对比文件名称：2003-07-01_US6586762B_发明授权_US06586762B2 Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层**<br>《直接公开》 | 第一实施例：本发明的氮化物半导体器件包括有源层12，该有源层被p型氮化物半导体层13和n型氮化物半导体层11夹在中间（图2、图3）。 | 对比文件明确公开了在n型层和p型层之间夹有有源层的结构，其中n型层对应于第一导电半导体层（n型）。本领域技术人员可直接确定该特征。 |
| **技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层**<br>《直接公开》 | 同上，有源层12位于n型氮化物半导体层11上。 | 对比文件的有源层直接形成在n型层上，与目标专利中第一导电半导体层上的有源层完全相同。 |
| **技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层**<br>《直接公开》 | 同上，p型氮化物半导体层13位于有源层12上。 | 对比文件有源层上方为p型层，对应于目标专利的第二导电半导体层，直接公开。 |
| **技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域**<br>《直接公开》 | 实施例1：在p型接触层上形成SiO2保护膜后，通过RIE使用SiCl4气体蚀刻，暴露n型接触层103的表面以形成n型电极（如图1）。 | 对比文件通过蚀刻暴露了n型层（第一导电半导体层）的顶表面部分区域，用于形成电极，与目标专利中暴露第一导电半导体层顶表面的区域作用相同。 |
| **技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上**<br>《直接公开》 | 实施例14：在p型接触层310上形成透光的p型电极311，材料包括Ni和Au，厚度200Å，基本覆盖整个p型接触层表面。 | 对比文件在p型半导体层（第二导电半导体层）上直接形成了透光导电层（Ni/Au），该层用于电流扩展并透光，相当于目标专利的透射电极层，直接公开。 |
| **技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未发现任何与目标专利中粘附层（单独位于电极与半导体层之间的层）对应的结构。 | 对比文件中电极直接形成在半导体层上，没有在电极与第一导电半导体层之间设置额外粘附层。虽然电极材料可能包含Ti等以改善粘附，但Ti是电极的一部分，并非独立粘附层，因此未公开。 |
| **技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开此类结构。 | 对比文件没有粘附层，因此第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层的结构未被公开，也无法隐含得出。 |
| **技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层**<br>《直接公开》 | 实施例1：在暴露的p型接触层111上形成p型电极120，材料为Ni/Au（如图1）。 | 对比文件形成p型电极直接接触p型半导体层，对应于目标专利的第二电极接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| **技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开第二电极“通过”透射电极层接触半导体层的结构。 | 对比文件中透射电极层（即p型电极）本身即为第二电极，不存在第二电极的一部分通过该层接触半导体，因此未公开。 |
| **技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开第二电极第二部分接触透射电极层的结构。 | 由于对比文件的第二电极与透射电极层是同一层，无法区分第一部分和第二部分，因此未公开。 |
| **技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开粘附层及其布置，也未公开第二电极第一部分被透射电极层包围。 | 对比文件无粘附层结构，且第二电极与透射电极层合一，无包围关系，因此未公开。 |
| **技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10%至95%的面积。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未涉及任何关于电极底表面与顶表面面积比例的内容。 | 对比文件未公开第一电极底表面与顶表面面积关系，也未给出任何直接或隐含的启示。 |
| **技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5%至90%的宽度。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未涉及粘附层与电极重叠宽度的比例。 | 对比文件无粘附层，且无重叠区域描述，未公开。 |
| **技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开粘附层及其材料。 | 对比文件无粘附层，因此该特征未公开。虽然对比文件使用了SiO2等绝缘层，但并非作为粘附层使用在电极与半导体之间。 |
| **技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx, SiOxNy, Si3N4, TiO2, Al2O3, 铟锡氧化物, 铟锌氧化物, 铟锌锡氧化物, 铟铝锌氧化物, 铟镓锌氧化物, 铟镓锡氧化物, 铝锌氧化物, 锑锡氧化物, 镓锌氧化物, IrOx, 以及RuOx组成的组中选择的至少一个。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开粘附层使用上述材料。 | 对比文件无粘附层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开粘附层的延伸范围。 | 对比文件无粘附层，无法公开该结构。 |
| **技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开双层粘附层结构。 | 对比文件无粘附层，未公开。 |
| **技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开此类双层粘附层。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开折射率相关的粘附层结构。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开透射电极层与粘附层的相对位置关系。 | 对比文件无粘附层，透射电极层（即p型电极）直接覆盖p型层，无隔开结构。 |
| **技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开粘附层位于透射电极层与半导体层之间。 | 对比文件无粘附层，透射电极层直接接触半导体层，无中间层。 |
| **技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开粘附层延伸到透射电极层顶表面。 | 对比文件无粘附层，也无该结构。 |
| **技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开第二电极第一部分是否暴露。 | 对比文件无此结构特征。 |
| **技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。**<br>《未直接公开且未隐含公开》 | 对比文件未公开第一电极穿过粘附层并重叠的结构。 | 对比文件无粘附层，无法公开。 |
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