对比文件的名称：2002-10-24_US2002154496A_发明申请_US20020154496A1 Window for light-emitting diode
目标专利的名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：本系统
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层。**《直接公开》** | [0019]“layer 204 is an n AlGaInP lower cladding layer”翻译为“层204是n型AlGaInP下包层”。 | 对比文件明确公开了发光结构包括n型下包层204，该层相当于第一导电半导体层，且属于发光结构的一部分。本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层。**《直接公开》** | [0019]“element 205 is an active region”翻译为“元件205是有源区”。 | 对比文件公开了有源区205形成在n型下包层204上，即第一导电半导体层上，特征被公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层。**《直接公开》** | [0019]“layer 206 is a p AlGaInP upper cladding layer”翻译为“层206是p型AlGaInP上包层”。 | 对比文件公开了p型上包层206形成在有源区205上，即第二导电半导体层，特征被公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开任何暴露第一导电半导体层（n型包层）顶表面的区域。其发光结构顶部是p型包层，没有台面蚀刻暴露n型层的结构。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上。**未公开** | [0023]“The amorphous conducting layer, e.g. ITO, is installed by sputtering on top of the second layer 208.”翻译为“非晶透明导电层，例如ITO，通过溅射安装在第二层208的顶部。” | 对比文件的透明导电层209形成在GaAs层208上，而208在GaP层207上，207在p型包层206上，因此透明导电层209并不直接位于第二导电半导体层206上，且中间有多个层。未公开“透射电极层在第二导电半导体层上”的特征。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开任何接触第一导电半导体层（n型包层）的粘附层。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开第一电极接触第一导电半导体层的结构，其顶部电极是窗口接触，底部电极是衬底接触。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层。**《隐含公开》** | [0023]“metal contact 210 forms an ohmic contact with those layers and contact the GaP layer 207”翻译为“金属接触210与这些层形成欧姆接触并且接触GaP层207”。 | 对比文件的金属窗口接触210通过GaP层207电接触p型包层206（第二导电半导体层）。本领域技术人员可以合理推断出金属接触210作为第二电极接触第二导电半导体层，尽管是间接接触，但属于电接触，因此隐含公开该特征。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分。**未公开** | [0023]描述了金属接触210与透明导电层209、GaAs层208和GaP层207接触。 | 特征I要求第二电极的第一部分通过透射电极层直接接触第二导电半导体层，但对比文件中透明导电层209不直接接触第二导电半导体层（p型包层206），中间有GaAs和GaP层，因此不能认为通过透射电极层接触第二导电半导体层。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分。**《直接公开》** | [0023]“A titanium-gold compound is then evaporated into the resulting void and over layer 209 as illustrated in FIG. 2B.”翻译为“然后将钛-金化合物蒸发到所得的孔中并在层209上，如图2B所示。” | 对比文件明确公开了金属窗口接触210直接形成在透明导电层209上，接触其至少一部分，因此第二电极的第二部分接触透射电极层被直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开任何类似粘附层的结构，也没有第二电极的第一部分被透射电极层包围的结构。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开第一电极，因此未公开该面积比例。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开第一电极和粘附层，因此未公开该重叠区域。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开粘附层，因此未公开粘附层的材料组成。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开粘附层，因此未公开其具体材料。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开粘附层，因此未公开其延伸方式。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开粘附层，因此未公开其多层结构。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。**未公开** | 无 | 同上。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开粘附层，因此未公开其折射率特征。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。**未公开** | 无 | 同上。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开粘附层，因此未公开该位置关系。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开第二电极的第一部分被包围的结构，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。**未公开** | 无 | 对比文件没有公开第一电极和粘附层，因此未公开。 |
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