对比文件名称：2009-12-31_US2009321775A_发明申请_US20090321775A1 LED with Reduced Electrode Area
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
模型名称：DeepSeek AI
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层。**直接公开** | 对比文件[0010]：“LED 20可以看作具有三层结构，包括n型层22、有源层23和p型层24。” | 对比文件明确公开了n型层作为第一导电半导体层，特征A被直接公开。 |
| 特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层。**直接公开** | 对比文件[0010]：“有源层23位于n型层22上。” | 对比文件公开了有源层在n型层上，特征B被直接公开。 |
| 特征C：所述有源层上的第二导电半导体层。**直接公开** | 对比文件[0010]：“p型层24位于有源层23上。” | 对比文件公开了p型层在有源层上，特征C被直接公开。 |
| 特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域。**直接公开** | 对比文件[0011]：“为提供到层22的接触，沟槽28被蚀刻穿过层23和24并进入层22。” | 沟槽蚀刻暴露了n型层22的顶表面（底部），特征D被直接公开。 |
| 特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上。**直接公开** | 对比文件[0011]：“透明电极25沉积在接触26和层24之间”以及图3中透明电极44在p型层24上。 | 对比文件公开了透明电极（如ITO）在p型层上，特征E被直接公开。 |
| 特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层。**直接公开** | 对比文件[0015]：“沉积图案化的SiN层以形成绝缘岛43和绝缘层45，绝缘层45覆盖沟槽48的壁。”沟槽壁包括n型层22的侧壁。 | 绝缘层45接触n型层22的侧壁，即接触第一导电半导体层，特征F被直接公开。 |
| 特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上。**直接公开** | 对比文件[0015]：“第一电极47与第一层22电接触”且被绝缘层45防止短路，因此电极47接触绝缘层45和n型层22。 | 第一电极（接触57）接触沟槽底部的n型层和侧壁的绝缘层，特征G被直接公开。 |
| 特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层。**直接公开** | 对比文件[0015]：“第二电极与第二层24电接触”。 | 第二电极56通过透明电极44与p型层24电接触，特征H被直接公开。 |
| 特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分。**直接公开** | 对比文件[0015]：“第二电极与第二层24电接触”且透明电极44位于第二电极和p型层之间。 | 第二电极整体通过透明电极接触p型层，因此其第一部分通过透射电极层接触，特征I被直接公开。 |
| 特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分。**直接公开** | 同上，第二电极整体接触透明电极44。 | 第二电极的第二部分（整体）接触透射电极层，特征J被直接公开。 |
| 特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。**未公开** | 对比文件[0015]仅公开绝缘层45覆盖沟槽壁（侧表面），未覆盖第一导电半导体层顶表面（沟槽底部无绝缘层），也未覆盖第二导电半导体层顶表面（绝缘层未延伸到p型层顶表面）。另外，第二电极56位于透明电极44之上，未被包围。 | 对比文件没有公开粘附层覆盖第一导电半导体层顶表面、有源层侧表面和第二导电半导体层顶表面和侧表面，也没有公开第二电极第一部分被透射电极层包围，特征K未公开。 |
| 特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积。**未公开** | 对比文件[0015]中第一电极57的底表面完全接触n型层22顶表面，即100%面积。 | 对比文件没有公开任何比例范围，且实际结构为100%，不在10%-95%内，特征L未公开。 |
| 特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度。**未公开** | 对比文件[0015]中第一电极57与绝缘层45在侧壁处水平接触，但垂直重叠宽度未提及，且从结构看，垂直重叠区域很小或没有。 | 对比文件没有公开垂直重叠区域的比例，特征M未公开。 |
| 特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。**直接公开** | 对比文件[0015]使用SiN作为绝缘层，[0019]提到SiN、SiOxNy、AlOx、TiOx等绝缘材料。 | 对比文件公开了透射绝缘材料SiN等，因此特征N被直接公开。 |
| 特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。**直接公开** | 对比文件[0019]：“SiN特别有吸引力……然而，也可以使用其他绝缘材料。例如，可以使用AlNx、TiOx、AlOx或SiOxNy。”其中SiN对应Si3N4，TiOx对应TiO2，AlOx对应Al2O3，SiOxNy对应SiOxNy。 | 对比文件公开了Si3N4、SiOxNy、TiO2、Al2O3，这些都属于特征O的组中，因此特征O被直接公开。 |
| 特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。**未公开** | 对比文件[0015]中绝缘层45仅覆盖沟槽侧壁，未延伸到第二导电半导体层（p型层）的顶表面，且未延伸至第一导电半导体层顶表面（底部无绝缘层）。 | 对比文件没有公开粘附层延伸到第二导电半导体层顶表面，特征P未公开。 |
| 特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料。**未公开** | 对比文件[0015]的绝缘层45为单层SiN，没有多层结构。 | 对比文件没有公开粘附层具有多层结构，特征Q未公开。 |
| 特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。**未公开** | 同上，没有多层结构。 | 特征R未公开。 |
| 特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率。**未公开** | 对比文件没有提及折射率分层。 | 特征S未公开。 |
| 特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。**未公开** | 同上。 | 特征T未公开。 |
| 特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。**未公开** | 对比文件[0015]中透明电极44覆盖p型层顶表面，绝缘层45在沟槽内，没有延伸到p型层顶表面，因此没有隔开关系。 | 对比文件没有公开透射电极层与粘附层一端隔开，特征U未公开。 |
| 特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。**未公开** | 对比文件没有绝缘层在p型层顶表面和透明电极之间，绝缘岛43在透明电极之上，不在之间。 | 特征V未公开。 |
| 特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面。**未公开** | 对比文件绝缘层45未延伸到透明电极44顶表面，绝缘岛43在透明电极44顶表面但功能不同。 | 特征W未公开。 |
| 特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。**未公开** | 对比文件第二电极56暴露在外部。 | 特征X未公开。 |
| 特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。**未公开** | 对比文件第一电极57在沟槽内，绝缘层45在侧壁，第一电极被绝缘层环绕，但未“穿过”粘附层（粘附层在侧壁，第一电极未穿过其上方）。 | 对比文件没有公开第一电极穿过粘附层，且垂直重叠方式不同，特征Y未公开。 |
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