返回项目页面
对比文件列表
2004-09-09_US2004173810A_发明申请_US20040173810A1 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_n+++.docx
2026-07-29 13:27
2004-11-01_TW200423420A_发明专利_TW200423420A 高熱導發光二極體及其製作方法_+++A_B_F_G_I_K_O_T_c_h_l+++.docx
2026-07-29 13:27
2004-11-18_JP2004327863A_发明专利_JP2004327863A Semiconductor light emitting device having reflection plate with heat dissipation function_+++B_D_E_F_G_T_a_c_l_m_n+++.docx
2026-07-29 13:27
2006-08-10_US2006175716A_发明申请_US20060175716A1 Molded package and semiconductor device using molded package_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_U_V_W_n_q+++.docx
2026-07-29 13:27
2007-03-14_JP3891115B_发明专利_JP3891115B2 Luminescent device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_R_T_q+++.docx
2026-07-29 13:27
2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091386A1 照明装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_Q_R_T_p+++.docx
2026-07-29 13:27
2008-11-06_JP2008270709A_发明专利_JP2008270709A Heat-dissipating resin composition, substrate for mounting led, reflector, and substrate for mounting led provided with reflector portion_+++A_B_C_D_E_G_H_M_Q_T_f_k_n_o_p+++.docx
2026-07-29 13:27
2008-12-04_US2008298063A_发明申请_US20080298063A1 LIGHT EMITTING APPARATUS, RESIN MOLDING DEVICE COMPOSING LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_n+++.docx
2026-07-29 13:27
2009-01-01_US2009001405A_发明申请_US20090001405A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_Q_R_T_V_n_p_u+++.docx
2026-07-29 13:27
2009-04-02_JP2009071090A_发明专利_JP2009071090A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_H_M_P_T_f_g_i_n+++.docx
2026-07-29 13:27
2009-05-07_JP2009099823A_发明专利_JP2009099823A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_U_V_W_Y_n_p+++.docx
2026-07-29 13:27
2009-06-18_JP2009135153A_发明专利_JP2009135153A Light emitting device_+++B_D_E_H_T_a_c_f_g_k_l_m_o+++.docx
2026-07-29 13:27
2009-11-18_CN101583670A_发明公开_CN101583670A 散热性树脂组合物、LED实装用基板、反射器以及具有反射器部的LED实装用基板_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_N_Q_R_T_U_V+++.docx
2026-07-29 13:27
WO2005091386A1_Description_20260718_2036_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_P_Q_R_T_i_l_n_s_z+++.docx
2026-07-29 13:27
2004-09-09_US2004173810A_发明申请_US20040173810A1 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_n+++.docx

对比文件名称:2004-09-09_US2004173810A_发明申请_US20040173810A1 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE

目标专利名称:1805发光器件封装CN102082223B

本次调用的模型名称:未指定

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:包括封装主体《直接公开》[0026]“透明绝缘载体基座30形成有凹槽31”;[0035]“绝缘载体基座50形成有通孔51”。对比文件公开了透明绝缘载体基座或绝缘载体基座,该基座用于承载发光二极管并形成容纳空间,相当于本专利的封装主体,因此直接公开。
技术特征B:发光器件《直接公开》[0027]“发光二极管10被送入凹槽31”。对比文件明确公开了发光二极管10,因此直接公开。
技术特征C:所述发光器件位于所述封装主体的腔体中《直接公开》[0028]“凹槽31具有足够深度,完全容纳发光二极管10”。对比文件公开了发光二极管容纳在凹槽内,该凹槽即为封装主体的腔体,因此直接公开。
技术特征D:树脂层《直接公开》[0028]“树脂37填充凹槽31并覆盖布线36a和36b超出凹槽的部分,以将发光二极管10和布线36a、36b全部密封在树脂37内”。对比文件公开了填充凹槽的树脂层,用于密封,因此直接公开。
技术特征E:所述树脂层用于覆盖所述发光器件《直接公开》同上,[0028]“树脂37……将发光二极管10……密封在树脂37内”。树脂层覆盖并密封发光器件,因此直接公开。
技术特征F:第一电极和第二电极《直接公开》[0026]“两个平面金属层34a和34b,彼此分离,形成在透明绝缘载体基座30的顶表面上的凹槽以外的区域”;“两个金属焊盘35a和35b形成在平面金属层34a和34b上”。对比文件公开了平面金属层和焊盘,作为外部连接电极,相当于本专利的第一电极和第二电极,因此直接公开。
技术特征G:所述第一电极和第二电极连接到所述发光器件《直接公开》[0028]“布线36a连接第一电极14和平面金属层34a;布线36b连接第二电极15和平面金属层34b”。对比文件公开了平面金属层(电极)通过布线连接到发光二极管的电极,因此直接公开。
技术特征H:其中,所述封装主体包括这样的材料《直接公开》[0026]“透明绝缘载体基座30由玻璃制成”;[0037]“绝缘载体基座50可以是陶瓷、AlN、SiC、塑料、树脂、印刷电路板或其组合”。对比文件公开了封装主体(载体基座)由多种材料构成,因此直接公开。
技术特征I:所述材料的导热性比构成所述树脂层的材料的导热性更低《未公开》无相关教导。对比文件未提及封装主体材料与树脂层材料的导热性比较,也未教导选择低导热性材料,因此未公开。
技术特征J:其中,构成所述封装主体的材料和构成所述树脂层的材料之间的导热性的差值至少是10W/m.k《未公开》无相关教导。对比文件未涉及任何导热性差值,因此未公开。
技术特征K:其中,所述发光器件安装在所述第一电极上《未公开》[0027]“发光二极管10被送入凹槽31,使得衬底11由凹槽31的底面32支撑”。对比文件中发光二极管安装在凹槽底面,而非安装在第一电极上,因此未公开。
技术特征L:所述封装主体设置在所述第一电极和第二电极上《未公开》[0026]“两个平面金属层34a和34b形成在透明绝缘载体基座30的顶表面上”。对比文件中电极形成在封装主体表面,即封装主体位于电极下方,而非封装主体设置在电极上,因此未公开。
技术特征M:其中,所述树脂层放置在所述封装主体的腔体中《直接公开》[0028]“树脂37填充凹槽31”。对比文件公开了树脂填充在凹槽(腔体)中,因此直接公开。
技术特征N:其中,所述第一和第二电极的导热性高于所述树脂层的导热性《隐含公开》[0026]公开了平面金属层(金属电极);[0028]公开了树脂37由环氧树脂制成,并提及“可以向树脂37添加高导热性材料以增强散热能力”。对比文件公开了电极由金属层形成,树脂由环氧树脂构成,本领域公知金属导热系数远高于环氧树脂,且对比文件暗示树脂本身导热性较低(需添加高导热材料以增强散热),因此可合理推断出电极导热性高于树脂层,故隐含公开。
技术特征O:其中,所述第一电极连接到所述发光器件的下部《未公开》[0028]“布线36a连接第一电极14和平面金属层34a”。对比文件中第一电极(平面金属层)通过布线连接发光二极管的顶部电极(第一电极14),未连接下部,因此未公开。
技术特征P:其中,所述第一和第二电极包括铜的合金或者铝的合金《未公开》未指定具体金属材料。对比文件仅提及平面金属层,未指明其具体金属成分,因此未公开。
技术特征Q:还包括放置在所述树脂层上的透镜部《未公开》第五实施例[0043]“光学透镜74可以布置在通孔51的下开口52a”。对比文件中的光学透镜位于通孔下开口,即树脂层的下方,而非放置在树脂层上,因此未公开。
技术特征R:其中,所述封装主体包括这样的材料《未公开》(针对透镜部)无相关教导。对比文件未涉及透镜部,因此未公开。
技术特征S:所述材料的导热性低于构成所述透镜部的材料的导热性《未公开》无相关教导。对比文件未涉及透镜部材料导热性比较,因此未公开。
技术特征T:其中,所述树脂层包括至少一种磷光体《直接公开》[0045]“下树脂部分83a可以掺杂荧光材料如磷光体,或者荧光层84可以涂覆在通孔61的下开口62a上”。对比文件第六实施例明确公开了树脂层可包含磷光体,因此直接公开。
技术特征U:其中,所述腔体包括第一腔体《未公开》无相关教导。对比文件实施例中仅有一个凹槽或通孔,未公开第一腔体和第二腔体,因此未公开。
技术特征V:所述第一腔体填充有所述树脂层《未公开》无相关教导。同上,未公开。
技术特征W:和第二腔体《未公开》无相关教导。同上,未公开。
技术特征X:所述第二腔体填充有所述透镜部《未公开》无相关教导。同上,未公开。
技术特征Y:其中,所述第二腔体的直径大于所述第一腔体的直径《未公开》无相关教导。同上,未公开。
技术特征Z:其中,构成所述封装主体的材料和构成所述透镜部的材料之间的导热性的差值至少是0.01W/m.k《未公开》无相关教导。对比文件未涉及透镜部,也未涉及导热性差值,因此未公开。

<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<M>>><<<T>>><<<n>>>

权利要求与技术特征
Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE