对比文件名称：2002-04-12_JP2002111059A_发明专利_JP2002111059A Optical semiconductor element and optical semiconductor device
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：AI专利分析模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层（直接公开） | [0031] “図1に示す発光ダイオードAは、... n-MgxZn1-xOクラッド層5と、...” 译文：图1所示的发光二极管A包括... n-MgxZn1-xO包覆层5... | 对比文件明确公开了n型MgZnO层作为第一导电半导体层，其作用与本特征相同，均为发光结构的一部分，故直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层（直接公开） | [0031] “... n-MgxZn1-xOクラッド層5と、InyGa1-yN活性層11と、...” 译文：... n-MgxZn1-xO包覆层5、InyGa1-yN活性层11... | 对比文件公开了InGaN活性层（有源层）位于n-MgZnO层上，直接对应本特征。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层（直接公开） | [0031] “... InyGa1-yN活性層11と、p-AlvGa1-vNクラッド層13と、p-MgzZn1-zOクラッド層15とを含む。” 译文：...包括InyGa1-yN活性层11、p-AlvGa1-vN包覆层13、p-MgzZn1-zO包覆层15。 | 对比文件公开了p-MgZnO层（第二导电半导体层）位于有源层之上（通过p-AlGaN层），直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域（直接公开） | [0048] “InyGa1-yN活性層11と、p-AlvGa1-vNクラッド層13と、p-MgzZn1-zOクラッド層15とが島状に加工されて島状積層構造SS1を形成している。これにより、n型MgxZn1-xO層5の表面の一部が露出する。” 译文：InyGa1-yN活性层11、p-AlvGa1-vN包覆层13、p-MgzZn1-zO包覆层15被加工成岛状形成岛状层叠结构SS1，从而使n型MgxZn1-xO层5的表面的一部分露出。 | 对比文件通过岛状刻蚀暴露了第一导电半导体层（n-MgZnO）的顶表面区域，直接公开本特征。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上（直接公开） | [0052] “p-MgzZn1-zOクラッド層15上に全面を覆う第2電極25が形成されている。第2電極25は、例えばZnO透明導電層により形成される。” 译文：p-MgzZn1-zO包覆层15上形成覆盖整个表面的第二电极25。第二电极25例如由ZnO透明导电层形成。 | 对比文件公开了在第二导电半导体层上形成有ZnO透明导电层作为第二电极，该透明导电层即为透射电极层，直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层（未公开） | 对比文件无直接对应公开。绝缘膜21覆盖岛状结构侧壁，但未接触第一导电半导体层顶表面，且功能为绝缘而非提高粘附强度。 | 对比文件未公开任何粘附层接触第一导电半导体层，也未暗示此类结构，故未公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上（未公开） | [0052] “n-MgxZn1-xOクラッド層5の表面には、第1の電極23が形成されている。” 译文：n-MgxZn1-xO包覆层5的表面形成有第一电极23。 | 对比文件第一电极仅直接接触第一导电半导体层，未接触粘附层，故未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层（直接公开） | [0052] “p-MgzZn1-zOクラッド層15上に全面を覆う第2電極25が形成されている。” 译文：p-MgzZn1-zO包覆层15上形成覆盖整个表面的第二电极25。 | 对比文件公开了第二电极直接接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分（未公开） | 对比文件无此结构。第二电极25本身即为透射电极层，直接接触第二导电半导体层，无另外的透射电极层介于其间。 | 对比文件未公开第二电极通过透射电极层接触第二导电半导体层的结构，故未公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分（未公开） | 对比文件无此结构。第二电极25与透射电极层为同一层，无第二部分接触另一透射电极层。 | 对比文件未公开第二电极的另一部分接触透射电极层，故未公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。（未公开） | [0049] “島状積層構造SS1の側壁は、絶縁膜21により被覆される。絶縁膜21には、上部に開口22が形成されており、開口22からp-MgxZn1-xOクラッド層15の表面が露出する。” 译文：岛状层叠结构SS1的侧壁被绝缘膜21覆盖。绝缘膜21在上部形成开口22，从开口22露出p-MgxZn1-xO包覆层15的表面。 | 对比文件绝缘膜仅覆盖侧壁，未覆盖第一导电半导体层顶表面，也未覆盖第二导电半导体层顶表面大部分，且未公开第二电极第一部分被透射电极层包围，故未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积。（未公开） | 对比文件无此比例关系。第一电极23完全覆盖所接触的n型层表面。 | 对比文件未公开第一电极底表面与顶表面的面积比例，故未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度。（未公开） | 对比文件无粘附层，故无重叠区域。 | 对比文件未公开第一电极与粘附层之间的重叠关系，故未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。（未公开） | 对比文件未公开粘附层。 | 对比文件未提及粘附层，也未公开其材料类型，故未公开。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。（未公开） | 对比文件未公开粘附层及材料。 | 对比文件未公开粘附层及其具体材料，故未公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。（未公开） | [0049] 绝缘膜21覆盖侧壁，但未从第一导电半导体层顶表面开始延伸，且未延伸到第二导电半导体层顶表面（开口22露出表面）。 | 对比文件绝缘膜未覆盖第一导电半导体层顶表面，且未延伸到第二导电半导体层顶表面的一部分，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料（未公开） | 对比文件无粘附层多层结构。 | 对比文件未公开粘附层多层结构，故未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。（未公开） | 对比文件无粘附层多层结构。 | 对比文件未公开粘附层多层结构，故未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率（未公开） | 对比文件无粘附层多层结构。 | 对比文件未公开粘附层多层结构及折射率特性，故未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。（未公开） | 对比文件无粘附层多层结构。 | 对比文件未公开粘附层多层结构及折射率特性，故未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。（未公开） | 对比文件无粘附层在第二导电半导体层顶表面。 | 对比文件未公开粘附层在第二导电半导体层顶表面，故未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。（未公开） | 对比文件无粘附层在第二导电半导体层顶表面。 | 对比文件未公开粘附层设置在透射电极层和第二导电半导体层之间，故未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面（未公开） | 对比文件无粘附层延伸到透射电极层顶表面。 | 对比文件未公开粘附层延伸到透射电极层顶表面，故未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。（未公开） | 对比文件无此结构。第二电极25直接暴露在表面。 | 对比文件未公开第二电极第一部分被包围而不暴露，故未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。（未公开） | 对比文件无粘附层，第一电极直接接触半导体层。 | 对比文件未公开第一电极与粘附层的重叠关系，故未公开。 |
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