对比文件的名称：2008-08-07_US2008185606A_发明申请_US20080185606A1 Semiconductor light emitting element
目标专利的名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层。 **《直接公开》** | [0053]：“半导体结构20由…堆叠n型氮化物半导体层21作为第一导电型层…构成” | 对比文件明确公开了n型层作为第一导电半导体层，与目标专利作用相同，直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层。 **《直接公开》** | [0053]：“有源层22作为发光区域” | 对比文件明确公开了有源层位于第一导电半导体层上，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层。 **《直接公开》** | [0053]：“p型氮化物半导体层23作为第二导电型层” | 对比文件明确公开了p型层位于有源层上，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域。 **《直接公开》** | [0053]：“n型层21的一部分被暴露以设置n电极（第一电极）30” | 对比文件明确公开了暴露第一导电半导体层顶表面的区域，用于设置第一电极，直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上。 **《直接公开》** | [0054]：“第二电极40…具有第一层41（透光导电膜）…堆叠” | 对比文件中的第一层41是透光导电膜，位于第二导电半导体层上，相当于透射电极层，直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层。 **《直接公开》** | [0055]：“第一电极具有透光绝缘膜17插入在第二层和半导体层之间” | 对比文件中的透光绝缘膜17接触第一导电半导体层，其材料与目标专利的粘附层相同，均起到绝缘和透光作用，虽然主要目的不同，但结构相同，直接公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上。 **《直接公开》** | [0055]：“第一电极…第一层31…接触绝缘膜17和n型层” | 对比文件公开了第一电极（第一层31）同时接触绝缘膜17（粘附层）和第一导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层。 **《直接公开》** | [0053]：“p电极（第二电极）40设置在p型层23s上” | 对比文件明确公开了第二电极接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分。 **《直接公开》** | [0054]：“第二电极40…第二层42…通过第一层41…连接” | 对比文件中第二电极的第二层42（相当于第一部分）通过第一层41（透射电极层）接触p型层，直接公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分。 **《直接公开》** | [0054]：“第二层42…连接至第一层41” | 对比文件中第二电极的第二层42接触第一层41（透射电极层），直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。 **《隐含公开》** | [0053]：“发光结构25…”；[0053]：“保护膜51”；[0077]：“通过蚀刻去除部分层叠结构” | 对比文件虽未明确粘附层覆盖侧壁，但保护膜51通常覆盖侧壁，且绝缘膜17可形成于侧壁。本领域技术人员根据对比文件教导，可以合理推断粘附层可延伸至侧壁以保护侧壁，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积。 **未公开** | 无 | 对比文件未提及第一电极底表面与顶表面的面积比例，也无相关暗示，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度。 **未公开** | 无 | 对比文件未提及重叠区域宽度比例，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。 **《直接公开》** | [0055]：“透光绝缘膜17”；[0081]：“ITO作为第一层” | 对比文件公开了透光绝缘膜（透射绝缘材料）和ITO（透射导电材料），因此直接公开粘附层可包含这些材料。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。 **《直接公开》** | [0051]：“SiO2”；[0081]：“ITO” | 对比文件公开了SiO2（属于SiOx）、Si3N4、Al2O3、TiO2、ITO等，因此直接公开了组中的至少部分材料。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。 **《隐含公开》** | [0053]：“保护膜51”；[0077]：“蚀刻形成台面” | 对比文件虽未明确，但保护膜可覆盖侧壁，且绝缘膜可延伸，本领域技术人员可合理推断粘附层可沿侧壁延伸，因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料。 **《隐含公开》** | [0055]：“透光绝缘膜17” | 对比文件公开了透光绝缘膜作为第一层，但未明确将其作为粘附层的第一层，但本领域技术人员可将其视为粘附层的一部分，因此隐含公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。 **《隐含公开》** | [0081]：“ITO第一层” | 对比文件中的ITO第一层是电极的一部分，但本领域技术人员可将其组合在粘附层中形成多层结构，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率。 **《隐含公开》** | [0151]：“介电多层膜DBR，高折射率层” | 对比文件公开了高折射率介电层，可用于反射结构，本领域技术人员可将其用于粘附层，因此隐含公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。 **《隐含公开》** | [0151]：“低折射率层” | 对比文件公开了低折射率层，可组合使用，因此隐含公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。 **未公开** | 无 | 对比文件中的透射电极层（第一层41）覆盖绝缘膜18，未隔开，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。 **《直接公开》** | [0054]：“第一层41…通过透光绝缘膜18…堆叠” | 对比文件中的透光绝缘膜18位于第二导电半导体层顶表面和第一层41（透射电极层）之间，因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面。 **未公开** | 无 | 对比文件中的绝缘膜18位于透射电极层下方，未延伸到顶表面，因此未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。 **未公开** | 无 | 对比文件未明确第二电极第一部分是否暴露，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。 **《直接公开》** | [0055]：“第一层31…接触绝缘膜17和n型层” | 对比文件中第一电极的第一层31覆盖绝缘膜17，同时接触半导体，即穿过粘附层并垂直重叠，因此直接公开。 |
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