### 对比文件名称
2009-04-30_JP2009094107A_发明专利_JP2009094107A ELECTRODE FOR GaN-BASED LED DEVICE AND GaN-BASED LED DEVICE USING THE SAME
### 目标专利名称
1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
### 本次调用的模型名称
（未指定，本次评估由资深专利代理师模拟完成）
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层<br>**《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“GaN系半导体膜12中には、Si添加GaNからなるn型層12-1”（GaN系半导体膜12中，包含由Si掺杂GaN构成的n型层12-1）。 | 对比文件明确公开了发光结构包含n型层（第一导电半导体层），其作用与目标专利中的第一导电半导体层相同，均作为发光结构的一部分。 |
| **技术特征B**：在所述第一导电半导体层上的有源层<br>**《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“これらの間に挟まれた、InGaN井戸層とGaN障壁層とからなる多重量子井戸構造の発光層12-2”（夹在它们之间的、由InGaN阱层和GaN势垒层构成的多量子阱结构的发光层12-2）。 | 对比文件公开了在n型层上形成有发光层（有源层），与目标专利中第一导电半导体层上的有源层位置和作用一致。 |
| **技术特征C**：所述有源层上的第二导电半导体层<br>**《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“Mg添加AlGaNからなるp型層12-3”（由Mg掺杂AlGaN构成的p型层12-3）。 | 对比文件公开了在发光层上形成p型层（第二导电半导体层），与目标专利中第二导电半导体层的位置和功能对应。 |
| **技术特征D**：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域<br>**《直接公开》** | 对比文件第[2]段（工艺描述）：“RIE（反応性イオンエッチング）によりp型層12-3および発光層12-2の一部を除去し、n型層12-1を部分的に露出させる”（通过RIE去除p型层12-3和发光层12-2的一部分，部分暴露n型层12-1）。 | 对比文件通过台面蚀刻工艺暴露了n型层（第一导电半导体层）的顶表面，形成了与目标专利中暴露区域完全相同的结构。 |
| **技术特征E**：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上<br>**《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“p型層12-3の上面に、電子ビーム蒸着法を用いて、ITOからなる第2のTCO膜13bを形成する”（在p型层12-3的上表面，使用电子束蒸镀法形成由ITO构成的第2 TCO膜13b）。 | 对比文件公开了在p型层（第二导电半导体层）上直接形成透明导电氧化物膜（TCO膜），该膜起到透射电极层的作用，与目标专利中的透射电极层功能相同（透光、导电）。 |
| **技术特征F**：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层<br>**未公开** | 对比文件中的n电极虽包含接触n型层的TCO膜15，但该膜是n电极的组成部分，而非独立的粘附层；对比文件也未提及任何专门用于提高粘附强度的层。 | 对比文件未公开任何独立于电极的“粘附层”结构，其TCO膜直接作为电极导电层，不具备目标专利中粘附层专门增强电极与半导体间粘附力的功能，且未设置于第一导电半导体层与第一电极之间。 |
| **技术特征G**：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上<br>**未公开** | 对比文件n电极的金属膜16仅接触TCO膜15，而不直接接触n型层；p电极的金属膜14仅接触第一TCO膜13a，不直接接触p型层。 | 对比文件没有第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层的结构，其电极（金属膜）均通过TCO膜间接接触半导体层，不符合目标专利中第一电极直接接触两者的限定。 |
| **技术特征H**：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层<br>**《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“p型層12-3上に形成されたp電極であり、TCO膜13a（「第1のTCO膜」）とTCO膜13b（「第2のTCO膜」）とからなる透明電極13を有し、更に、透明電極13の一部上にボンディングパッドとして形成されたメタル膜14を有している”（在p型层12-3上形成的p电极，具有由TCO膜13a和TCO膜13b构成的透明电极13，以及作为焊盘形成在透明电极13上的金属膜14）。 | 对比文件中的p电极（包括透明电极和金属膜）整体接触p型层（第二导电半导体层），第二电极（金属膜14）通过透明电极与p型层电连接，因此第二电极实质上接触了第二导电半导体层，与目标专利中第二电极的作用一致。 |
| **技术特征I**：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分<br>**未公开** | 金属膜14仅接触第一TCO膜13a，而第一TCO膜13a形成于第二TCO膜13b之上，不属于直接形成于p型层上的透射电极层。 | 对比文件中的第二电极（金属膜14）并未直接通过透射电极层（第二TCO膜13b）接触第二导电半导体层，中间存在第一TCO膜13a这一额外层，该层并非目标专利中定义的透射电极层，故不满足该特征。 |
| **技术特征J**：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分<br>**未公开** | 同上，金属膜14仅接触第一TCO膜13a，不接触第二TCO膜13b（透射电极层）。 | 对比文件没有第二电极第二部分直接接触透射电极层的结构，金属膜14与透射电极层（第二TCO膜13b）被第一TCO膜13a隔开。 |
| **技术特征K**：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围<br>**未公开** | 对比文件未公开任何粘附层，且第二电极（金属膜14）未被透射电极层包围。 | 对比文件既无粘附层，也无第二电极部分被透射电极层包围的结构，该特征完全未公开。 |
| **技术特征L**：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积<br>**未公开** | 对比文件没有第一电极直接接触第一导电半导体层的结构，故无面积比例可言。 | 该特征涉及第一电极与第一导电半导体层的接触面积比例，对比文件未公开相应结构，无法比较。 |
| **技术特征M**：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度<br>**未公开** | 对比文件没有粘附层，且第一电极与粘附层的垂直重叠关系不存在。 | 该特征基于粘附层存在，对比文件未公开粘附层，故未公开。 |
| **技术特征N**：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个<br>**未公开** | 对比文件中的TCO膜为透射导电材料，但非粘附层；未提及透射绝缘材料作为粘附层。 | 对比文件未公开任何作为粘附层的材料，无论是透射导电还是透射绝缘材料。 |
| **技术特征O**：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个<br>**未公开** | 对比文件使用了ITO（铟锡氧化物），但仅作为电极层，并非粘附层。 | 对比文件未公开任何粘附层，故所列材料虽部分出现在电极层中，但并非作为粘附层使用，不符合特征。 |
| **技术特征P**：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分<br>**未公开** | 对比文件未公开任何粘附层的延伸结构。 | 没有粘附层，故无延伸关系。 |
| **技术特征Q**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料<br>**未公开** | 对比文件未公开任何双层粘附层结构，尤其没有透射绝缘材料的第一层。 | 对比文件没有粘附层，更没有双层结构。 |
| **技术特征R**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料<br>**未公开** | 同上。 | 同上。 |
| **技术特征S**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率<br>**未公开** | 对比文件未公开具有折射率差异的双层粘附层。 | 对比文件无粘附层，故无折射率层结构。 |
| **技术特征T**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率<br>**未公开** | 同上。 | 同上。 |
| **技术特征U**：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开<br>**未公开** | 对比文件无粘附层，故无隔开关系。 | 该特征依赖粘附层存在，对比文件未公开。 |
| **技术特征V**：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间<br>**未公开** | 对比文件无粘附层，且透射电极层（第二TCO膜13b）直接接触p型层，无中间层。 | 对比文件结构中没有粘附层位于透射电极层与第二导电半导体层之间。 |
| **技术特征W**：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面<br>**未公开** | 对比文件无粘附层延伸至透射电极层顶表面。 | 无公开。 |
| **技术特征X**：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部<br>**未公开** | 对比文件中第二电极（金属膜14）暴露于外部作为焊盘，其第一部分（如有）未明确隐藏。 | 对比文件未公开第二电极部分被隐藏的结构，且金属膜14本身暴露。 |
| **技术特征Y**：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠<br>**未公开** | 对比文件无粘附层，且第一电极未穿过任何层。 | 无公开。 |
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### 公开性代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、H，未公开其他特征，也无隐含公开。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<H>>>