对比文件名称：2007-04-12_JP2007096116A_发明专利_JP2007096116A Light emitting element
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层。《直接公开》 | [2]段记载：“在蓝宝石基板10上包括低温生长的AlN缓冲层11、硅(Si)掺杂的n-GaN层12、作为发光层的InGaN层130和GaN势垒层131交替堆叠形成的MQW13、镁(Mg)掺杂的p-GaN层14、由ITO构成的透明电极15、由SOG构成的保护膜17、由SiO2构成的保护膜18”。 | 对比文件明确公开了n-GaN层12作为N型半导体层，相当于第一导电半导体层，构成发光结构的一部分，作用与目标专利相同。 |
| 特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层。《直接公开》 | 同上，记载了MQW13形成在n-GaN层12上。 | MQW13为有源层，位于第一导电半导体层上，与目标专利中第一导电半导体层上的有源层对应，作用相同。 |
| 特征C：所述有源层上的第二导电半导体层。《直接公开》 | 同上，记载了p-GaN层14形成在MQW13上。 | p-GaN层14为P型半导体层，相当于第二导电半导体层，位于有源层上，作用相同。 |
| 特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域。《直接公开》 | [2]段记载：“使用规定的蚀刻剂，去除p-GaN层14、MQW13、以及n-GaN层12的一部分，使n-GaN层12露出。” | 对比文件通过蚀刻工艺暴露n-GaN层12的顶表面，形成暴露区域，与目标专利中暴露第一导电半导体层顶表面的区域对应，作用相同。 |
| 特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上。《直接公开》 | [2]段记载：“通过溅射在p-GaN层14的表面附着折射率2.0的ITO，形成透明电极15。” | 对比文件中的透明电极15形成在p-GaN层14上，材质为ITO，具有透射导电性，与目标专利中的透射电极层对应，用于扩展电流并透射光，作用相同。 |
| 特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何接触第一导电半导体层（n-GaN层12）的粘附层。在n-GaN层暴露区域，n侧电极19直接形成在n-GaN层上，无中间层。 |
| 特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上。《未公开》 | 无 | 对比文件无粘附层，故不存在第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层的结构。n侧电极19仅接触n-GaN层。 |
| 特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层。《直接公开》 | [2]段记载：“在透明电极15的表面图案化形成由Au构成的焊盘电极16。” | 焊盘电极16作为p侧电极，通过透明电极15电接触p-GaN层14（第二导电半导体层），即第二电极接触第二导电半导体层，用于提供电力，作用相同。 |
| 特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分。《直接公开》 | 同上，焊盘电极16形成在透明电极15上，透明电极15覆盖p-GaN层14。 | 焊盘电极16的一部分（与透明电极接触的部分）通过透明电极15电接触p-GaN层14，该部分相当于第二电极的第一部分，通过透射电极层接触第二导电半导体层，技术方案实质相同。 |
| 特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分。《直接公开》 | 同上，焊盘电极16直接形成在透明电极15表面。 | 焊盘电极16直接接触透明电极15，即第二电极的第二部分接触透射电极层，技术方案直接公开。 |
| 特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。《未公开》 | 无 | 对比文件没有粘附层，且焊盘电极16位于透明电极15之上，未被透明电极包围，故未公开。 |
| 特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开第一电极（n侧电极）底面积与顶面积的比例关系，且无粘附层结构。 |
| 特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度。《未公开》 | 无 | 对比文件无粘附层，故无重叠区域。 |
| 特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层，故未公开材料组成。 |
| 特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层，故未公开材料组。 |
| 特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层。 |
| 特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层。 |
| 特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层。 |
| 特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层。 |
| 特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层。 |
| 特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层。 |
| 特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层。 |
| 特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开粘附层。 |
| 特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。《未公开》 | 无 | 对比文件中焊盘电极16的第一部分（与透明电极接触的部分）虽被透明电极覆盖，但焊盘电极整体暴露，且该部分未被透射电极层包围，不符合“没有暴露到外部”的要求，故未公开。 |
| 特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。《未公开》 | 无 | 对比文件无粘附层，故未公开。 |
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