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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括含有硅熔体的坩埚
B
提拉装置
C
所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭
D
掺杂剂供给单元
E
所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置
F
用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂
G
其中,所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具
H
所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合
I
所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁
J
以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部
K
所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中。
权利要求 2
L
其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂。
权利要求 3
M
其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×1016原子/cm3至1×1019原子/cm3的掺杂剂。
权利要求 4
N
其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×1017原子/cm3至1×1018原子/cm3的掺杂剂。
权利要求 5
O
其中,所述容纳部包括通孔
P
颈部穿透所述通孔。
权利要求 6
Q
其中,所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置。
权利要求 7
R
其中,通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼。