对比文件的名称：2006-10-16_TW200637034A_发明专利_TW200637034A GaN系發光二極體及發光裝置 GAN-BASED LIGHT-EMITTING DIODE AND LUMINOUS DEVICE
目标专利的名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：默认模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层《直接公开》** | 对比文件说明书中记载：“n型层2例如为以5×10^18 cm^-3的浓度掺杂Si(硅)之膜厚3μm的GaN层。”以及“在结晶基板1上依序叠层n型GaN系半导体层、发光层、p型GaN系半导体层”。 | 对比文件明确公开了n型GaN系半导体层（n型层2），该层相当于目标专利中的第一导电半导体层。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| **技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层《直接公开》** | 对比文件说明书中记载：“发光层3例如为将膜厚8nm的GaN障壁层与膜厚2nm的InGaN井层予以叠层各10层而形成的MQW层。” | 对比文件明确公开了在n型层2上形成的发光层3，该发光层相当于目标专利中的有源层。结构位置和功能相同，直接公开。 |
| **技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层《直接公开》** | 对比文件说明书中记载：“p型层4例如为膜厚30nm的Al0.1Ga0.9N层与膜厚200nm的GaN层的叠层体”。 | 对比文件明确公开了在发光层3上形成的p型层4，该p型层相当于目标专利中的第二导电半导体层。直接公开。 |
| **技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域《直接公开》** | 对比文件说明书中记载：“藉由使用氯气的反应性离子蚀刻法，由p型层4的表面侧去除p型层4与发光层3的一部分，如第2图(c)所示，使n型层2露出。” | 对比文件通过蚀刻工艺使n型层2的顶表面暴露，形成了暴露第一导电半导体层顶表面的区域。直接公开。 |
| **技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上《未公开》** | 对比文件在p型层4上形成的是不透明的p型欧姆电极P2（金属叠层）和反射层P5，未设置透射电极层。 | 对比文件未公开任何透射导电层（如ITO等）位于第二导电半导体层上。p型欧姆电极是不透明金属，具有窗部但并非透射电极层，因此未公开。 |
| **技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层《未公开》** | 对比文件中的保护膜P4（SiO2等）形成于p型欧姆电极P2上，并与p型层4接触，未接触n型层2。 | 对比文件没有设置任何层接触n型层（第一导电半导体层）作为粘附层。保护膜P4的位置和功能均不同于粘附层，未公开。 |
| **技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上《未公开》** | 对比文件中的n型欧姆电极P1直接形成于暴露的n型层2上，未设置粘附层。 | 对比文件的第一电极（n型欧姆电极）直接接触n型层，不存在粘附层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层《直接公开》** | 对比文件说明书中记载：“p型欧姆电极P2例如为藉由：由与p型层4接触的侧依次叠层膜厚20nm的Pd、膜厚100nm的Au、膜厚10nm的Ni，进行热处理而形成。” | 对比文件明确公开了p型欧姆电极P2直接接触p型层4（第二导电半导体层），相当于第二电极。直接公开。 |
| **技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分《未公开》** | 对比文件中的第二电极（p型欧姆电极）直接接触p型层，未通过透射电极层。 | 对比文件未设置透射电极层，第二电极直接接触第二导电半导体层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分《未公开》** | 对比文件无透射电极层，第二电极（p侧接合电极）形成于反射层和p型欧姆电极上。 | 由于缺少透射电极层，该特征未公开。 |
| **技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围《未公开》** | 对比文件中的保护膜P4仅覆盖p型层4和p型欧姆电极的部分区域，第6图虽显示保护膜覆盖发光层端面，但未覆盖第一导电半导体层顶表面和侧表面，且无透射电极层。 | 对比文件未公开这样的粘附层布置，也未公开透射电极层包围第二电极部分，因此未公开。 |
| **技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积《未公开》** | 对比文件未限定第一电极（n型欧姆电极）与n型层接触的面积比例。 | 对比文件未公开任何关于电极接触面积的比例关系，未公开。 |
| **技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度《未公开》** | 对比文件未设置粘附层，也无重叠宽度比例。 | 未公开。 |
| **技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个《隐含公开》** | 对比文件说明书中记载：“由绝缘体组成的保护膜P4系例如以电浆CVD法製膜的膜厚300nm的SiO2。”以及“保护膜的材料除了SiO2外，可举例说明SiNx、ZnO2、TiO2等。” | 对比文件公开了透射绝缘材料（如SiO2、SiNx、TiO2等）用于发光二极管中的绝缘层（保护膜）。虽然该保护膜不是粘附层，但本领域技术人员可以合理推断这些材料同样可用于粘附层，因为其透射绝缘特性相同。因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个《隐含公开》** | 对比文件说明书中记载：“由绝缘体组成的保护膜的材料除了SiO2外，可举例说明SiNx、ZnO2、TiO2等。...可举例说明Al2O3、AlN、ZrO2等。” | 对比文件明确公开了该材料组中的SiOx（SiO2）、SiNx（Si3N4）、TiO2、Al2O3等。这些材料被用于保护膜，但本领域技术人员可以合理推断其同样适用于粘附层，因为材料性质相同。因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分《未公开》** | 对比文件第6图显示保护膜P4覆盖发光层3的端面，但未提及从第一导电半导体层顶表面开始延伸。 | 对比文件未公开保护膜覆盖第一导电半导体层顶表面，也未公开从第一导电半导体层顶表面延伸到第二导电半导体层顶表面，因此未公开。 |
| **技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料《未公开》** | 对比文件保护膜为单层SiO2，无多层结构。 | 对比文件未公开多层粘附层结构，未公开。 |
| **技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料《未公开》** | 对比文件无透射导电材料层。 | 未公开。 |
| **技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率《未公开》** | 对比文件保护膜折射率较低（SiO2约1.46），未提及高折射率层。 | 未公开。 |
| **技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率《未公开》** | 对比文件保护膜为低折射率单层，但未形成多层堆叠。 | 未公开。 |
| **技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开《未公开》** | 对比文件无透射电极层，也无粘附层在第二导电半导体层上。 | 未公开。 |
| **技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间《未公开》** | 对比文件无透射电极层，保护膜未设置在第二导电半导体层顶表面作为中间层。 | 未公开。 |
| **技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面《未公开》** | 对比文件无透射电极层。 | 未公开。 |
| **技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部《未公开》** | 对比文件第二电极（p侧接合电极）暴露在外部。 | 对比文件未公开第二电极的部分被覆盖而不暴露，未公开。 |
| **技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠《未公开》** | 对比文件无粘附层，第一电极直接接触n型层。 | 未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<H>>><<<n>>><<<o>>>