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对比文件列表
1991-11-13_CN1056135A_发明公开_CN1056135A 单晶硅生产设备_+++A_B_C_D_F_R_g+++.docx
2026-07-29 11:01
1998-08-13_WO1998035074A_发明申请_WO98035074A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING CRYSTALS_+++A_B_C_D_E_F_L_Q_R_g+++.docx
2026-07-29 11:01
1999-11-02_US5976245A_发明授权_US5976245A Czochralski crystal growing system_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_Q_l_r+++.docx
2026-07-29 11:01
2001-02-21_CN1285009A_发明公开_CN1285009A 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_O_f_i+++.docx
2026-07-29 11:01
2002-09-11_JP2002255684A_发明专利_JP2002255684A Manufacturing method of silicone monocrystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_L_R_e+++.docx
2026-07-29 11:01
2003-04-03_US2003061985A_发明申请_US20030061985A1 Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder_+++A_B_C_D_E_F_G_Q_h_l+++.docx
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2004-04-15_US2004069214A_发明申请_US20040069214A1 Silicon single crystal growing furnace supplemented with low melting point dopant feeding instrument and a low melting point dopant feeding method thereof_+++A_B_C_D_E_G_H_L_Q_R+++.docx
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2004-05-13_JP2004137140A_发明专利_JP2004137140A Silicon single crystal growth equipment and injection method of low melting point dopant_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_Q_R+++.docx
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2008-04-17_JP2008087981A_发明专利_JP2008087981A Method for injecting dopant and n-type silicon single crystal_+++A_B_C_D_E_K_Q_R_g_l+++.docx
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2008-11-06_JP2008266093A_发明专利_JP2008266093A Method and apparatus for producing silicon single crystal and silicon single crystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_R_l+++.docx
2026-07-29 11:01
2009-11-26_JP2009274916A_发明专利_JP2009274916A Silicon single crystal and production method of the same_+++A_B_C_D_F_R_g_l+++.docx
2026-07-29 11:01
2010-11-25_US2010294999A_发明申请_US20100294999A1 PRODUCING METHOD AND APPARATUS OF SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_Q_R+++.docx
2026-07-29 11:01
2011-08-02_KR1020110086976A_发明公开_KR1020110086976A 단결정 제조방법_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_O_Q_R_l+++.docx
2026-07-29 11:01
1991-11-13_CN1056135A_发明公开_CN1056135A 单晶硅生产设备_+++A_B_C_D_F_R_g+++.docx

## 对比文件名称

1991-11-13_CN1056135A_发明公开_CN1056135A 单晶硅生产设备

## 目标专利名称

1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B

## 本次调用的模型名称

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## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括含有硅熔体的坩埚《直接公开》对比文件第一段:“一装熔融硅的旋转式石英坩埚”对比文件明确记载了装有熔融硅(即硅熔体)的石英坩埚,与目标专利的技术特征A完全相同,因此直接公开。
技术特征B:提拉装置《直接公开》对比文件实施例部分:“单晶硅5边转动(20转/分)边从熔融硅7以1.4毫米/分的提拉速度提拉”虽然对比文件未明确使用“提拉装置”一词,但本领域技术人员根据其记载的提拉速度以及晶体生长过程的描述,可以毫无疑义地确定存在用于提拉晶体的装置,因此直接公开了提拉装置。
技术特征C:所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭《直接公开》对比文件实施例部分:“单晶硅5边转动...边从熔融硅7以1.4毫米/分的提拉速度提拉”对比文件明确记载了提拉装置将单晶硅从熔融硅中提拉生长,与目标专利特征C完全一致,直接公开。
技术特征D:掺杂剂供给单元《直接公开》对比文件第一段:“以及掺杂物供料装置,用以将掺杂物供应到原料熔融分区中”对比文件明确记载了掺杂物供料装置,即掺杂剂供给单元,直接公开。
技术特征E:所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置《未公开》对比文件未记载掺杂物供料装置与提拉装置的位置关系。对比文件仅提及掺杂物供料装置用于供应掺杂物到原料熔融分区,并未描述其与提拉装置的相邻布置,且无任何暗示,因此未公开。
技术特征F:用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂《直接公开》对比文件实施例部分:“在提拉过程中改变掺杂物的加入量”对比文件明确在晶体提拉(即生长)过程中改变掺杂物加入量,即供给掺杂剂,直接公开。
技术特征G:其中,所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具《隐含公开》对比文件实施例部分提及“单晶硅5”,但未明确记载晶种夹具。在CZ法单晶生长中,开始生长前必须将晶种夹持于提拉装置上,本领域技术人员可以合理推断提拉装置必然包括夹持晶种的晶种夹具,因此隐含公开。
技术特征H:所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合《未公开》对比文件未记载晶种夹具,更未提及与掺杂物供料装置组合。对比文件无任何关于晶种夹具的记载,且掺杂物供料装置是独立供应到原料熔融分区,两者未表现出组合关系,因此未公开。
技术特征I:所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁《未公开》对比文件未记载此类结构。对比文件中掺杂物供料装置无环绕晶种的外壁结构,因此未公开。
技术特征J:以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部《未公开》对比文件未记载此类结构。对比文件无任何容纳部结构,因此未公开。
技术特征K:所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中《未公开》对比文件未记载容纳部。对比文件未公开容纳掺杂剂的容纳部,因此未公开。
技术特征L:其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂《未公开》对比文件未提及掺杂剂浓度比较。对比文件未披露掺杂物供料装置所提供的掺杂剂浓度与硅熔体浓度的关系,因此未公开。
技术特征M:其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10¹⁶原子/cm³至1×10¹⁹原子/cm³的掺杂剂《未公开》对比文件未公开任何具体浓度范围。对比文件未记载任何掺杂剂浓度数值范围,因此未公开。
技术特征N:其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10¹⁷原子/cm³至1×10¹⁸原子/cm³的掺杂剂《未公开》对比文件未公开任何具体浓度范围。对比文件未记载任何掺杂剂浓度数值范围,因此未公开。
技术特征O:其中,所述容纳部包括通孔《未公开》对比文件未记载容纳部及通孔。对比文件无容纳部结构,因此未公开。
技术特征P:颈部穿透所述通孔《未公开》对比文件未记载颈部穿透通孔。对比文件未涉及颈部与通孔的结构,因此未公开。
技术特征Q:其中,所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置《未公开》对比文件未记载固定关系。对比文件未描述掺杂物供料装置与提拉装置的固定关系,因此未公开。
技术特征R:其中,通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼《直接公开》对比文件实施例部分:“掺杂物为磷”对比文件明确实施例中使用的掺杂物为磷,而磷是目标专利特征R中列举的掺杂剂之一,因此直接公开了该特征。

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