对比文件名称：2010-01-21_US2010015784A_发明申请_US20100015784A1 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
目标专利名称：1762粘合膜CN104093805B
本次调用的模型名称：AI专利分析模型（DeepSeek-R1）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括粘合层**<br>《直接公开》 | [0037] “将粘合膜6附着到半导体晶片2的背面2b……粘合膜6由环氧树脂形成的膜材料制成，厚度为20μm。” | 对比文件明确公开了“粘合膜6”作为粘合层，其是膜状结构，用于附着在器件背面。该粘合层对应于目标专利中的粘合层，因此技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：该粘合层包含第一粘合面和第二粘合面**<br>《直接公开》 | [0037] “将粘合膜6附着到半导体晶片2的背面2b”；[0038] “将半导体晶片2在粘合膜6一侧粘贴到切割带T的前表面”。 | 粘合膜6具有两个相对的主面：一个面（第一粘合面）与半导体晶片背面接触，另一个面（第二粘合面）与切割带T接触。这两个面是粘合层用于粘合或接触其他部件的表面，与目标专利的第一粘合面和第二粘合面实质相同，故直接公开。 |
| **技术特征C：连接所述第一粘合面和所述第二粘合面的侧面**<br>《直接公开》 | [0037] “粘合膜6……厚度为20μm”（膜状结构必然具有连接两个主面的侧面）；[0045] 激光束沿切割槽210对粘合膜进行熔融切割，形成分离槽60（侧面由切割形成）。 | 对比文件中的粘合膜6是片状/膜状，其自然具有连接两个主面的侧面。在激光切割后，每个独立粘合膜片均具有切割形成的侧面。该侧面即为连接第一粘合面和第二粘合面的部分，故技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：在所述侧面的至少任意部分上形成侧固化部分；并且所述粘合层包含吸湿剂**<br>《未公开》 | 关于侧固化部分：[0045] “激光束……使粘合膜6熔融切割”，未提及固化部分；[0046] 描述激光切割后形成分离槽，但未提及边缘固化。关于吸湿剂：全文未提及粘合膜包含吸湿剂。 | 对比文件虽有激光切割步骤，但未公开或暗示在切割侧面形成“侧固化部分”（即具有特定固化度的部分），也未公开粘合层中含有吸湿剂。目标专利中侧固化部分是有意形成的功能结构，且吸湿剂是必要组分，对比文件均未涉及，故技术特征D未被公开（包括直接或隐含）。 |
| **技术特征E：所述侧固化部分在整个所述侧面上形成**<br>《未公开》 | 同技术特征D，对比文件未公开任何形式的侧固化部分，更未公开其在整个侧面形成。 | 基于特征D的缺失，该特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述侧固化部分的宽度为0.5μm至1000μm**<br>《未公开》 | [0045] 激光条件：光斑直径φ5μm，但未提及固化部分宽度；[0047] 激光参数：平均输出3W，重复频率50kHz等，未涉及固化部分宽度范围。 | 对比文件未公开侧固化部分的概念，更未公开其宽度范围，故未被公开。 |
| **技术特征G：所述粘合层包含膜状或片状的未固化状态的粘合剂组合物**<br>《直接公开》 | [0037] “粘合膜6由环氧树脂形成的膜材料制成，厚度为20μm”（膜状）；[0037] 附着时加热80-200°C，但未进行完全固化（通常为B-stage状态）。 | 对比文件中的粘合膜6是膜状结构，且本领域公知，在激光切割前粘合膜通常处于未完全固化（未固化或B-stage）状态以便后续热压。该膜状未固化状态直接对应于目标专利的“膜状或片状的未固化状态的粘合剂组合物”，故直接公开。 |
| **技术特征H：所述粘合剂组合物包含可固化树脂**<br>《直接公开》 | [0037] “粘合膜6由环氧树脂形成的膜材料制成”。 | 环氧树脂是典型的热固性可固化树脂，对比文件明确公开粘合膜由环氧树脂制成，即可固化树脂，故技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I：还包括保护膜或金属薄膜**<br>《直接公开》 | [0038] “将半导体晶片2在粘合膜6一侧粘贴到切割带T的前表面”；[0040] 从切割带侧发射激光至粘合膜。 | 对比文件中的切割带T（dicing tape）是附着在粘合膜6一侧的膜状结构，其作用为支撑和保护粘合膜，并在后续剥离。该切割带T相当于目标专利中的保护膜，因此技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J：其中，所述保护膜或金属薄膜设置在所述粘合层的一面或两面上**<br>《直接公开》 | [0038] “将半导体晶片2在粘合膜6一侧粘贴到切割带T的前表面”（切割带T设置在粘合膜的一面）；[0037] 另一面（晶片背面）未设置保护膜，但目标专利包括“一面或两面”，因此一面符合。 | 对比文件明确切割带T（保护膜）设置在粘合膜6的一面（与晶片背面相对的一面），这直接公开了保护膜设置在粘合层的一面上，故技术特征J被直接公开。 |
### 公开性代码
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、G、H、I、J，未公开或隐含公开其他特征。因此，在回答结尾插入以下代码：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>>