在化させる銅デコレーション法を用いたシリコン単結晶の結晶欠陥評価方法”。译文：一种用铜污染样品表面，通过热处理使铜扩散到样品中，然后快速冷却以在晶体表面显现缺陷的铜装饰法，用于评估硅单晶的晶体缺陷。 | 对比文件公开的铜装饰法在本质上与目标专利的Cu雾度评估相同，均通过铜污染和热处理来显现缺陷区域，从而评估单晶锭或晶片的质量。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征，因此直接公开。 |
| 特征B：相对于所述Cu雾度评估的结果进行Cu雾度评分《未公开》 | 对比文件未记载任何评分或量化步骤。 | 对比文件仅涉及缺陷区域的检测，没有对评估结果进行评分或赋予数值，因此未公开本特征。 |
| 特征C：通过使用缓冲氧化蚀刻剂溶液和Cu的混合溶液以高浓度的Cu污染Si单晶体的切片或晶片的一个表面《未公开》 | 对比文件[0023]：“硝酸銅（CuNO3）とフッ酸（HF）の混合溶液に試料を浸漬”。译文：将样品浸入硝酸铜和氢氟酸的混合溶液中。 | 对比文件使用的污染溶液是硝酸铜和氢氟酸，而非缓冲氧化蚀刻剂（BOE）与Cu的混合溶液，两者化学组成不同，对比文件未公开该特定溶液。 |
| 特征D：进行快速扩散热处理《直接公开》 | 对比文件[0023]：“熱処理条件は、1000℃×5minの熱処理条件を用いた。この熱処理後、試料を熱処理炉から室温中に取り出し、放置することによって急冷し”。译文：热处理条件使用1000℃×5分钟。热处理后，将样品从热处理炉中取出置于室温中，通过放置进行快速冷却。 | 对比文件明确公开了热处理和快速冷却步骤，该步骤与目标专利的快速扩散热处理在目的和操作上一致，因此直接公开。 |
| 特征E：然后在聚光灯下视觉观察受污染的表面或其相反表面来区分晶体缺陷区域《未公开》 | 对比文件[0023]：“試料表面に現れたピットを顕微鏡観察”。译文：显微镜观察样品表面出现的蚀刻坑。 | 对比文件采用选择蚀刻后显微镜观察，而非直接在聚光灯下进行视觉观察，两者观察手段不同，对比文件未公开聚光灯视觉观察的方式。 |
| 特征F：进行快速扩散热处理包括对所述单晶锭的整个切片或晶片的左半侧进行第一热处理以评估O带区域《未公开》 | 对比文件未提及左半侧或右半侧分区热处理。 | 对比文件仅对整个样品进行统一热处理，没有公开对晶片左半侧和右半侧分别进行不同热处理以评估特定区域的方法。 |
| 特征G：和对所述单晶锭的整个切片或晶片的右半侧进行第二热处理以评估Pi和Pv区域《未公开》 | 对比文件未提及。 | 同特征F，对比文件未公开任何分区热处理的内容。 |
| 特征H：相对于Pv、Pi热处理区域测量第二Pi区域的面积《未公开》 | 对比文件未涉及面积测量或评分。 | 对比文件没有公开测量特定区域面积的操作。 |
| 特征I：对所述第一Pi区域的面积和所述第二Pi区域的面积进行相加以设置为Cu雾度分数值《未公开》 | 对比文件未涉及。 | 对比文件没有公开通过面积相加设定分数值的步骤。 |
| 建立Cu雾度评分图《未公开》（对应权利要求5） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有公开通过Cu雾度评估建立评分图的任何内容。 |
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