**对比文件名称**：2009-10-06_KR1020090104453A_发明公开_KR1020090104453A 질화물 반도체 발광소자
**目标专利名称**：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
**模型名称**：AI模型（专利特征比对分析）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层 **《直接公开》** | [20]：“n型氮化物半导体层21” | 对比文件明确公开了发光结构包括n型氮化物半导体层，该层相当于目标专利中的第一导电半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层 **《直接公开》** | [20]：“活性层22” | 对比文件公开了活性层形成在n型半导体层上，即位于第一导电半导体层之上，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层 **《直接公开》** | [20]：“p型氮化物半导体层23” | 对比文件公开了p型半导体层形成在活性层上，即位于有源层之上，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域 **《直接公开》** | [47]：“n型氮化物半导体层51的蚀刻的一部分区域” | 对比文件图5所示实施例中，通过蚀刻暴露n型氮化物半导体层的顶表面的一部分，形成电极接触区域，因此直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上 **《未公开》** | 对比文件未公开在第二导电半导体层上设置透射电极层。 | 对比文件仅公开了p型欧姆接触层（可选），但未明确其具有透射性，且未公开目标专利所定义的透射电极层及其功能，因此未公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层 **《直接公开》** | [20]：“n型欧姆接触层25”形成在n型层21上 | 对比文件公开的n型欧姆接触层直接接触n型氮化物半导体层（第一导电半导体层），该层在结构上相当于目标专利中的粘附层，因此直接公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上 **《未公开》** | 对比文件图5中n型电极56a仅形成在n型欧姆接触层55上，未直接接触n型层51。 | 对比文件未公开第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层，电极仅设置在欧姆接触层上，因此未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层 **《隐含公开》** | [50]：“p型欧姆接触层58不是必须的” | 对比文件指出p型欧姆接触层并非必需，本领域技术人员可将其省略，从而使得p型电极直接接触p型半导体层（第二导电半导体层），因此隐含公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分 **《未公开》** | 对比文件无透射电极层。 | 对比文件未公开透射电极层，因此无法公开第二电极通过透射电极层接触第二导电半导体层的结构，未公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分 **《未公开》** | 对比文件无透射电极层。 | 对比文件未公开透射电极层，因此无法公开第二电极接触透射电极层的结构，未公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层覆盖侧壁以及第二电极被透射电极层包围的结构。 | 对比文件的n型欧姆接触层仅形成在n型层顶表面，未延伸至侧壁，且无透射电极层包围第二电极，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积 **《未公开》** | 对比文件未公开第一电极底面积比例。 | 对比文件未记载第一电极与半导体层接触面积的比例关系，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度 **《未公开》** | 对比文件未公开垂直重叠宽度比例。 | 对比文件未记载第一电极与粘附层垂直重叠的宽度比例，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个 **《直接公开》** | [28]：“第二层25b由透明导电氧化物形成”；[13]列举ITO、AZO等透明导电氧化物 | 对比文件公开的n型欧姆接触层包含透明导电氧化物（如ITO、AZO），属于透射导电材料，因此直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个 **《直接公开》** | [13]：“ITO、CIO、AZO、ZnO、NiO、In₂O₃”；[15]：“第一层至少一部分由氧化物形成（RuOx、IrOx）”；[35]列举透明导电氧化物 | 对比文件公开的n型欧姆接触层材料包括上述组中的ITO、AZO、ZnO、NiO、In₂O₃、RuOx、IrOx等，因此直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层延伸覆盖侧壁。 | 对比文件的n型欧姆接触层仅形成在n型层顶表面，未沿侧壁延伸，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料 **《未公开》** | 对比文件第一层25a由Ru或Ir形成，不属于透射绝缘材料。 | 对比文件的第一层是金属或导电氧化物，非绝缘材料，因此未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料 **《直接公开》** | [28]：“第二层25b由透明导电氧化物形成” | 对比文件公开了n型欧姆接触层具有第二层（透明导电氧化物）位于第一层（Ru/Ir）上，且第二层为透射导电材料，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率 **《未公开》** | 对比文件未提及折射率。 | 对比文件未公开粘附层各层的折射率特性，因此未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率 **《未公开》** | 对比文件未提及折射率。 | 对比文件未公开粘附层各层的折射率特性，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开 **《未公开》** | 对比文件无透射电极层。 | 对比文件未公开透射电极层，也无法公开其与粘附层的位置关系，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间 **《未公开》** | 对比文件无透射电极层。 | 对比文件未公开透射电极层及粘附层位于其间的结构，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面 **《未公开》** | 对比文件无透射电极层。 | 对比文件未公开透射电极层，也无法公开粘附层延伸至其顶表面，因此未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部 **《未公开》** | 对比文件无透射电极层包围第二电极的结构。 | 对比文件未公开第二电极部分被包围而不暴露的结构，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠 **《未公开》** | 对比文件第一电极仅设置在粘附层上，未穿过粘附层。 | 对比文件未公开第一电极穿过粘附层并与之重叠的结构，因此未公开。 |
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### 公开性代码
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、F、N、O、R，隐含公开了技术特征H。对应代码为：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<F>>><<<H>>><<<N>>><<<O>>><<<R>>>